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PECVD氮化硅薄膜的研究进展毕业设计（论文）（2013届）题目PECVD氮化硅薄膜的研究进展学号1003020147姓名钟建斌所属系新能源科学与工程学院专业材料及技术应用班级10材料（1）班指导教师胡耐根新余学院...
PECVD法沉积氮化硅薄膜性质工艺实验研究第38卷，增刊红外与激光工程2009年11Vol.38SupplementInfraredLaserEngineeringNov.2009（北京邮电大学信息光子学与光通信教育部重点实验室，北京100876）摘要：使用新型HQ-3型等离子体增强...
激光与光电子学进展杂志2020年第13期PECVD技术光学薄膜的研究进展用户：壹诺芊唫2021-04-28上传侵权/申诉导语本论文发表于激光与光电子学进展杂志，属于工业相关论文范文材料。仅供大家论文写作参考。...
PECVD薄膜颗粒缺陷研究和改善-中国科技论文在线.PDF,中国科技论文在线PECVD薄膜颗粒缺陷研究和改善王铁渠，黄其煜*（上海交通大学电子信息与电气工程学院，上海200240）5摘要：在半导体集成电路制造PECVD工艺中，经常会遇到薄膜...
分类号密级UDC编号中国科学院研究生院博士学位论文PECVD和ICP刻蚀技术及应用指导教师杨富华研究员中国科学院半导体研究所申请学位级别工学博士学科专业名称微电子学与固体电子学论文提交日期2009论文答辩日期2009培养单位中国...
《等离子增强化学气相沉积(PECVD)的工艺流程》-毕业论文（设计）.doc,等离子增强化学气相沉积（PECVD）的工艺流程PAGEPAGE2毕业设计（论文）（2012届）题目等离子增强化学气相沉积(PECVD)的工艺流程学号0903010033姓名所属...
PECVD淀积SiO2薄膜工艺研究.pdf,第1期微处理机No．12010年2月MICROPROCESSORSFeb．，2010PECVD淀积SiO2薄膜工艺研究崇亢拮，黎威志，袁凯，蒋亚东(电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室，成都...
2.PECVD与薄膜热应力测量介绍2.1PECVD介绍等离子体化学气相沉积(PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition，简称PECVD)是上个世纪70年代末期发展起来的镀膜技术，它是利用辉光放电产生的非平衡等离子体激活反应气体，使之电离，从而获得
浙江大学硕十论文姚日英PEcVD沉积的氮化硅薄膜热处理性质研究摘要氮化硅薄膜是一种多功能材料，在许多领域有着广泛的运用：在微电子材料及器件生产中，氮化硅作为钝化膜、绝缘层和扩散掩膜：硅基太阳能电池中，氮化硅用作钝化膜和减反射膜；在硅基发光材料中作为硅纳米团簇的包埋母体...
1徐翔;冯杰;王友年;;中性气体流动对PECVD放电过程的影响[A];第十五届全国等离子体科学技术会议会议摘要集[C];2011年2王瑞春;沈鸽;袁骏;张溪文;赵高凌;翁文剑;韩高荣;杜丕一;;Al金属诱导氢化非晶硅(a-Si:H)晶化的研究[A];2000年材料科学与工程新进展（下）——2000年中国材料研讨会论文集[C];2000年
PECVD氮化硅薄膜的研究进展毕业设计（论文）（2013届）题目PECVD氮化硅薄膜的研究进展学号1003020147姓名钟建斌所属系新能源科学与工程学院专业材料及技术应用班级10材料（1）班指导教师胡耐根新余学院...
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浙江大学硕十论文姚日英PEcVD沉积的氮化硅薄膜热处理性质研究摘要氮化硅薄膜是一种多功能材料，在许多领域有着广泛的运用：在微电子材料及器件生产中，氮化硅作为钝化膜、绝缘层和扩散掩膜：硅基太阳能电池中，氮化硅用作钝化膜和减反射膜；在硅基发光材料中作为硅纳米团簇的包埋母体...
1徐翔;冯杰;王友年;;中性气体流动对PECVD放电过程的影响[A];第十五届全国等离子体科学技术会议会议摘要集[C];2011年2王瑞春;沈鸽;袁骏;张溪文;赵高凌;翁文剑;韩高荣;杜丕一;;Al金属诱导氢化非晶硅(a-Si:H)晶化的研究[A];2000年材料科学与工程新进展（下）——2000年中国材料研讨会论文集[C];2000年
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