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复旦大学硕士学位论文浅沟槽隔离（STI）刻蚀工艺条件研究姓名：吴连勇申请学位级别：硕士专业：集成电路工程指导教师：黄宜平；张擎雪20090222摘要浅沟隔离是目前大规模集成电路制造中用于器件隔离的主要方法。
浅沟槽隔离（STI）刻蚀工艺条件研究.吴连勇.【摘要】：浅沟隔离是目前大规模集成电路制造中用于器件隔离的主要方法。.本文研究了0.18微米浅沟槽隔离技术(STI)中的刻蚀工艺。.本文通过对各种工艺参数的选择,解决了浅沟槽隔离(STI)刻蚀深度,刻蚀角度以及...
毕业论文>浅沟槽隔离sti刻蚀工艺条件优化1219浅沟槽隔离(STI)刻蚀工艺条件优化教授徐小诚专家工程师2011第一章研究背景第一节半导体产业发展的概况第二节浅沟槽隔离(STI)的背景第三节浅沟槽隔离(ST工)概况第二章干法刻蚀工艺介绍第...
浅沟槽隔离（STI）刻蚀工艺条件优化.【摘要】：浅沟槽隔离技术是一种新的MOS集成电路隔离方法,它可以在全平坦的条件下消除局部氧化(LOCOS)技术的“鸟嘴”缺陷,绝缘层可以更厚,可以减少电极间的漏电流和承受更大的击穿电压。.目前己经成为0.25um以下集成...
申请上海交通大学工程硕士学位论文刻蚀反应腔的精确匹配号：1062102145工程硕士：姚敏工程领域：软件工程（集成电路方向）上海交通大学微电子学院2008蚀刻在半导体工艺中主要负责图形转换的过程，线宽的变窄对工艺的稳定性提出了相当高的要求。
从结果来分析，越浅的STI深度，会导致更长的栅极刻蚀ME1的终点检测时间。225图2.4栅极刻蚀的膜层结构Figure2.4polygateetchfilmstack既然是这样，那为什么在浅沟槽刻蚀时，inline的数据收集中没有及时发现这个腔体出来的晶圆沟槽深度浅呢？
刻蚀工艺技术应用研究分析毕业设计论文.doc,本科毕业设计（论文）PAGE\*MERGEFORMATIII本科毕业设计（论文）摘要在半导体出现在人们的视野中后，就很大的程度上改变了人类的生活和生产。半导体出了在计算机领域应用之外，还广泛的...
深亚微米集成电路制造中刻蚀机理工艺研究及应用.【摘要】：等离子体干法刻蚀是大规模集成电路制造中最关键的工艺之一。.随着大规模集成电路制造朝着更高集成度,更小关键尺寸以及更大晶圆半径的方向发展,对工艺的精度和可重复性要求越来越高。.在深...
本文结合对微桌面系统中的刻蚀设备试制,对DRIE工艺进行了研究与探索。.具体研究内容如下:(1)对微桌面系统中的深硅刻蚀设备进行了结构优化和试制。.不同于大型商业化设备,该设备为保持腔室内部结构的灵活性,蚀刻系统被设计成具有改变气体分配...
中国科学院机构知识库网格.中文摘要我们在利用氯化铯自组装纳米岛ICP刻蚀出的硅纳米针尖结阵列式（FEA）是在场致发射器件当中最关键的，本论文是采用SF6,F8,He气体刻蚀除了直径大约1um针尖曲率半径为几纳米的硅纳米针尖结构。.再利用紫外光刻和...
复旦大学硕士学位论文浅沟槽隔离（STI）刻蚀工艺条件研究姓名：吴连勇申请学位级别：硕士专业：集成电路工程指导教师：黄宜平；张擎雪20090222摘要浅沟隔离是目前大规模集成电路制造中用于器件隔离的主要方法。
浅沟槽隔离（STI）刻蚀工艺条件研究.吴连勇.【摘要】：浅沟隔离是目前大规模集成电路制造中用于器件隔离的主要方法。.本文研究了0.18微米浅沟槽隔离技术(STI)中的刻蚀工艺。.本文通过对各种工艺参数的选择,解决了浅沟槽隔离(STI)刻蚀深度,刻蚀角度以及...
毕业论文>浅沟槽隔离sti刻蚀工艺条件优化1219浅沟槽隔离(STI)刻蚀工艺条件优化教授徐小诚专家工程师2011第一章研究背景第一节半导体产业发展的概况第二节浅沟槽隔离(STI)的背景第三节浅沟槽隔离(ST工)概况第二章干法刻蚀工艺介绍第...
浅沟槽隔离（STI）刻蚀工艺条件优化.【摘要】：浅沟槽隔离技术是一种新的MOS集成电路隔离方法,它可以在全平坦的条件下消除局部氧化(LOCOS)技术的“鸟嘴”缺陷,绝缘层可以更厚,可以减少电极间的漏电流和承受更大的击穿电压。.目前己经成为0.25um以下集成...
申请上海交通大学工程硕士学位论文刻蚀反应腔的精确匹配号：1062102145工程硕士：姚敏工程领域：软件工程（集成电路方向）上海交通大学微电子学院2008蚀刻在半导体工艺中主要负责图形转换的过程，线宽的变窄对工艺的稳定性提出了相当高的要求。
从结果来分析，越浅的STI深度，会导致更长的栅极刻蚀ME1的终点检测时间。225图2.4栅极刻蚀的膜层结构Figure2.4polygateetchfilmstack既然是这样，那为什么在浅沟槽刻蚀时，inline的数据收集中没有及时发现这个腔体出来的晶圆沟槽深度浅呢？
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深亚微米集成电路制造中刻蚀机理工艺研究及应用.【摘要】：等离子体干法刻蚀是大规模集成电路制造中最关键的工艺之一。.随着大规模集成电路制造朝着更高集成度,更小关键尺寸以及更大晶圆半径的方向发展,对工艺的精度和可重复性要求越来越高。.在深...
本文结合对微桌面系统中的刻蚀设备试制,对DRIE工艺进行了研究与探索。.具体研究内容如下:(1)对微桌面系统中的深硅刻蚀设备进行了结构优化和试制。.不同于大型商业化设备,该设备为保持腔室内部结构的灵活性,蚀刻系统被设计成具有改变气体分配...
中国科学院机构知识库网格.中文摘要我们在利用氯化铯自组装纳米岛ICP刻蚀出的硅纳米针尖结阵列式（FEA）是在场致发射器件当中最关键的，本论文是采用SF6,F8,He气体刻蚀除了直径大约1um针尖曲率半径为几纳米的硅纳米针尖结构。.再利用紫外光刻和...
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