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最新博士论文—《SiCMOSFET模块驱动保护电路研究》摘要第1-5页Abstract第5-11页1绪论第11-25页1.1研究背景第11-12页1.2研究现状
博士生属于我国学术精英群体，在找工作时，有多篇sci论文在手会更有优势。那么博士生发表几篇sci论文合适…
高压4H-SiCMOSFET器件设计与结构研究.【摘要】：碳化硅(SiC)材料是第三代宽禁带半导体材料的典型代表,具有禁带宽度大,热导率高,电子饱和漂移速度高以及临界击穿电场高等特性,特别适合高压、高频、大功率器件的制作。.碳化硅金属-氧化物-半导体场效应晶体...
SCI论文投稿步骤及经验分析.高校研究生、博士生获取学位要求发表SCI论文，即发表在SCI期刊上的论文。.尤其是博士学位，有些高校导师要求发表四篇SCI论文，有些导师要求发表两篇SCI论文。.反正攻读博士学位是绕不开发表SCI论文1.SCI论文发表的难度主要体现...
4H-SiCVDMOSFETFLRs终端低温欧姆接触NO退火高阈值电压收藏本站首页期刊全文库学位论文库会议论文库年鉴全文库...中国博士学位论文全文数据库前10条1何艳静;高性能4H-SiC功率VDMOSFET器件设计及关键工艺研究...
总之，硕士考博士，当sci论文是硬性条件时，那必须准备，当sic论文是选择性时，硕士要结合自己实际情况来做决定。鉴于sci论文是硕士考博士的常见条件，含金量很高，在同等条件下，有sci论文的硕士被录用的几率更高。
原标题：SiC功率器件的性能表征、封装测试与系统集成.Tips：西安交大诚邀国内优秀博士生申报“博新计划”，年薪30万以上，直接聘为助理教授；中国西部海外博士后创新示范中心诚聘海外归国博士，年薪20万以上.报告专家：曾正教授.推荐专家：侯聂博士...
KEYWORDSSiCcorrosion碳化硅材料具有比金属和金属间化合物好的高温强度和抗蠕变性能，比氧化物陶瓷好的热导率和抗热震性能碳化硅材料家族主要包括SiCSiC为主相的材料、SiC纤维增强陶瓷材料以及CVDSiC，它们得到了较广泛的应用.SiC基材料已被用来制作热...
Si基SiCN晶体薄膜的研究.何晓龙.【摘要】：硅碳氮(SiCN)作为一种带隙在2.86～5.0eV范围内可调的宽禁带半导体材料,可应用于蓝光或紫外光光电器件。.大部分方法所的SiCN薄膜都是非晶的,虽然也有硅碳氮(SiCN)晶体材料的报道。.为了提高SiCN薄膜的结晶度...
1ProQuestProQuest公司是世界上最早及最大的博硕士论文收藏和供应商，该公司的学位论文数据库（ProQuestDigitalDissertation，简称PQDD）收集有160万篇国外高校的优秀博硕士论文的文摘和索引，其中100万篇有全文。
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高压4H-SiCMOSFET器件设计与结构研究.【摘要】：碳化硅(SiC)材料是第三代宽禁带半导体材料的典型代表,具有禁带宽度大,热导率高,电子饱和漂移速度高以及临界击穿电场高等特性,特别适合高压、高频、大功率器件的制作。.碳化硅金属-氧化物-半导体场效应晶体...
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总之，硕士考博士，当sci论文是硬性条件时，那必须准备，当sic论文是选择性时，硕士要结合自己实际情况来做决定。鉴于sci论文是硕士考博士的常见条件，含金量很高，在同等条件下，有sci论文的硕士被录用的几率更高。
原标题：SiC功率器件的性能表征、封装测试与系统集成.Tips：西安交大诚邀国内优秀博士生申报“博新计划”，年薪30万以上，直接聘为助理教授；中国西部海外博士后创新示范中心诚聘海外归国博士，年薪20万以上.报告专家：曾正教授.推荐专家：侯聂博士...
KEYWORDSSiCcorrosion碳化硅材料具有比金属和金属间化合物好的高温强度和抗蠕变性能，比氧化物陶瓷好的热导率和抗热震性能碳化硅材料家族主要包括SiCSiC为主相的材料、SiC纤维增强陶瓷材料以及CVDSiC，它们得到了较广泛的应用.SiC基材料已被用来制作热...
Si基SiCN晶体薄膜的研究.何晓龙.【摘要】：硅碳氮(SiCN)作为一种带隙在2.86～5.0eV范围内可调的宽禁带半导体材料,可应用于蓝光或紫外光光电器件。.大部分方法所的SiCN薄膜都是非晶的,虽然也有硅碳氮(SiCN)晶体材料的报道。.为了提高SiCN薄膜的结晶度...
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