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非晶半导体带隙定域态中的跳跃导电毛国民;陈坤基本文根据非晶半导体中的荷电悬挂键模型,用统计力学的方法推导出三种荷电缺陷中心的分布函数,并由此得到系统的费米能级和荷电中心上平均电子数的关系式。
依据半导体材料的化学成分，可以将半导体分为元素半导体、无机化合物半导体、有机化合物半导体和非晶态半导体[1]。2半导体材料的性能2.1元素半导体元素半导体是指半导体材料由单一化学元素构成，在元素周期表有12种具有半导体性质的元素。
半导体材料的研究综述文献综述毕业论文.doc,半导体材料的研究综述文献综述毕业论文半导体研究文献综述学院：材料科学与工程学院专业：材料化学班级：材料122姓名：刘田防学号：2012141009半导体材料的研究综述文献综述摘要：半导体材料的价值在于它的光学、电学特性可充分…
缺陷非晶态半导体与晶态相比较，其中存在大量的缺陷。这些缺陷在禁带之中引入一系列局域能级，它们对非晶态半导体的电学和光学性质有著重要的影响。四面体键非晶态半导体和硫系玻璃，这两类非晶态半导体的缺陷有著显著的差别。
半导体材料介绍论文.doc,半导体材料介绍摘要：本文主要介绍半导体材料的特征、分类、工艺以及半导体材料的一些参数。半导体在我们的日常生活中应用很广泛，半导体材料的一些结构和参数决定了它的特性。以二氧化钛为例，它就是一种半导体材料，其结构和性能决定了它在降解有机污染...
超导电性与无序结构的相关性一直是凝聚态物理领域一个有趣的和具有挑战性的难题。虽然早在1954年科学家们就发现了非晶超导体，但由于非晶超导体中复杂的拓扑和化学无序性，以及极端条件下实验技术的局限性使得非晶体中的超导机制一直是一个未解之谜。
非晶半导体薄膜晶体管模型研究及参数提取.强蕾.【摘要】：非晶硅(amorphoussilicon,a-Si)薄膜晶体管(thinfilmtransistor,TFT)大面积制作时均匀性较好,且可以低温制造,被广泛应用于有源矩阵液晶显示器(Active-MatrixLiquid-CrystalDisplay,AMLCD)和有机发光二极管显示(Active...
非晶半导体带隙定域态中的跳跃导电毛国民;陈坤基本文根据非晶半导体中的荷电悬挂键模型,用统计力学的方法推导出三种荷电缺陷中心的分布函数,并由此得到系统的费米能级和荷电中心上平均电子数的关系式。
依据半导体材料的化学成分，可以将半导体分为元素半导体、无机化合物半导体、有机化合物半导体和非晶态半导体[1]。2半导体材料的性能2.1元素半导体元素半导体是指半导体材料由单一化学元素构成，在元素周期表有12种具有半导体性质的元素。
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缺陷非晶态半导体与晶态相比较，其中存在大量的缺陷。这些缺陷在禁带之中引入一系列局域能级，它们对非晶态半导体的电学和光学性质有著重要的影响。四面体键非晶态半导体和硫系玻璃，这两类非晶态半导体的缺陷有著显著的差别。
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超导电性与无序结构的相关性一直是凝聚态物理领域一个有趣的和具有挑战性的难题。虽然早在1954年科学家们就发现了非晶超导体，但由于非晶超导体中复杂的拓扑和化学无序性，以及极端条件下实验技术的局限性使得非晶体中的超导机制一直是一个未解之谜。
非晶半导体薄膜晶体管模型研究及参数提取.强蕾.【摘要】：非晶硅(amorphoussilicon,a-Si)薄膜晶体管(thinfilmtransistor,TFT)大面积制作时均匀性较好,且可以低温制造,被广泛应用于有源矩阵液晶显示器(Active-MatrixLiquid-CrystalDisplay,AMLCD)和有机发光二极管显示(Active...
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