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PIN二极管的工作原理及其应用.pdf,半导体器件论文题目PIN二极管的工作原理及其应用1半导体器件论文摘要PIN二极管是一种常见的半导体器件，尤其是在微波、电力等领域有着广泛的应用。PIN二极管由掺杂浓度很高的P型结和N型结以及中间夹杂一层本征半导体所构成。
中南大学硕士学位论文PIN二极管的物理机制、模型及其应用研究姓名：丁家峰申请学位级别：硕士专业：凝聚态物理指导教师：曹建20010101中南大学硕士学位论文MasterDissertation，CentralSouthUniversityPIN二极管的物理机制、模型及其应用研究摘要PIN二极管是广泛应用于微波、电力和光电...
微波限幅器是保护射频接收机前端中低噪声放大器免受大功率信号损伤的常用器件,本论文选择PIN二极管无源限幅器作为研究对象,通过改变限幅电路结构和使用不同类型限幅二极管的方法优化限幅器的性能。论文的主要研究工作和结论如下:(1).运用ADS软件...
本论文的PIN二极管采用垂直结构。为使PIN二极管具有较好的微波特性，在进行材料外延生长时控制p+层、n+层的掺杂浓度大于2.5×1018，降低金属一半导体欧姆接触电阻;i层的厚度为3μm，载流子浓度接近3×1014，使二极管的i层耗尽电容和功率容量达到一个最佳平衡点。
大功率碳化硅PiN，二极管，击穿特性的模拟研究.pdf,摘要摘要与硅材料相比较，第三代宽禁带半导体碳化硅材料具有更高的禁带宽度、更高的热导率和更高的载流子饱和速率，使得碳化硅PiN二极管能够更好地应用于高温、高频和高功率场合。
高压4H-SiCPiN功率二极管是功率器件的主要研究方向之一,其具有击穿电压大、开态压降小、反向漏电小等特点。当前通过宽窗型复合JTE终端实现PiN二极管的高反向击穿电压,但界面电荷及表面强电场致使器件击穿特性退化,器件的耐压稳定性较差。
可变增益放大器PIN二极管小信号等效电路锗硅异质结双极晶体管射频【摘要】：射频可变增益放大器大多基于CMOS工艺和砷化镓工艺,通过改变晶体管的偏置电压或建立衰减器增益控制结构实现增益可调.本文采用高性能的射频锗硅异质结双极晶体管,设计并制作了一款射频可变增益放大器.放大器…
pin二极管的结构：根据结构和工艺，pin二极管可以分为两种，外延和扩散。前面我们在聊半导体的制造工艺时有聊过外延和扩散，大家可以去回顾下。对于外延二极管，首先n-层是用外延工艺沉积在高掺杂的n+衬底上，然后用扩散工艺形成p+层。
本论文的PIN二极管采用垂直结构。为使PIN二极管具有较好的微波特性，在进行材料外延生长时控制p+层、n+层的掺杂浓度大于2.5×1018，降低金属一半导体欧姆接触电阻;i层的厚度为3μm，载流子浓度接近3×1014，使二极管的i层耗尽电容和功率容量达到一个
PIN二极管,在重掺杂的P区和N区之间夹有一层轻掺杂的本征区(I)，此类二极管广泛用于射频与微波领域。常见应用是要求高隔离度和低损耗的微波开关、移相器和衰减器。在测试设备、仪器仪表、通信设备、雷达和各种军事应用中，可以发现这类二极管的身影。
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中南大学硕士学位论文PIN二极管的物理机制、模型及其应用研究姓名：丁家峰申请学位级别：硕士专业：凝聚态物理指导教师：曹建20010101中南大学硕士学位论文MasterDissertation，CentralSouthUniversityPIN二极管的物理机制、模型及其应用研究摘要PIN二极管是广泛应用于微波、电力和光电...
微波限幅器是保护射频接收机前端中低噪声放大器免受大功率信号损伤的常用器件,本论文选择PIN二极管无源限幅器作为研究对象,通过改变限幅电路结构和使用不同类型限幅二极管的方法优化限幅器的性能。论文的主要研究工作和结论如下:(1).运用ADS软件...
本论文的PIN二极管采用垂直结构。为使PIN二极管具有较好的微波特性，在进行材料外延生长时控制p+层、n+层的掺杂浓度大于2.5×1018，降低金属一半导体欧姆接触电阻;i层的厚度为3μm，载流子浓度接近3×1014，使二极管的i层耗尽电容和功率容量达到一个最佳平衡点。
大功率碳化硅PiN，二极管，击穿特性的模拟研究.pdf,摘要摘要与硅材料相比较，第三代宽禁带半导体碳化硅材料具有更高的禁带宽度、更高的热导率和更高的载流子饱和速率，使得碳化硅PiN二极管能够更好地应用于高温、高频和高功率场合。
高压4H-SiCPiN功率二极管是功率器件的主要研究方向之一,其具有击穿电压大、开态压降小、反向漏电小等特点。当前通过宽窗型复合JTE终端实现PiN二极管的高反向击穿电压,但界面电荷及表面强电场致使器件击穿特性退化,器件的耐压稳定性较差。
可变增益放大器PIN二极管小信号等效电路锗硅异质结双极晶体管射频【摘要】：射频可变增益放大器大多基于CMOS工艺和砷化镓工艺,通过改变晶体管的偏置电压或建立衰减器增益控制结构实现增益可调.本文采用高性能的射频锗硅异质结双极晶体管,设计并制作了一款射频可变增益放大器.放大器…
pin二极管的结构：根据结构和工艺，pin二极管可以分为两种，外延和扩散。前面我们在聊半导体的制造工艺时有聊过外延和扩散，大家可以去回顾下。对于外延二极管，首先n-层是用外延工艺沉积在高掺杂的n+衬底上，然后用扩散工艺形成p+层。
本论文的PIN二极管采用垂直结构。为使PIN二极管具有较好的微波特性，在进行材料外延生长时控制p+层、n+层的掺杂浓度大于2.5×1018，降低金属一半导体欧姆接触电阻;i层的厚度为3μm，载流子浓度接近3×1014，使二极管的i层耗尽电容和功率容量达到一个
PIN二极管,在重掺杂的P区和N区之间夹有一层轻掺杂的本征区(I)，此类二极管广泛用于射频与微波领域。常见应用是要求高隔离度和低损耗的微波开关、移相器和衰减器。在测试设备、仪器仪表、通信设备、雷达和各种军事应用中，可以发现这类二极管的身影。
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