SRAM设计和Compiler技术.合肥工业大学硕士学位论文SRAM设计和Compiler技术姓名:丁海涛申请学位级别:硕士专业:微电子学与固体电子学指导教师:毛友德20030618SRAM设计和Compiler技术随着微电子技术的飞速发展,毫无疑问,2l世纪将是信息的世纪。.而半导体...
SRAM加固外围电路设计研究摘要:1新型DDICE单元设计1.1读写线路分离改进针对经典DICE结构读数据出现的问题,本文提出了分离读写线的结构。本结构中,WL只控制写时序,此外增加了四个读管N8、N9、N10、N11,并通过RL控制…
合肥工业大学硕士学位论文SRAM中新型结构的灵敏放大器及地址译码器的设计姓名:刘艳申请学位级别:硕士专业:微电子学与固体电子学指导教师:毛友德2002.1.1SRAM中新型结构的灵敏放大器及地址译码器的设计f自本世纪50年代晶体管诞生以来,微电子技术发展异常迅速,目前已进入葚大规…
论文【181将整个SRAM结构模拟成RC网络建立延时模型,该网络模型如下图所示:}aX{CDLCBL}飞N筠耳删l(a)预充电时的RC网络(b)写操作时的RC网络SRAM编译器的建模与脚本解析器设计(c)读操作时的RC网络图3
本文研究了SRAM的低功耗设计方法。在论文研究范围的选择方面,要求所研究的技术或方法要易于实现、可以被广泛应用、对性能不能有过多牺牲。针对这样的研究范围,本文提出了优化的电荷再利用SRAM技术、位线电荷泵SRAM技术和电源电荷泵SRAM技术。
本文提出了一种基于SRAM标准6T单元阵列的新型乘法和点乘运算电路结构。.本文主要工作如下:一、本论文首先对存内计算的提出背景和国内外研究现状进行了介绍,然后对SRAM的电路结构和工作原理进行了解释说明。.因为现阶段已经有很多结合SRAM来设计的存内...
针对低电压下静态随机存储器(SRAM)出现的读写性能损失的问题,设计了一种应用于低功耗SRAM的两步控制(DSC)的字线电压辅助电路技术,可以同时实现读和写辅助的功能,降低SRAM的最小工作电压从而降低功耗。写辅助通过字线开启前段的字线...
论文研究-一种深亚微米SRAM6T存储单元的设计方法.pdf08-19一种深亚微米SRAM6T存储单元的设计方法,张新川,王勇,文章首先分析了静态随机存储器(SRAM)6T存储单元结构的基本工作原理,总结了6T存储单元的优缺点并介绍了存储单元的重要参数静态噪声
首页»硕士论文»嵌入式SRAM编译器的容量扩展方法的研究嵌入式SRAM编译器的容量扩展方法的研究作者:师大云端图书馆时间:2021-10-30分类:硕士论文喜欢:2549【摘要】近年来,随着集成电路的高速发展,嵌入式SoC系统的设计成为一个热门的...
博士毕业论文—《SRAM存储器抗多位翻转ECC加固设计技术研究》摘要第1-6页ABSTRACT第6-14页第1章绪论第14-36页1.1课题背景及研究意义第14-17页
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本文提出了一种基于SRAM标准6T单元阵列的新型乘法和点乘运算电路结构。.本文主要工作如下:一、本论文首先对存内计算的提出背景和国内外研究现状进行了介绍,然后对SRAM的电路结构和工作原理进行了解释说明。.因为现阶段已经有很多结合SRAM来设计的存内...
针对低电压下静态随机存储器(SRAM)出现的读写性能损失的问题,设计了一种应用于低功耗SRAM的两步控制(DSC)的字线电压辅助电路技术,可以同时实现读和写辅助的功能,降低SRAM的最小工作电压从而降低功耗。写辅助通过字线开启前段的字线...
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