发表服务
本文提出了一种基于SRAM标准6T单元阵列的新型乘法和点乘运算电路结构。.本文主要工作如下:一、本论文首先对存内计算的提出背景和国内外研究现状进行了介绍,然后对SRAM的电路结构和工作原理进行了解释说明。.因为现阶段已经有很多结合SRAM来设计的存内...
论文通过对SRAM单元功耗、噪声来源及改进思路的研究,进行了结构上的重新设计,并在此基础上提出了一种新型的单端读不对称8晶体管SRAM单元结构。继而详细介绍了该新结构的组成及工作原理,分析其功耗及…
SRAM加固外围电路设计研究摘要：1新型DDICE单元设计1．1读写线路分离改进针对经典DICE结构读数据出现的问题，本文提出了分离读写线的结构。本结构中，WL只控制写时序，此外增加了四个读管N8、N9、N10、N11，并通过RL控制…
本论文创造性的提出了一种抗工艺变化的多级并行复制位线累加技术(MPRDA),并对该技术的原理,电路实现和工作原理进行了详细的分析。通过对其原理分析可知该技术可以实现在整个工作电源电压范围内均获得最优的位线放电时间,从而缩短SRAM时钟周期,并降低工作功耗。
论文的主要研究内容如下：》概述SRAM编译器的工作原理与设计流程，探究SRAM的架构划分方案及其对时序与功耗的影响。分析影响时序的具体模块电路，包括译码电路，字线和位线，SA以及输出缓冲模块等，对于译码电路及SA模块，采用直接...
嵌入式SRAM编译器的容量扩展方法的研究.【摘要】近年来,随着集成电路的高速发展,嵌入式SoC系统的设计成为一个热门的话题。.不久的将来,嵌入式存储器在整个SoC系统面积中占据主导地位,并且这个比例会越来越大。.静态随机存储器(SRAM)在存储器中因其高速度...
SRAM的动态故障测试研究中图分类号:TN407论文编号102870312-S219学科分类号:080402硕士学位论文SRAM的动态故障测试研究研究姓名钱榴源学科、专业测试计量技术及仪器研计算机测控系南京航空航天大学研究生院自动化学院年十二月...
基于65nm工艺新型SRAM存储单元设计-电路与系统专业论文.docx,目录目录目录目录摘要IAbs仃act．．1I目录．ⅡI第1章绪论．11．1课题研究背景．．11．2国内外研究现状．11．3MOS存储器的分类31．4本文章节安排．51．5本章...
1.3论文的研究内容第18页1.4论文的组织架构第18-19页第二章低漏电SRAM的系统设计第19-37页2.1双端口SRAM原理介绍第19-28页2.1.18管存储单元工作原理介绍第19-23页2.1.2双端口
ram是构成内存储器的主要部分.其内容可更具需要随时按地址读出或写入,读出后存储单元内容不变,写入后的存储单元是新写入的内容.ram用户存储运行中的程序和数据,断电后ram数据全部丢失.目前使用的ram多为mos型半导体集成电路.ram按照原理可分为sram和dram,sram...
本文提出了一种基于SRAM标准6T单元阵列的新型乘法和点乘运算电路结构。.本文主要工作如下:一、本论文首先对存内计算的提出背景和国内外研究现状进行了介绍,然后对SRAM的电路结构和工作原理进行了解释说明。.因为现阶段已经有很多结合SRAM来设计的存内...
论文通过对SRAM单元功耗、噪声来源及改进思路的研究,进行了结构上的重新设计,并在此基础上提出了一种新型的单端读不对称8晶体管SRAM单元结构。继而详细介绍了该新结构的组成及工作原理,分析其功耗及…
SRAM加固外围电路设计研究摘要：1新型DDICE单元设计1．1读写线路分离改进针对经典DICE结构读数据出现的问题，本文提出了分离读写线的结构。本结构中，WL只控制写时序，此外增加了四个读管N8、N9、N10、N11，并通过RL控制…
本论文创造性的提出了一种抗工艺变化的多级并行复制位线累加技术(MPRDA),并对该技术的原理,电路实现和工作原理进行了详细的分析。通过对其原理分析可知该技术可以实现在整个工作电源电压范围内均获得最优的位线放电时间,从而缩短SRAM时钟周期,并降低工作功耗。
论文的主要研究内容如下：》概述SRAM编译器的工作原理与设计流程，探究SRAM的架构划分方案及其对时序与功耗的影响。分析影响时序的具体模块电路，包括译码电路，字线和位线，SA以及输出缓冲模块等，对于译码电路及SA模块，采用直接...
嵌入式SRAM编译器的容量扩展方法的研究.【摘要】近年来,随着集成电路的高速发展,嵌入式SoC系统的设计成为一个热门的话题。.不久的将来,嵌入式存储器在整个SoC系统面积中占据主导地位,并且这个比例会越来越大。.静态随机存储器(SRAM)在存储器中因其高速度...
SRAM的动态故障测试研究中图分类号:TN407论文编号102870312-S219学科分类号:080402硕士学位论文SRAM的动态故障测试研究研究姓名钱榴源学科、专业测试计量技术及仪器研计算机测控系南京航空航天大学研究生院自动化学院年十二月...
基于65nm工艺新型SRAM存储单元设计-电路与系统专业论文.docx,目录目录目录目录摘要IAbs仃act．．1I目录．ⅡI第1章绪论．11．1课题研究背景．．11．2国内外研究现状．11．3MOS存储器的分类31．4本文章节安排．51．5本章...
1.3论文的研究内容第18页1.4论文的组织架构第18-19页第二章低漏电SRAM的系统设计第19-37页2.1双端口SRAM原理介绍第19-28页2.1.18管存储单元工作原理介绍第19-23页2.1.2双端口
ram是构成内存储器的主要部分.其内容可更具需要随时按地址读出或写入,读出后存储单元内容不变,写入后的存储单元是新写入的内容.ram用户存储运行中的程序和数据,断电后ram数据全部丢失.目前使用的ram多为mos型半导体集成电路.ram按照原理可分为sram和dram,sram...
发表服务