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硕士博士毕业论文—液相法碳化硅晶体生长及其物性研究摘要第1-7页abstract第7-19页第1章绪论第19-41页1.1引言第19-21页1.2SiC晶体的性质
经过调试和晶体试样,达到了较为理想的工作状态,满足了SIC晶体...中国硕士学位论文全文数据库前10条1郑磊;SIC晶体生长系统关键技术研究...
毕业论文>碳化硅晶体生长过程中的扩径与缺陷控制研究中国期刊网qikanchina.net碳化硅晶体生长过程中的扩径与缺陷控制研究河北同光晶体有限公司，河北保定071000摘要:为了提高碳化硅晶体生产质量和降低后续碳化硅衬底时的晶体开裂...
1．3SiC晶体生长中的物理问题1．3．1SiC晶体的生长缺陷尽管从目前的形势来看，Si器件的特性已接近si材料和工艺的极限，但Si器件仍展示出良好的性能。
最新博士论文—《液相法碳化硅晶体生长及其物性研究》摘要第1-7页abstract第7-19页第1章绪论第19-41页1.1引言第19-21页1.2SiC晶体的性质
碳化硅外延材料生长及表征技术研究.pdf,--优秀硕士毕业论文，完美PDF格式，可在线免费浏览全文和下载,支持复制编辑,可为大学生本专业本院系本科专科大专和研究生学士硕士相关类学生提供毕业论文范文范例指导,也可为要代写发表职称论文的提供参考！
为此，在论文中，住友表示，尽管溶液生长法可以获得更高质量和更低成本的SiC晶体，但是没有PVT法那么实用。不过，住友的这项技术发展很快，2020年5月，他们就宣布成功开发了6英寸的SiC单晶衬底CrystEra，并在2020下半财年将其商业化。
【摘要】碳化硅(SiC)具有宽禁带、高硬度、高热导率、高击穿场强、高电子迁移率、强抗氧化性和化学稳定性等优异性能。一维SiC纳米材料除保留其本征性质外，还由于纳米尺寸效应、特定的形貌和内在的特殊晶体结构及缺陷，在力学、电学和光学等方面展现出更多特异性能。
SIC晶体生长系统关键技术研究,碳化硅,晶体生长,有限元,热场分布,PVT法。随着微电子技术的发展,传统基于Si和GaAs半导体材料器件由于本身结构和特性,在高温、高频、光电等方面越来越显示出其不...
博士毕业论文—《大容量SiCMOSFET串联关键技术研究》致谢第1-8页摘要第8-10页Abstract第10-16页第1章绪论第16-35页1.1研究背景第16-21页
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为此，在论文中，住友表示，尽管溶液生长法可以获得更高质量和更低成本的SiC晶体，但是没有PVT法那么实用。不过，住友的这项技术发展很快，2020年5月，他们就宣布成功开发了6英寸的SiC单晶衬底CrystEra，并在2020下半财年将其商业化。
【摘要】碳化硅(SiC)具有宽禁带、高硬度、高热导率、高击穿场强、高电子迁移率、强抗氧化性和化学稳定性等优异性能。一维SiC纳米材料除保留其本征性质外，还由于纳米尺寸效应、特定的形貌和内在的特殊晶体结构及缺陷，在力学、电学和光学等方面展现出更多特异性能。
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