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【精品论文】手机用TFTLCD驱动显示芯片内置SRAM的研究与设计[专业：计算机科学与技术]声明：知识水坝论文均为可编辑的文本格式PDF，请放心下载使用。需要DOC格式请发豆丁站内信。
张浩;如何选择非易失性SRAM[J];电子技术;1998年10期13林凌,李刚;C8051与SRAM的高速接口[J];单片机与嵌入式系统应用;2002年06期14段德军,向健勇,,孙勃;经典相关算法(MAD)的硬件实现方法[J];电子科技;2004年04期15
【摘要】：静态随机访问存储器（SRAM）作为最重要的半导体存储器，广泛地嵌入于高性能微处理器。随着集成电路制造工艺的不断提升，存储器占据芯片的功耗比例越来越大，高速低功耗的SRAM设计变得越来越重要。本文结合全定制设计、基于标准单元设计而通过人工布局布线实现的半定制…
基于此，本文设计了基于AHB总线的高性能SRAM控制器，通过增加一级缓存调整读写优先级，消去read-after-write需要等待的时钟周期，有效提高AHB总线与SRAM交互效率，进而提高系统性能。.1、原理与设计1.1时序分析AHB总线时序具有流水特性，在连续的两个...
基于65nm工艺新型SRAM存储单元设计-电路与系统专业论文.docx,目录目录目录目录摘要IAbs仃act．．1I目录．ⅡI第1章绪论．11．1课题研究背景．．11．2国内外研究现状．11．3MOS存储器的分类31．4本文章节安排．51．5本章...
最后,论文对512×32bitSRAM存储器的版图实现进行了研究与设计,提出了全面验证SRAM功能的方法,并对设计进行前、后验证及对比。本文的SRAM存储器在速度、功耗等指标均达到设计参数标准,虽然电路面积偏大,但随着工艺尺寸缩小,SRAM稳定性...
02SRAMSRAM是英文StaticRAM的缩写，它是一种具有静止存取功能的内存，静态随机存取存储器采取多重晶体管设计，不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据，特点为高性能、低集成度、速度快、体积…
声明：本文涉及所有内容均来自ShimengYu的ResistiveRandomAccessMemory（RRAM）:FromDevicestoArrayArchitectures。本文可供读者短时间了解阻抗性随机访问存储器，但如需详细研究，强烈建议下载原书。
但替代SRAM思路是可行的，毕竟STT-MRAM的单元仅占SRAM宏的43.3%面积，并且与高密度storage_cell的SRAM相比，STT-MRAM的能效也更高；优点是突出的，但是在生产层面，各层异...
ROM和RAM指的都是半导体存储器，ROM是ReadOnlyMemory的缩写，RAM是RandomAccessMemory的缩写。ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据，而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据，典型的RAM就是计算机的内存。RAM有两大类，一种称为静态RAM(StaticRAM/SRAM)，SRAM速度非常快，是目前读写快的存储设备了，但是它...
【精品论文】手机用TFTLCD驱动显示芯片内置SRAM的研究与设计[专业：计算机科学与技术]声明：知识水坝论文均为可编辑的文本格式PDF，请放心下载使用。需要DOC格式请发豆丁站内信。
张浩;如何选择非易失性SRAM[J];电子技术;1998年10期13林凌,李刚;C8051与SRAM的高速接口[J];单片机与嵌入式系统应用;2002年06期14段德军,向健勇,,孙勃;经典相关算法(MAD)的硬件实现方法[J];电子科技;2004年04期15
【摘要】：静态随机访问存储器（SRAM）作为最重要的半导体存储器，广泛地嵌入于高性能微处理器。随着集成电路制造工艺的不断提升，存储器占据芯片的功耗比例越来越大，高速低功耗的SRAM设计变得越来越重要。本文结合全定制设计、基于标准单元设计而通过人工布局布线实现的半定制…
基于此，本文设计了基于AHB总线的高性能SRAM控制器，通过增加一级缓存调整读写优先级，消去read-after-write需要等待的时钟周期，有效提高AHB总线与SRAM交互效率，进而提高系统性能。.1、原理与设计1.1时序分析AHB总线时序具有流水特性，在连续的两个...
基于65nm工艺新型SRAM存储单元设计-电路与系统专业论文.docx,目录目录目录目录摘要IAbs仃act．．1I目录．ⅡI第1章绪论．11．1课题研究背景．．11．2国内外研究现状．11．3MOS存储器的分类31．4本文章节安排．51．5本章...
最后,论文对512×32bitSRAM存储器的版图实现进行了研究与设计,提出了全面验证SRAM功能的方法,并对设计进行前、后验证及对比。本文的SRAM存储器在速度、功耗等指标均达到设计参数标准,虽然电路面积偏大,但随着工艺尺寸缩小,SRAM稳定性...
02SRAMSRAM是英文StaticRAM的缩写，它是一种具有静止存取功能的内存，静态随机存取存储器采取多重晶体管设计，不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据，特点为高性能、低集成度、速度快、体积…
声明：本文涉及所有内容均来自ShimengYu的ResistiveRandomAccessMemory（RRAM）:FromDevicestoArrayArchitectures。本文可供读者短时间了解阻抗性随机访问存储器，但如需详细研究，强烈建议下载原书。
但替代SRAM思路是可行的，毕竟STT-MRAM的单元仅占SRAM宏的43.3%面积，并且与高密度storage_cell的SRAM相比，STT-MRAM的能效也更高；优点是突出的，但是在生产层面，各层异...
ROM和RAM指的都是半导体存储器，ROM是ReadOnlyMemory的缩写，RAM是RandomAccessMemory的缩写。ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据，而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据，典型的RAM就是计算机的内存。RAM有两大类，一种称为静态RAM(StaticRAM/SRAM)，SRAM速度非常快，是目前读写快的存储设备了，但是它...
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