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上海交通大学硕士学位论文聚合物的反应离子深度刻蚀研究姓名：钱建国申请学位级别：硕士专业：电子材料与元器件指导教师：章吉良20000101聚合物的反应离子深度刻蚀研究摘要f光刻胶、聚酰亚胺、有机玻璃等聚合物是MEMS和MOEMS工艺中的重要材料，它们的刻蚀效果直接影响到元…
本论文的目的是通过对反应离子刻蚀技术的研究，使之应用于IC器件TsV晶圆级封装技术中。.在研究中，封装步骤为，首先以粘接技术在晶圆上覆盖一保护层；然后将晶圆从硅面减薄至要求的厚度；用反应离子刻蚀的方式再从硅面制作／出TSV；区域覆盖绝缘层...
优秀硕士学位论文—《反应离子刻蚀设备的方案设计研究》摘要第1-5页ABSTRACT第5-6页第一章绪论第6-16页§·光子晶体及其方法
反应离子刻蚀的机理及其实验研究方法.【摘要】：反应离子刻蚀业已成为制造集成电路的一项重要技术。.本文扼要地论述四类干法刻蚀的机理:物理刻蚀,化学刻蚀,化学-物理刻蚀及光化学刻蚀。.文中较详细地给出Si,SiO_2、Si_3N_4、Al、和Ⅲ-V族半导体化合物的...
反应离子刻蚀设备的方案设计研究.【摘要】：作为等离子体干法刻蚀技术的一种,反应离子刻蚀诞生于20世纪70年代。.虽然在近几十年里,不断有新的刻蚀方法涌现,但由于反应离子刻蚀具有良好的刻蚀性能,且对金属和介质都能实现刻蚀,因此反应离子刻蚀至今仍...
上海交通大学硕士学士论文PMMA的反应离子深刻蚀及侧壁钝化研究1．2高深宽比干法刻蚀由于微机电系统和微光机电系统中微器件的体微细技术,对刻蚀图形深宽比,侧壁垂直度和微结构表面的光洁度要求很高深宽比越高,侧壁越陡直,及侧壁和底面光洁度...
反应离子刻蚀在穿透硅通孔封装技术中的应用研究.【摘要】：随着社会的发展,人们需要体积更小,功耗更低,成本也更低的IC(IntegratedCircuit,集成电路)产品。.正是这种旺盛的需求极大推动了半导体IC封装技术的发展。.传统的IC二维封装方式,是以引线键合方式将...
西安电子科技大学硕士学位论文等离子体刻蚀轮廓的数值研究姓名：王平申请学位级别：硕士专业：微电子学与固体电子学指导教师：杨银堂2002.1.1摘要摘要本文应用在离子能流限制区，刻蚀速率同入射的离子能流成正比这一实验结论，提出了一个二维半导体深槽反应离子刻蚀的刻蚀速率模型。
全息光栅反应离子束刻蚀特性研究.【摘要】：本文围绕离子束刻蚀衍射光栅的方法,对刻蚀过程中的图形演化展开了理论和实验的研究。.主要包括以下几个方面的内容。.首先,介绍了离子束刻蚀技术和常见的Kaufman离子源系统,讨论了离子束刻蚀中主要工艺参数...
硅衬底微球反应离子刻蚀技术研究.彭冬生金柯.【摘要】：采用微球刻蚀技术,以单层聚苯乙烯微球为掩膜,利用反应离子刻蚀硅衬底制成了微米量级的硅柱阵列,得到了可以横向外延的硅衬底。.研究了刻蚀功率、气体流量、刻蚀时间等工艺参数对刻蚀聚苯乙烯...
上海交通大学硕士学位论文聚合物的反应离子深度刻蚀研究姓名：钱建国申请学位级别：硕士专业：电子材料与元器件指导教师：章吉良20000101聚合物的反应离子深度刻蚀研究摘要f光刻胶、聚酰亚胺、有机玻璃等聚合物是MEMS和MOEMS工艺中的重要材料，它们的刻蚀效果直接影响到元…
本论文的目的是通过对反应离子刻蚀技术的研究，使之应用于IC器件TsV晶圆级封装技术中。.在研究中，封装步骤为，首先以粘接技术在晶圆上覆盖一保护层；然后将晶圆从硅面减薄至要求的厚度；用反应离子刻蚀的方式再从硅面制作／出TSV；区域覆盖绝缘层...
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反应离子刻蚀的机理及其实验研究方法.【摘要】：反应离子刻蚀业已成为制造集成电路的一项重要技术。.本文扼要地论述四类干法刻蚀的机理:物理刻蚀,化学刻蚀,化学-物理刻蚀及光化学刻蚀。.文中较详细地给出Si,SiO_2、Si_3N_4、Al、和Ⅲ-V族半导体化合物的...
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反应离子刻蚀在穿透硅通孔封装技术中的应用研究.【摘要】：随着社会的发展,人们需要体积更小,功耗更低,成本也更低的IC(IntegratedCircuit,集成电路)产品。.正是这种旺盛的需求极大推动了半导体IC封装技术的发展。.传统的IC二维封装方式,是以引线键合方式将...
西安电子科技大学硕士学位论文等离子体刻蚀轮廓的数值研究姓名：王平申请学位级别：硕士专业：微电子学与固体电子学指导教师：杨银堂2002.1.1摘要摘要本文应用在离子能流限制区，刻蚀速率同入射的离子能流成正比这一实验结论，提出了一个二维半导体深槽反应离子刻蚀的刻蚀速率模型。
全息光栅反应离子束刻蚀特性研究.【摘要】：本文围绕离子束刻蚀衍射光栅的方法,对刻蚀过程中的图形演化展开了理论和实验的研究。.主要包括以下几个方面的内容。.首先,介绍了离子束刻蚀技术和常见的Kaufman离子源系统,讨论了离子束刻蚀中主要工艺参数...
硅衬底微球反应离子刻蚀技术研究.彭冬生金柯.【摘要】：采用微球刻蚀技术,以单层聚苯乙烯微球为掩膜,利用反应离子刻蚀硅衬底制成了微米量级的硅柱阵列,得到了可以横向外延的硅衬底。.研究了刻蚀功率、气体流量、刻蚀时间等工艺参数对刻蚀聚苯乙烯...
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