发表服务
等离子刻蚀工艺的发展趋势高刻蚀速度和高均匀性一直是微细技术发展的主要内容,随着基片尺寸不断增大,器件结构尺寸不断缩小,这些要求就更为突出。新的等离子体产生方式是近年来干法刻蚀技术发展的重点。电子回旋共振(ECR)技术已得到普遍应用。
干法刻蚀技术的应用与发展.在半导体生产中，干法刻蚀是最主要的用来去除表面材料的刻蚀方法。.而干法刻蚀是一个惯称，它指的是在低气压下雨等离子体有关的腐蚀方法。.经过二十多年的发展，经历了多样化的发展过程，使技术不断完善和创新。.一定...
等离子刻蚀工艺原理介绍.ppt,等离子刻蚀工艺原理介绍Etch/CSMC2011.10.14概述什么是Plasma为什么Plasma运用在干法刻蚀中各向异性刻蚀中的圆片偏压圆片偏压的产生-1圆片偏压的产生-2Plasma刻蚀中的功率耦合电容耦合电感耦合电容/电感...
刻蚀工艺技术应用研究分析毕业设计论文.doc,本科毕业设计（论文）PAGE\*MERGEFORMATIII本科毕业设计（论文）摘要在半导体出现在人们的视野中后，就很大的程度上改变了人类的生活和生产。半导体出了在计算机领域应用之外，还广泛的...
干法刻蚀技术的应用与发展.doc,...干法刻蚀技术的应用与发展摘要在半导体生产中，干法刻蚀是最主要的用来去除表面材料的刻蚀方法。而干法刻蚀是一个惯称，它指的是在低气压下雨等离子体有关的腐蚀方法。经过二十多年的发展，经历了多样化的发展过程，使技术不断完善和创新。
干法刻蚀技术的应用与发展.doc,干法刻蚀技术的应用与发展摘要在半导体生产中，干法刻蚀是最主要的用来去除表面材料的刻蚀方法。而干法刻蚀是一个惯称，它指的是在低气压下雨等离子体有关的腐蚀方法。经过二十多年的发展，经历了多样化的发展过程，使技术不断完善和创新。
等离子体刻蚀技术基于低压时在气体中产生的等离子体，常用的两种基本方法是物理方法和化学方法，前者包含溅射刻蚀，后者包含纯粹的化学刻蚀。干法刻蚀是等离子体辅助刻蚀的代名词，用于高精度的图形转移。目前我国刻蚀工艺以及刻蚀...
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：准原子层蚀刻的硅氮化物作者：炬丰科技编号：JFKJ-21-727摘要原子层蚀刻(ALE)是一种很有前途的技术，可以解决与连续或脉冲等离子体过程相关的挑战——选择性、轮廓和长宽比相关的蚀刻之间的权衡。
即将出现的另一项技术是分子层蚀刻（MLE）。原子层蚀刻早在1990年代就诞生了，它是基于等离子体的，但是由于涉及到各向原子层蚀刻的无机材料已经有了长足的进步，所以今天发展了更先进的分子层蚀刻，以利用有机/无机杂化材料。
刻蚀腔室内衬用抗等离子体腐蚀涂层的研究现状.北京美桥电子设备有限公司，北京100022；2.中科院微电子研究所，北京100029；北京廊桥材料技术有限公司，北京100089；4.北京科技大学，北京100083）摘要：干法刻蚀技术产生的等离子体会对半导体制造工艺以及...
等离子刻蚀工艺的发展趋势高刻蚀速度和高均匀性一直是微细技术发展的主要内容,随着基片尺寸不断增大,器件结构尺寸不断缩小,这些要求就更为突出。新的等离子体产生方式是近年来干法刻蚀技术发展的重点。电子回旋共振(ECR)技术已得到普遍应用。
干法刻蚀技术的应用与发展.在半导体生产中，干法刻蚀是最主要的用来去除表面材料的刻蚀方法。.而干法刻蚀是一个惯称，它指的是在低气压下雨等离子体有关的腐蚀方法。.经过二十多年的发展，经历了多样化的发展过程，使技术不断完善和创新。.一定...
等离子刻蚀工艺原理介绍.ppt,等离子刻蚀工艺原理介绍Etch/CSMC2011.10.14概述什么是Plasma为什么Plasma运用在干法刻蚀中各向异性刻蚀中的圆片偏压圆片偏压的产生-1圆片偏压的产生-2Plasma刻蚀中的功率耦合电容耦合电感耦合电容/电感...
刻蚀工艺技术应用研究分析毕业设计论文.doc,本科毕业设计（论文）PAGE\*MERGEFORMATIII本科毕业设计（论文）摘要在半导体出现在人们的视野中后，就很大的程度上改变了人类的生活和生产。半导体出了在计算机领域应用之外，还广泛的...
干法刻蚀技术的应用与发展.doc,...干法刻蚀技术的应用与发展摘要在半导体生产中，干法刻蚀是最主要的用来去除表面材料的刻蚀方法。而干法刻蚀是一个惯称，它指的是在低气压下雨等离子体有关的腐蚀方法。经过二十多年的发展，经历了多样化的发展过程，使技术不断完善和创新。
干法刻蚀技术的应用与发展.doc,干法刻蚀技术的应用与发展摘要在半导体生产中，干法刻蚀是最主要的用来去除表面材料的刻蚀方法。而干法刻蚀是一个惯称，它指的是在低气压下雨等离子体有关的腐蚀方法。经过二十多年的发展，经历了多样化的发展过程，使技术不断完善和创新。
等离子体刻蚀技术基于低压时在气体中产生的等离子体，常用的两种基本方法是物理方法和化学方法，前者包含溅射刻蚀，后者包含纯粹的化学刻蚀。干法刻蚀是等离子体辅助刻蚀的代名词，用于高精度的图形转移。目前我国刻蚀工艺以及刻蚀...
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：准原子层蚀刻的硅氮化物作者：炬丰科技编号：JFKJ-21-727摘要原子层蚀刻(ALE)是一种很有前途的技术，可以解决与连续或脉冲等离子体过程相关的挑战——选择性、轮廓和长宽比相关的蚀刻之间的权衡。
即将出现的另一项技术是分子层蚀刻（MLE）。原子层蚀刻早在1990年代就诞生了，它是基于等离子体的，但是由于涉及到各向原子层蚀刻的无机材料已经有了长足的进步，所以今天发展了更先进的分子层蚀刻，以利用有机/无机杂化材料。
刻蚀腔室内衬用抗等离子体腐蚀涂层的研究现状.北京美桥电子设备有限公司，北京100022；2.中科院微电子研究所，北京100029；北京廊桥材料技术有限公司，北京100089；4.北京科技大学，北京100083）摘要：干法刻蚀技术产生的等离子体会对半导体制造工艺以及...
发表服务