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PIN光电二极管在光电检测电路中一般具有两种连接方式，一种是工作在反向偏置电压状态（如图2．3a所示），即在PIN光电二极管两端加上反向偏置电哈尔滨理工大学工学硕士学位论文压，这时PN结耗尽层加宽、势垒增大、结电容减小，这些有利于
2.PIN光电二极管(photodiode)：2.1PIN光电二极管简介PIN型光电二极管是光纤通信系统中最常用的光检测器。PIN光电二极管与基本的PN型光电二极管的区别就是在位于P区域有一层较厚的本征半导体材料，称为I区。
PIN二极管在射频开关电路中的工作原理及应用（论文资料）,pin二极管开关,pin光电二极管电路,二极管开关电路,开关二极管应用电路,开关二极管电路图,光敏二极管开关电路,二极管开关电路分析,天线开关二极管电路,射频..
光电二极管论文二极管论文.pdf.收稿日期：2009-12-20；修订日期：2010-02-15作者简介：石柱（1960-），男，四川成都人，高级工程师，硕士，主要从事近红外光电探测器的研制工作。.Email：hx333666@163红外与激光工程2010LaserEngineeringOct2010中心带雪崩光电二极管...
2。2光电二极管的工作原理一。PN光电二极管如图2。2所示是光电二极管的工作原理图，当P侧检测到光输入时在光电二极管的N区、P区和耗尽层都存在吸收光子。光电二极管耗尽层中所产生的电子空穴对会在耗尽层的电场中向P区和N区运动，产生
PIN光电二极管和PN光电二极管，并给出较为详细的推导过程及等效电路图。第四章：根据光电探测器的特性，较为详细地分析了光电探测器用于制导中实现对准，及火灾探测中的工作实现原理。2光电探测器基本理论2。1光电探测器的物理基础光电检测的
PN结型光电二极管（PD）.ppt,四.光探测器基本概念在光电器件中,自发发射、受激辐射和受激吸收过程总是同时出现的。但对于各个特定的器件,只有一种机理起主要作用。这三种作用机理对应的器件分别是：发光二极管、半导体激光器和光电二极管。
13华南理T大学硕十学位论文第三章雪崩光电二极管特性研究3．1雪崩光电二极管的特性参数3．1．1量子效率及响应度光子能量大于禁带宽度的光照射到雪崩光电二极管上时将被半导体吸收，每一个被吸收的光子产生一个电子一空穴对。
陈德章等人[11]研究了1.06μm和0.53μm激光对硅PIN光电二极管以及硅雪崩光电管的永久性损伤效应。实验发现，光电探测器的PN结受到激光热烧伤是造成其永久性损伤的重要因素，损伤阈值的太小与激光渡长、脉冲宽度以及光电探测器结构有关。
光电二极管和普通二极管一样，也是由一个PN结组成的半导体器件，也具有单方向导电特性。但是，在电路中不是用它作整流元件，而是通过它把光转换成电。那么，它是怎样把光转换成电的呢？大家知道，普通二极管在反向电压作用在处于截止...
PIN光电二极管在光电检测电路中一般具有两种连接方式，一种是工作在反向偏置电压状态（如图2．3a所示），即在PIN光电二极管两端加上反向偏置电哈尔滨理工大学工学硕士学位论文压，这时PN结耗尽层加宽、势垒增大、结电容减小，这些有利于
2.PIN光电二极管(photodiode)：2.1PIN光电二极管简介PIN型光电二极管是光纤通信系统中最常用的光检测器。PIN光电二极管与基本的PN型光电二极管的区别就是在位于P区域有一层较厚的本征半导体材料，称为I区。
PIN二极管在射频开关电路中的工作原理及应用（论文资料）,pin二极管开关,pin光电二极管电路,二极管开关电路,开关二极管应用电路,开关二极管电路图,光敏二极管开关电路,二极管开关电路分析,天线开关二极管电路,射频..
光电二极管论文二极管论文.pdf.收稿日期：2009-12-20；修订日期：2010-02-15作者简介：石柱（1960-），男，四川成都人，高级工程师，硕士，主要从事近红外光电探测器的研制工作。.Email：hx333666@163红外与激光工程2010LaserEngineeringOct2010中心带雪崩光电二极管...
2。2光电二极管的工作原理一。PN光电二极管如图2。2所示是光电二极管的工作原理图，当P侧检测到光输入时在光电二极管的N区、P区和耗尽层都存在吸收光子。光电二极管耗尽层中所产生的电子空穴对会在耗尽层的电场中向P区和N区运动，产生
PIN光电二极管和PN光电二极管，并给出较为详细的推导过程及等效电路图。第四章：根据光电探测器的特性，较为详细地分析了光电探测器用于制导中实现对准，及火灾探测中的工作实现原理。2光电探测器基本理论2。1光电探测器的物理基础光电检测的
PN结型光电二极管（PD）.ppt,四.光探测器基本概念在光电器件中,自发发射、受激辐射和受激吸收过程总是同时出现的。但对于各个特定的器件,只有一种机理起主要作用。这三种作用机理对应的器件分别是：发光二极管、半导体激光器和光电二极管。
13华南理T大学硕十学位论文第三章雪崩光电二极管特性研究3．1雪崩光电二极管的特性参数3．1．1量子效率及响应度光子能量大于禁带宽度的光照射到雪崩光电二极管上时将被半导体吸收，每一个被吸收的光子产生一个电子一空穴对。
陈德章等人[11]研究了1.06μm和0.53μm激光对硅PIN光电二极管以及硅雪崩光电管的永久性损伤效应。实验发现，光电探测器的PN结受到激光热烧伤是造成其永久性损伤的重要因素，损伤阈值的太小与激光渡长、脉冲宽度以及光电探测器结构有关。
光电二极管和普通二极管一样，也是由一个PN结组成的半导体器件，也具有单方向导电特性。但是，在电路中不是用它作整流元件，而是通过它把光转换成电。那么，它是怎样把光转换成电的呢？大家知道，普通二极管在反向电压作用在处于截止...
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