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y901439图书分类号！14墨Q密级硕士学位论文基于PIN型光电二极管的Y射线探测系统研究申请学位级别论文提交日期2QQ年学位授予日期——年——月——日论文评阅人注明《国际十进分类法IJ1）C｝的分类中北大学学位论文基于PlN型光电二极管的Y射线探测系统研究摘要本文主要研究用于核…
（论文）PIN雪崩光电二极管建模及其特性的研究,雪崩光电二极管,apd雪崩光电二极管,雪崩光电二极管灵敏度,雪崩光电二极管论文,pin光电二极管,pin型光电二极管,pin硅光电二极管,雪崩二极管,雪崩二极管…
中南大学硕士学位论文PIN二极管的物理机制、模型及其应用研究姓名：丁家峰申请学位级别：硕士专业：凝聚态物理指导教师：曹建20010101中南大学硕士学位论文MasterDissertation，CentralSouthUniversityPIN二极管的物理机制、模型及其应用研究摘要PIN二极管是广泛应用于微波、电力和光电...
PIN光电二极管的噪声包括散粒噪声i为光电流标准均方根热噪声电流在高频条件下可以忽略不计各PIN光电二极管的通用工作特性参数如图6所示总结：1.由<1>、<3>可知，PIN光电二极管的工作波长要适宜，波长大于上限截还小，无法将价带电子激发到导带
PIN光电二极管的结构.PPT,非全耗尽型光电二极管的典型相应时间光电二极管脉冲响应1.为了获得较高的量子效率，耗尽区宽度w必须大于1/as(吸收系数的倒数)，以便可以吸收大部分的光；2.同时如果w较大，会让二极管结电容C变小，于是RLC常数...
PIN光电二极管（Photodiode）是由一个P-I-N结组成的半导体器件,可将光信号转换成电信号，电信号随着光的变化而相应变化。它是针对一般PD的不足，在结构上加以改进而得，灵敏度比一般P-N结光电二极管要高，具有单方向导电特性。市面上常用的硅光电池，一般工作于可见光波段，单晶硅光电转化率...
一、PIN二极管的原理和结构一般的二极管是由N型杂质掺杂的半导体材料和P型杂质掺杂的半导体材料直接构成形成PN结。而PIN二极管是在P型半导体材料和N型半导体材料之间加一薄层低掺杂的本征(Intrinsic)半导体层。P…
【摘要】：由于PIN二极管的反向击穿电压高,可以承受的功率高,开关的线性好,并且具有良好的可靠性和稳定型,而被广泛应用在微波开关、限幅器以及衰减器等控制电路中,并成为军用和民用领域中不可或缺的关键器件。PIN二极管的I区很厚,所以可以承受高的击穿电压,但是当快上升沿电磁脉冲加载在PIN...
为提高SOI横向PIN光电二极管在紫外光、可见光及近红外波长范围内的光探测能力,并优化器件的电学性能和稳定性,本论文基于标准SOI结构上的PIN二极管展开详细研究。论文首先研究了一种铟锡氧化物(IndiumTinOxide,ITO)顶部透明栅控SOI横向PIN光电二极管
PIN光电二极管（Photodiode）是由一个P-I-N结组成的半导体器件,可将光信号转换成电信号，电信号随着光的变化而相应变化。它是针对一般PD的不足，在结构上加以改进而得，灵敏度比一般P-N结光电二极管…
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PIN光电二极管的噪声包括散粒噪声i为光电流标准均方根热噪声电流在高频条件下可以忽略不计各PIN光电二极管的通用工作特性参数如图6所示总结：1.由<1>、<3>可知，PIN光电二极管的工作波长要适宜，波长大于上限截还小，无法将价带电子激发到导带
PIN光电二极管的结构.PPT,非全耗尽型光电二极管的典型相应时间光电二极管脉冲响应1.为了获得较高的量子效率，耗尽区宽度w必须大于1/as(吸收系数的倒数)，以便可以吸收大部分的光；2.同时如果w较大，会让二极管结电容C变小，于是RLC常数...
PIN光电二极管（Photodiode）是由一个P-I-N结组成的半导体器件,可将光信号转换成电信号，电信号随着光的变化而相应变化。它是针对一般PD的不足，在结构上加以改进而得，灵敏度比一般P-N结光电二极管要高，具有单方向导电特性。市面上常用的硅光电池，一般工作于可见光波段，单晶硅光电转化率...
一、PIN二极管的原理和结构一般的二极管是由N型杂质掺杂的半导体材料和P型杂质掺杂的半导体材料直接构成形成PN结。而PIN二极管是在P型半导体材料和N型半导体材料之间加一薄层低掺杂的本征(Intrinsic)半导体层。P…
【摘要】：由于PIN二极管的反向击穿电压高,可以承受的功率高,开关的线性好,并且具有良好的可靠性和稳定型,而被广泛应用在微波开关、限幅器以及衰减器等控制电路中,并成为军用和民用领域中不可或缺的关键器件。PIN二极管的I区很厚,所以可以承受高的击穿电压,但是当快上升沿电磁脉冲加载在PIN...
为提高SOI横向PIN光电二极管在紫外光、可见光及近红外波长范围内的光探测能力,并优化器件的电学性能和稳定性,本论文基于标准SOI结构上的PIN二极管展开详细研究。论文首先研究了一种铟锡氧化物(IndiumTinOxide,ITO)顶部透明栅控SOI横向PIN光电二极管
PIN光电二极管（Photodiode）是由一个P-I-N结组成的半导体器件,可将光信号转换成电信号，电信号随着光的变化而相应变化。它是针对一般PD的不足，在结构上加以改进而得，灵敏度比一般P-N结光电二极管…
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