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icp深硅刻蚀工艺掩模的研究.MicrosystemTechnologies）DOI：10.138731000—9787（2015）08—0029—03ICP深硅刻蚀工艺掩模的研究李丹丹1，2中北大学电子测试技术重点实验室，山西太原030051；中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室，山西太原030051）为刻蚀…
ICP刻蚀技术ICP刻蚀技术能获得良好的刻蚀效果,基金项目:国家自然科学基金资助项目(69896260,69990540);973资助项目(G20000366)作者简介:樊中朝(1976-),男,河北省行唐县人,在读博士生,主要从事Si基光电子和半导体光电子集22微细技术2003是与其
刻蚀功率为0～1500W，偏压功率为0～500W，气体流量为0～200cm刻蚀系统原理图Fig.1Diagrametchingsystem1.2ICP反应刻蚀ZnS的机理对于II-VI族化合物半导体材料的刻蚀，常用的反应气体有两类，一类是含氯基的气体（如Cl[2-3]，另一类是烃类
分类号密级UDC编号中国科学院研究生院博士学位论文PECVD和ICP刻蚀技术及应用指导教师杨富华研究员中国科学院半导体研究所申请学位级别工学博士学科专业名称微电子学与固体电子学论文提交日期2009论文答辩日期2009培养单位中国...
ICPETCHINGOFSILICON-TheCaliforniaInstituteofTechnologyICP刻蚀硅-加州理工大学论文总结英语资料ppt文档免费阅读免费分享，如需请下载！ICPETCHINGNANOSCALEDEVICESThesisMichaelDavidHenryPartialFulfillment...
ICP刻蚀SiC机制及表面损伤的研究.【摘要】：刻蚀是SiC器件过程中的一项关键工艺。.由于SiC材料的高硬度及稳定的化学性质,普通的湿法刻蚀无法获得可行的刻蚀速率。.目前,常采用的SiC刻蚀方法多为等离子体干法刻蚀,其中,ICP刻蚀由于具有可同时提供较高...
电感耦合等离子体论文干法刻蚀论文偏置功率论文.doc,电感耦合等离子体论文干法刻蚀论文偏置功率论文电感耦合等离子体论文干法刻蚀论文偏置功率论文基于ICP刻蚀GaN选择比的研究摘要：在干法刻蚀gan时使用az-4620作为掩膜层，为了在较快的...
本科毕业论文，导师要我分析ICP刻蚀硅片时工艺参数对刻蚀形貌的影响，以及腔室内气体分布模拟，有做过这方面的吗，silvaco能做出来吗，有相对容易学的软件吗模拟其他
本论文的具体研究工作如下:(1)利用干法刻蚀辅助飞秒激光多光子聚合图形转移技术实现了蓝宝石微结构的。.探索了飞秒激光参数以及ICP刻蚀参数对的蓝宝石结构形貌的影响,实现了微圆锥、台阶状结构以及斜面结构等三维结构的,并优化了激光...
大学里的研究室需要购买ICP刻蚀设备一台，主要是刻硅材料。百度了一下，找到以下三家，北方微电子GSE200系列ICP北京东方中科集成科技股份有限公司电感耦合等离子体ICP干法刻蚀系统SI500（SENTECH）北京创世威纳科技ICP-8100型感应耦合...
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