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摘要：反应离子刻蚀(RIE)选择性比较低,只能进行各向异性刻蚀,刻蚀特征尺寸小于3μm,无危险化学试剂,但有危险气体和射频功率等安全风险.介绍了反应离子刻蚀技术的基本原理,探讨了聚酰亚胺,氮化硅,二氧化硅,铝和多晶硅薄膜材料刻蚀的工艺处方,研究了RIE草地现象形成机理,给出了避免草地现象的...
硅的反应离子刻蚀工艺参数研究.(南京师范大学光电技术江苏省重点实验室,江苏南京210097)摘要]对硅的反应离子刻蚀(RIE)工艺参数进行了研究.通过控制变量法,得出了刻蚀速率与射频功率、刻蚀气体压强和刻蚀气体流量之间的关系曲线.结果表明,随着射频...
反应离子刻蚀的机理及其实验研究方法.【摘要】：反应离子刻蚀业已成为制造集成电路的一项重要技术。.本文扼要地论述四类干法刻蚀的机理:物理刻蚀,化学刻蚀,化学-物理刻蚀及光化学刻蚀。.文中较详细地给出Si,SiO_2、Si_3N_4、Al、和Ⅲ-V族半导体化合物的...
反应离子刻蚀设备的方案设计研究.【摘要】：作为等离子体干法刻蚀技术的一种,反应离子刻蚀诞生于20世纪70年代。.虽然在近几十年里,不断有新的刻蚀方法涌现,但由于反应离子刻蚀具有良好的刻蚀性能,且对金属和介质都能实现刻蚀,因此反应离子刻蚀至今仍...
本论文的目的是通过对反应离子刻蚀技术的研究，使之应用于IC器件TsV晶圆级封装技术中。.在研究中，封装步骤为，首先以粘接技术在晶圆上覆盖一保护层；然后将晶圆从硅面减薄至要求的厚度；用反应离子刻蚀的方式再从硅面制作／出TSV；区域覆盖绝缘层...
二氧化硅的反应离子刻蚀原理RIE）包含物反应离子刻蚀（reactiveionetching，理性刻蚀和化学性刻蚀两种刻蚀作用，是本论文采用的干法刻蚀技术。.刻蚀时，反应室中的气体辉光放电，产生含有离子、电子及游离基等活性物质的等离子体，可扩散并吸附到被刻蚀...
反应离子刻蚀在穿透硅通孔封装技术中的应用研究.【摘要】：随着社会的发展,人们需要体积更小,功耗更低,成本也更低的IC(IntegratedCircuit,集成电路)产品。.正是这种旺盛的需求极大推动了半导体IC封装技术的发展。.传统的IC二维封装方式,是以引线键合方式将...
上海交通大学硕士学士论文PMMA的反应离子深刻蚀及侧壁钝化研究1．2高深宽比干法刻蚀由于微机电系统和微光机电系统中微器件的体微细技术,对刻蚀图形深宽比,侧壁垂直度和微结构表面的光洁度要求很高深宽比越高,侧壁越陡直,及侧壁和底面光洁度...
优秀硕士学位论文—《反应离子刻蚀设备的方案设计研究》摘要第1-5页ABSTRACT第5-6页第一章绪论第6-16页§·光子晶体及其方法
【摘要】：对硅的反应离子刻蚀(RIE)工艺参数进行了研究.通过控制变量法,得出了刻蚀速率与射频功率、刻蚀气体压强和刻蚀气体流量之间的关系曲线.结果表明,随着射频功率的增加,刻蚀速率不断增加;刻蚀速率开始随刻蚀气体压强的增加而加快,压强超过一定值时,刻蚀速率反而减小;刻蚀速率在刻蚀...
摘要：反应离子刻蚀(RIE)选择性比较低,只能进行各向异性刻蚀,刻蚀特征尺寸小于3μm,无危险化学试剂,但有危险气体和射频功率等安全风险.介绍了反应离子刻蚀技术的基本原理,探讨了聚酰亚胺,氮化硅,二氧化硅,铝和多晶硅薄膜材料刻蚀的工艺处方,研究了RIE草地现象形成机理,给出了避免草地现象的...
硅的反应离子刻蚀工艺参数研究.(南京师范大学光电技术江苏省重点实验室,江苏南京210097)摘要]对硅的反应离子刻蚀(RIE)工艺参数进行了研究.通过控制变量法,得出了刻蚀速率与射频功率、刻蚀气体压强和刻蚀气体流量之间的关系曲线.结果表明,随着射频...
反应离子刻蚀的机理及其实验研究方法.【摘要】：反应离子刻蚀业已成为制造集成电路的一项重要技术。.本文扼要地论述四类干法刻蚀的机理:物理刻蚀,化学刻蚀,化学-物理刻蚀及光化学刻蚀。.文中较详细地给出Si,SiO_2、Si_3N_4、Al、和Ⅲ-V族半导体化合物的...
反应离子刻蚀设备的方案设计研究.【摘要】：作为等离子体干法刻蚀技术的一种,反应离子刻蚀诞生于20世纪70年代。.虽然在近几十年里,不断有新的刻蚀方法涌现,但由于反应离子刻蚀具有良好的刻蚀性能,且对金属和介质都能实现刻蚀,因此反应离子刻蚀至今仍...
本论文的目的是通过对反应离子刻蚀技术的研究，使之应用于IC器件TsV晶圆级封装技术中。.在研究中，封装步骤为，首先以粘接技术在晶圆上覆盖一保护层；然后将晶圆从硅面减薄至要求的厚度；用反应离子刻蚀的方式再从硅面制作／出TSV；区域覆盖绝缘层...
二氧化硅的反应离子刻蚀原理RIE）包含物反应离子刻蚀（reactiveionetching，理性刻蚀和化学性刻蚀两种刻蚀作用，是本论文采用的干法刻蚀技术。.刻蚀时，反应室中的气体辉光放电，产生含有离子、电子及游离基等活性物质的等离子体，可扩散并吸附到被刻蚀...
反应离子刻蚀在穿透硅通孔封装技术中的应用研究.【摘要】：随着社会的发展,人们需要体积更小,功耗更低,成本也更低的IC(IntegratedCircuit,集成电路)产品。.正是这种旺盛的需求极大推动了半导体IC封装技术的发展。.传统的IC二维封装方式,是以引线键合方式将...
上海交通大学硕士学士论文PMMA的反应离子深刻蚀及侧壁钝化研究1．2高深宽比干法刻蚀由于微机电系统和微光机电系统中微器件的体微细技术,对刻蚀图形深宽比,侧壁垂直度和微结构表面的光洁度要求很高深宽比越高,侧壁越陡直,及侧壁和底面光洁度...
优秀硕士学位论文—《反应离子刻蚀设备的方案设计研究》摘要第1-5页ABSTRACT第5-6页第一章绪论第6-16页§·光子晶体及其方法
【摘要】：对硅的反应离子刻蚀(RIE)工艺参数进行了研究.通过控制变量法,得出了刻蚀速率与射频功率、刻蚀气体压强和刻蚀气体流量之间的关系曲线.结果表明,随着射频功率的增加,刻蚀速率不断增加;刻蚀速率开始随刻蚀气体压强的增加而加快,压强超过一定值时,刻蚀速率反而减小;刻蚀速率在刻蚀...
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