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SiC作为新一代半导体，应用前景宽广，其表面氢钝化工艺意义重大，近年来以引起国内外学者的普遍关注。1．2国内外发展现状及趋势在过去的20年中，国内外学者在SiC氢钝化方面做了大量的研究工作【引，本文经总结将钝化技术分为三类。
SiC探测器可以探测发热物体背景下的紫外信号，用6H-SiC研制的探测器的暗电流小于1Am-2，探测效率达到0.01-0.1fWHz1/2，入射光功率达到100kW/m特种半导体器件(SiC器件及MRAM)的研究已报道的最好的SiC功率MOSFET器件的性能数据器件阻断
SiC半导体表面处理技术研究.王海波.【摘要】：氢钝化技术是利用氢原子终结表面悬挂键的一种技术。.半导体经氢钝化处理后可以获得干净、平整、抗氧化能力强的表面，有利于高性能的MOS结构和欧姆接触。.由于SiC表面存在极性键，传统的湿法氢钝化...
SiC功率器件建模技术研究.【摘要】：随着第三代宽禁带半导体材料的深入研究和发展,碳化硅的各项优良性能得以发掘。.碳化硅功率器件,主要包括SiCJBS,SiCMOSFET等,相较于传统硅基器件具有更高的耐压等级,更高的工作温度以及更快的开关频率和更小的功率损耗...
SiC是一种宽禁带半导体，据称有200多种polytypes。其禁带宽度根据polytype的不同，可以从～2.4变化到～3.3eV。它的应用范围很广，比如高功率和高温半导体元件，微波器件，短波长发光元件…
国内碳化硅半导体领域科研专家盘点.导读：仪器信息网分析和统计了2018-2020年，三年来的碳化硅相关的学位论文，共计232篇。.第三代半导体材料又被称之为宽禁带半导体材料。.主要包括碳化硅（SiC）、氮化嫁（GaN）、金刚石等。.目前其主要在半导体照明...
我国SiC外延材料研发工作开发于“九五计划”，材料生长技术及器件研究均取得较大进展。主要研究单位有中科院半导体研究所、中电集团13所和55所、西安电子科技大学等，产业化公司主要是东莞天域和厦门瀚天天成[7]。
半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）推荐引用方式GB/T7714王晓峰.GaAs光阴极材料及SiC/SOI材料的生长与性能的研究[D].北京.中国科学院半导体研究所.2005.
引人注目的SiC材料、器件和市场,MESFET,SIC,晶体管,肖特基二极管,SiC。半导体器件的基础是高性能的材料。1950年代的晶体管主要采用Ge,随后转用Si;1960年代集成电路在直径2英寸的Si...
1.3.2尖晶石相氧化物半导体性质的研究现状第30-32页1.3.3含铁尖晶石相氧化物应用于侧向光伏效应研究中的优势第32-33页1.4本论文的主要研究内容第33-35页第2章尖晶石相半金属Fe3O4的外延生长及其侧向光伏性质的研究第35-67页2.1
SiC作为新一代半导体，应用前景宽广，其表面氢钝化工艺意义重大，近年来以引起国内外学者的普遍关注。1．2国内外发展现状及趋势在过去的20年中，国内外学者在SiC氢钝化方面做了大量的研究工作【引，本文经总结将钝化技术分为三类。
SiC探测器可以探测发热物体背景下的紫外信号，用6H-SiC研制的探测器的暗电流小于1Am-2，探测效率达到0.01-0.1fWHz1/2，入射光功率达到100kW/m特种半导体器件(SiC器件及MRAM)的研究已报道的最好的SiC功率MOSFET器件的性能数据器件阻断
SiC半导体表面处理技术研究.王海波.【摘要】：氢钝化技术是利用氢原子终结表面悬挂键的一种技术。.半导体经氢钝化处理后可以获得干净、平整、抗氧化能力强的表面，有利于高性能的MOS结构和欧姆接触。.由于SiC表面存在极性键，传统的湿法氢钝化...
SiC功率器件建模技术研究.【摘要】：随着第三代宽禁带半导体材料的深入研究和发展,碳化硅的各项优良性能得以发掘。.碳化硅功率器件,主要包括SiCJBS,SiCMOSFET等,相较于传统硅基器件具有更高的耐压等级,更高的工作温度以及更快的开关频率和更小的功率损耗...
SiC是一种宽禁带半导体，据称有200多种polytypes。其禁带宽度根据polytype的不同，可以从～2.4变化到～3.3eV。它的应用范围很广，比如高功率和高温半导体元件，微波器件，短波长发光元件…
国内碳化硅半导体领域科研专家盘点.导读：仪器信息网分析和统计了2018-2020年，三年来的碳化硅相关的学位论文，共计232篇。.第三代半导体材料又被称之为宽禁带半导体材料。.主要包括碳化硅（SiC）、氮化嫁（GaN）、金刚石等。.目前其主要在半导体照明...
我国SiC外延材料研发工作开发于“九五计划”，材料生长技术及器件研究均取得较大进展。主要研究单位有中科院半导体研究所、中电集团13所和55所、西安电子科技大学等，产业化公司主要是东莞天域和厦门瀚天天成[7]。
半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）推荐引用方式GB/T7714王晓峰.GaAs光阴极材料及SiC/SOI材料的生长与性能的研究[D].北京.中国科学院半导体研究所.2005.
引人注目的SiC材料、器件和市场,MESFET,SIC,晶体管,肖特基二极管,SiC。半导体器件的基础是高性能的材料。1950年代的晶体管主要采用Ge,随后转用Si;1960年代集成电路在直径2英寸的Si...
1.3.2尖晶石相氧化物半导体性质的研究现状第30-32页1.3.3含铁尖晶石相氧化物应用于侧向光伏效应研究中的优势第32-33页1.4本论文的主要研究内容第33-35页第2章尖晶石相半金属Fe3O4的外延生长及其侧向光伏性质的研究第35-67页2.1
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