发表服务
上海交通大学硕士学位论文金纳米粒子的自组装及RIE刻蚀技术研究姓名：朱林佩申请学位级别：硕士专业：微电子学与固体电子学指导教师：王英;张亚非20060101金纳米粒子的自组装及RIE刻蚀技术研究纳米粒子的粒径及尺寸强烈影响着其在化学生物
摘要：反应离子刻蚀(RIE)选择性比较低,只能进行各向异性刻蚀,刻蚀特征尺寸小于3μm,无危险化学试剂,但有危险气体和射频功率等安全风险.介绍了反应离子刻蚀技术的基本原理,探讨了聚酰亚胺,氮化硅,二氧化硅,铝和多晶硅薄膜材料刻蚀的工艺处方,研究了RIE草地现象形成机理,给出了避免草地现象的...
二氧化硅的反应离子刻蚀原理RIE）包含物反应离子刻蚀（reactiveionetching，理性刻蚀和化学性刻蚀两种刻蚀作用，是本论文采用的干法刻蚀技术。.刻蚀时，反应室中的气体辉光放电，产生含有离子、电子及游离基等活性物质的等离子体，可扩散并吸附到被刻蚀...
本文关键词：超导Nb薄膜的RIE刻蚀与表征更多相关文章：超导铌薄膜反应离子刻蚀【摘要】：反应离子刻蚀(RIE)是超导器件中重要工艺流程之一.本文介绍了利用RIE对超导Nb薄膜进行刻蚀时通过调节刻蚀参数来调控薄膜侧壁的边缘倾角.由于Nb薄膜刻蚀的边缘倾角主要取决于Nb薄膜和光刻胶…
徐俊平等：几种SiC刻蚀方法的刻蚀速率几种SiC刻蚀方法的刻蚀速率（西安电子科技大学微电子学院陕西西安710071）要：在简单介绍了刻蚀SiC的几种方法的基础上重点讨论PE技术，RIE技术，ECR技术，ICP技术中对于SiC割蚀速率的影响因素。
资料来源：RIE刻蚀技术原理，论文资料，阿尔法经济研究RIE的优点是可以形成较厚的离子鞘层，适用于需要较高离子能量参与反应的介质刻蚀，但缺点是虽然可以一定程度控制离子能量但却无法很好控制离子浓度。RIE的等离子体浓度为10^8…
请教，RIE刻蚀二氧化硅的刻蚀气体中He起什么作用？谢谢！微米和纳米微纳小木虫...意得辑论文润色下单送写作宝典1本>论坛更新日志(6673)>虫友互识(502)>休闲灌水(181)>论文投稿(34)>招聘信息布告栏...
而RIE-ICP刻蚀系统可控制等离子体密度和离子轰击能量、刻蚀速率高、结构简单、成本低、工艺稳定性强，占据着深硅刻蚀市场主要地位。本论文通过对掩蔽层图形化工艺的实验和掩蔽层材料的选择以及利用RIE-ICP刻蚀系统进行深硅刻蚀工艺参数的优化研究，实现了硅通孔的。
Originallypostedbyapolloljyat2010-09-2111:37:54:ICP刻蚀，多了一个RF，其中环形RF用于产生交变电场，当电压足够高时，气体产生放电进入等离子态，而通过交变的电磁场使等离子体中电子路径改变，增加了等离子体密度。
湿法刻蚀工艺的应用研究论文.doc,本科毕业设计（论文）PAGE\*MERGEFORMATIIIPAGE\*MERGEFORMATIII本科毕业设计(论文)论文题目：湿法刻蚀工艺的研究摘要通过实习掌握制造集成电路芯片工艺的干+湿法去胶及湿法腐蚀工序的...
上海交通大学硕士学位论文金纳米粒子的自组装及RIE刻蚀技术研究姓名：朱林佩申请学位级别：硕士专业：微电子学与固体电子学指导教师：王英;张亚非20060101金纳米粒子的自组装及RIE刻蚀技术研究纳米粒子的粒径及尺寸强烈影响着其在化学生物
摘要：反应离子刻蚀(RIE)选择性比较低,只能进行各向异性刻蚀,刻蚀特征尺寸小于3μm,无危险化学试剂,但有危险气体和射频功率等安全风险.介绍了反应离子刻蚀技术的基本原理,探讨了聚酰亚胺,氮化硅,二氧化硅,铝和多晶硅薄膜材料刻蚀的工艺处方,研究了RIE草地现象形成机理,给出了避免草地现象的...
二氧化硅的反应离子刻蚀原理RIE）包含物反应离子刻蚀（reactiveionetching，理性刻蚀和化学性刻蚀两种刻蚀作用，是本论文采用的干法刻蚀技术。.刻蚀时，反应室中的气体辉光放电，产生含有离子、电子及游离基等活性物质的等离子体，可扩散并吸附到被刻蚀...
本文关键词：超导Nb薄膜的RIE刻蚀与表征更多相关文章：超导铌薄膜反应离子刻蚀【摘要】：反应离子刻蚀(RIE)是超导器件中重要工艺流程之一.本文介绍了利用RIE对超导Nb薄膜进行刻蚀时通过调节刻蚀参数来调控薄膜侧壁的边缘倾角.由于Nb薄膜刻蚀的边缘倾角主要取决于Nb薄膜和光刻胶…
徐俊平等：几种SiC刻蚀方法的刻蚀速率几种SiC刻蚀方法的刻蚀速率（西安电子科技大学微电子学院陕西西安710071）要：在简单介绍了刻蚀SiC的几种方法的基础上重点讨论PE技术，RIE技术，ECR技术，ICP技术中对于SiC割蚀速率的影响因素。
资料来源：RIE刻蚀技术原理，论文资料，阿尔法经济研究RIE的优点是可以形成较厚的离子鞘层，适用于需要较高离子能量参与反应的介质刻蚀，但缺点是虽然可以一定程度控制离子能量但却无法很好控制离子浓度。RIE的等离子体浓度为10^8…
请教，RIE刻蚀二氧化硅的刻蚀气体中He起什么作用？谢谢！微米和纳米微纳小木虫...意得辑论文润色下单送写作宝典1本>论坛更新日志(6673)>虫友互识(502)>休闲灌水(181)>论文投稿(34)>招聘信息布告栏...
而RIE-ICP刻蚀系统可控制等离子体密度和离子轰击能量、刻蚀速率高、结构简单、成本低、工艺稳定性强，占据着深硅刻蚀市场主要地位。本论文通过对掩蔽层图形化工艺的实验和掩蔽层材料的选择以及利用RIE-ICP刻蚀系统进行深硅刻蚀工艺参数的优化研究，实现了硅通孔的。
Originallypostedbyapolloljyat2010-09-2111:37:54:ICP刻蚀，多了一个RF，其中环形RF用于产生交变电场，当电压足够高时，气体产生放电进入等离子态，而通过交变的电磁场使等离子体中电子路径改变，增加了等离子体密度。
湿法刻蚀工艺的应用研究论文.doc,本科毕业设计（论文）PAGE\*MERGEFORMATIIIPAGE\*MERGEFORMATIII本科毕业设计(论文)论文题目：湿法刻蚀工艺的研究摘要通过实习掌握制造集成电路芯片工艺的干+湿法去胶及湿法腐蚀工序的...
发表服务