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中南大学硕士学位论文PIN二极管的物理机制、模型及其应用研究姓名：丁家峰申请学位级别：硕士专业：凝聚态物理指导教师：曹建20010101中南大学硕士学位论文MasterDissertation，CentralSouthUniversityPIN二极管的物理机制、模型及其应用研究摘要PIN二极管是广泛应用于微波、电力和光电...
PIN二极管的工作原理及其应用.pdf,半导体器件论文题目PIN二极管的工作原理及其应用1半导体器件论文摘要PIN二极管是一种常见的半导体器件，尤其是在微波、电力等领域有着广泛的应用。PIN二极管由掺杂浓度很高的P型结和N型结以及中间夹杂一层本征半导体所构成。
PIN二极管在射频开关电路中的工作原理及应用（论文资料）,pin二极管开关,pin光电二极管电路,二极管开关电路,开关二极管应用电路,开关二极管电路图,光敏二极管开关电路,二极管开关电路分析,天线开关二极管电路,射频..
【论文】PIN型快速恢复二极管的研究与应用PIN型快速恢复二极管的研究与应用_专业资料。剖析了改善快速恢复二极管(Fastrecoverydiode,FRD)反向恢复性能的发射率控制及少子寿命控制的实施方案。探究了间接带隙半导...
微波限幅器是保护射频接收机前端中低噪声放大器免受大功率信号损伤的常用器件,本论文选择PIN二极管无源限幅器作为研究对象,通过改变限幅电路结构和使用不同类型限幅二极管的方法优化限幅器的性能。论文的主要研究工作和结论如下:(1).运用ADS软件...
毕业设计(论文)开题报告课题名称：PIN二极管反向恢复特性的分析与研究学院班系学生姓名：学号指导教师：报告日期：1．本课题所涉及的问题及应用现状综述二极管一般采用P+N-N+的结构，当器件处于正偏时，二极管的掺杂区处于大注入状态，在这种情况下，中间区域跟没有掺杂是一样的...
砷化镓PIN二极管工艺的研究研究,工艺,帮助,砷化镓,砷化镓工艺,PIN工艺,砷化镓芯片,磷砷化镓,n型砷化镓,砷化镓带隙文档格式：.pdf文档页数：52页文档大小：3.76M文档热度：文档分类：论文--毕业论文文档标签...
本论文的PIN二极管采用垂直结构。为使PIN二极管具有较好的微波特性，在进行材料外延生长时控制p+层、n+层的掺杂浓度大于2.5×1018，降低金属一半导体欧姆接触电阻;i层的厚度为3μm，载流子浓度接近3×1014，使二极管的i层耗尽电容和功率容量达到一个最佳平衡点。
高压4H-SiCPiN功率二极管是功率器件的主要研究方向之一,其具有击穿电压大、开态压降小、反向漏电小等特点。当前通过宽窗型复合JTE终端实现PiN二极管的高反向击穿电压,但界面电荷及表面强电场致使器件击穿特性退化,器件的耐压稳定性较差。
PIN二极管的I区很厚,所以可以承受高的击穿电压,但是当快上升沿电磁脉冲加载在PIN二极管两端时极容易发生击穿甚至烧毁,这将严重影响系统工作的稳定型和可靠性。所以分析PIN二极管在快上升沿电磁脉冲下的损伤效应和机理对系统来说具有非常重要的意义。
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PIN二极管的工作原理及其应用.pdf,半导体器件论文题目PIN二极管的工作原理及其应用1半导体器件论文摘要PIN二极管是一种常见的半导体器件，尤其是在微波、电力等领域有着广泛的应用。PIN二极管由掺杂浓度很高的P型结和N型结以及中间夹杂一层本征半导体所构成。
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本论文的PIN二极管采用垂直结构。为使PIN二极管具有较好的微波特性，在进行材料外延生长时控制p+层、n+层的掺杂浓度大于2.5×1018，降低金属一半导体欧姆接触电阻;i层的厚度为3μm，载流子浓度接近3×1014，使二极管的i层耗尽电容和功率容量达到一个最佳平衡点。
高压4H-SiCPiN功率二极管是功率器件的主要研究方向之一,其具有击穿电压大、开态压降小、反向漏电小等特点。当前通过宽窗型复合JTE终端实现PiN二极管的高反向击穿电压,但界面电荷及表面强电场致使器件击穿特性退化,器件的耐压稳定性较差。
PIN二极管的I区很厚,所以可以承受高的击穿电压,但是当快上升沿电磁脉冲加载在PIN二极管两端时极容易发生击穿甚至烧毁,这将严重影响系统工作的稳定型和可靠性。所以分析PIN二极管在快上升沿电磁脉冲下的损伤效应和机理对系统来说具有非常重要的意义。
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