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氮化镓光电化学刻蚀机理的研究.【摘要】：宽禁带(3.4eV)的氮化镓(Galliumnitride,GaN)被认为是第三代半导体材料之一,在电子和光电子等领域有着广阔的应用前景;然而,采用传统湿法刻蚀方法难以实现化学性质极为惰性的GaN的高效高质。.近年来研究发现基于...
为提高工艺效率，通过调节刻蚀电势以实现材料去除速率和表面粗糙度的平衡，最终选择20V或30V作为刻蚀电势。对采用碳化硅磨粒研磨后的氮化镓样品刻蚀20分钟后，再进行化学机械抛光，表面粗糙度Sa由77.5nm降低到0.641nm。
氮化镓在酸性水基溶液中光电化学刻蚀的机理研究及方法改进.【摘要】：第三代半导体材料氮化镓(galliumnitrogen,GaN)已被广泛应用于电子和光电子等诸多领域。.然而GaN的化学性质极端惰性,这使得传统的湿法刻蚀方法无法应用于GaN基器件。.目前,GaN基器件...
GAN相关的刻蚀工艺及其效果的研究[专业：微电子学与固体电子学]（专业）微电子学与固体电子学。声明：知识水坝论文均为可编辑的文本格式PDF，请放心下载使用。需要DOC格式请发豆丁站内信。声明：知识水坝论文均..
本文以在蓝宝石衬底上外延生长的氮化镓（GaN）为原材料,通过光电化学湿法刻蚀、光化学湿法刻蚀、小球模板法刻蚀以及烘干、旋涂、提拉、蒸镀、沉积等半导体材料的工艺方法,初步实现了图形化可控刻蚀GaN的目的,并利用III-V族半导体的优势实现光致发光、光电流响应和表面
3PSS的制作方法及参数表征湿法刻蚀蓝宝石图形衬底是最早的刻蚀蓝宝石沉底的办法，H3PO4、H2SO4等是通常使用的刻蚀溶液,300~500℃是比较合适的刻蚀温度,溶液混合的比例、溶液的温度、刻蚀的时间等各种因素影响了刻蚀的效果和深度.
1赵智彪,李伟,祝向荣,齐鸣,李爱珍;氮化镓光辅助湿法刻蚀后的位错密度估算[J];固体电子学研究与进展;2002年02期2周均铭,陈弘,贾海强;氮化镓基发光二极管产业化中的材料物理问题[J];物理;2002年07期3;北大成功研制出氮化镓基激光二极管[J];光机电信息;2006年10期
主要采用低损伤陡直台面刻蚀技术(Steep-MesaEtchTechnology)，了准垂直型氮化镓肖特基二极管，其在关态下漏电流可低至10-9A/cm-2，开启电压0.7V...
氮化镓论文发光二极管论文干法刻蚀论文感应耦合等离子体论文P型欧姆接触论文版权申明：目录由用户fuhong2**提供，51papers仅收录目录，作者需要删除这篇论文目录请点击这里。
武汉迪源光电有限公司[4-6]基于PSS，通过外延生长，芯片制造工艺，提高了高亮度LED芯片的制造，发光效率达到了104lm/W的工业化水平，符合3W应用市场。.芯片尺寸40密耳（1密耳=0.0254毫米），良好的照明在0.01毫安，无暗区;良好的可靠性和稳定性，在350和700mA...
氮化镓光电化学刻蚀机理的研究.【摘要】：宽禁带(3.4eV)的氮化镓(Galliumnitride,GaN)被认为是第三代半导体材料之一,在电子和光电子等领域有着广阔的应用前景;然而,采用传统湿法刻蚀方法难以实现化学性质极为惰性的GaN的高效高质。.近年来研究发现基于...
为提高工艺效率，通过调节刻蚀电势以实现材料去除速率和表面粗糙度的平衡，最终选择20V或30V作为刻蚀电势。对采用碳化硅磨粒研磨后的氮化镓样品刻蚀20分钟后，再进行化学机械抛光，表面粗糙度Sa由77.5nm降低到0.641nm。
氮化镓在酸性水基溶液中光电化学刻蚀的机理研究及方法改进.【摘要】：第三代半导体材料氮化镓(galliumnitrogen,GaN)已被广泛应用于电子和光电子等诸多领域。.然而GaN的化学性质极端惰性,这使得传统的湿法刻蚀方法无法应用于GaN基器件。.目前,GaN基器件...
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3PSS的制作方法及参数表征湿法刻蚀蓝宝石图形衬底是最早的刻蚀蓝宝石沉底的办法，H3PO4、H2SO4等是通常使用的刻蚀溶液,300~500℃是比较合适的刻蚀温度,溶液混合的比例、溶液的温度、刻蚀的时间等各种因素影响了刻蚀的效果和深度.
1赵智彪,李伟,祝向荣,齐鸣,李爱珍;氮化镓光辅助湿法刻蚀后的位错密度估算[J];固体电子学研究与进展;2002年02期2周均铭,陈弘,贾海强;氮化镓基发光二极管产业化中的材料物理问题[J];物理;2002年07期3;北大成功研制出氮化镓基激光二极管[J];光机电信息;2006年10期
主要采用低损伤陡直台面刻蚀技术(Steep-MesaEtchTechnology)，了准垂直型氮化镓肖特基二极管，其在关态下漏电流可低至10-9A/cm-2，开启电压0.7V...
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武汉迪源光电有限公司[4-6]基于PSS，通过外延生长，芯片制造工艺，提高了高亮度LED芯片的制造，发光效率达到了104lm/W的工业化水平，符合3W应用市场。.芯片尺寸40密耳（1密耳=0.0254毫米），良好的照明在0.01毫安，无暗区;良好的可靠性和稳定性，在350和700mA...
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