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分类号密级UDC编号中国科学院研究生院博士学位论文PECVD和ICP刻蚀技术及应用指导教师杨富华研究员中国科学院半导体研究所申请学位级别工学博士学科专业名称微电子学与固体电子学论文提交日期2009论文答辩日期2009培养单位中国...
PECVD工艺参数及退火对氮化硅薄膜性能的影响.柳聪.【摘要】：氮化硅薄膜由于具有耐磨性好、机械强度高、绝缘性好并能够抗碱金属离子、水汽的侵蚀而被广泛用于半导体器件的钝化层、介质层及微结构器件的结构支撑层。.等离子增强化学气相沉积(PECVD)法...
研究PECVD光学薄膜均匀性控制技术,明确光学薄膜过程中均匀性的控制方法,对于采用PECVD技术光学薄膜的应用有着广泛的意义。.本文采用PECVD技术分别在Φ150mm的B270和硅片基底上沉积了光学薄膜,研究了高折射率、中间折射率以及低折射率膜层的光学...
【摘要】：本论文分析了平板式PECVD设备的布气系统,找到了在低压情况下用FLUENT软件模拟气场的方法,模拟了反应放电室的压力场和速度场。分析了不同结构的布气方式对气场压力均匀性的影响；并对比了设定的参考点的压力,来对气场中的布气筛结构进行分析改进,以使参考点的压力分布得到改善...
浙江大学硕士论文姚日英PEcVD沉积的氮化硅薄膜热处理性质研究2．1引言第二章文献综述氮化硅薄膜具备良好的光电性质、钝化性能和抗水汽渗透能力，并能有效阻止B、P、Na等杂质的扩散，因此在光电子和微电子器件中得到广泛的应用，主要用来做绝缘层...
PECVD淀积SiO2薄膜工艺研究.pdf,第1期微处理机No．12010年2月MICROPROCESSORSFeb．，2010PECVD淀积SiO2薄膜工艺研究崇亢拮，黎威志，袁凯，蒋亚东(电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室，成都...
去知网搜索一下相关文献，尤其是硕博士论文，一般会讲一些石墨烯方法，我记得以前看过几篇。如果知网…首页会员发现等你来答登录石墨烯材料科学与工程石墨烯CVD法和PECVD法有什么重要的区别哇...
中国科学院上海冶金研究所硕士学位论文等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法碳化硅薄膜及其性质研究姓名：姜利军申请学位级别：硕士专业：材料物理化学指导教师：徐立强1999.12.11伴随着集成电路工艺的迅猛发展，集成电路封装22．艺已经成为影响集成电路芯片的应用范围和可靠性的...
PECVD氮化硅薄膜工艺及性能测试研究.氮化硅薄膜具有优良的光电性能和机械性能,在集成电路、微机械电子、太阳能电池以及显示器件领域都有着广泛的应用。.等离子体增强化学气相沉积(PECVD)因其沉积效率高、薄膜均匀性好且可灵活操作的优势成为...
等离子体增强化学气相沉积（PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition,PECVD）的氮化硅（SiNx）薄膜（以下简称PECVD氮化硅薄膜）是提高太阳能电池光电转换效率的关键,研究PECVD氮化硅薄膜制造过程的质量控制...
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研究PECVD光学薄膜均匀性控制技术,明确光学薄膜过程中均匀性的控制方法,对于采用PECVD技术光学薄膜的应用有着广泛的意义。.本文采用PECVD技术分别在Φ150mm的B270和硅片基底上沉积了光学薄膜,研究了高折射率、中间折射率以及低折射率膜层的光学...
【摘要】：本论文分析了平板式PECVD设备的布气系统,找到了在低压情况下用FLUENT软件模拟气场的方法,模拟了反应放电室的压力场和速度场。分析了不同结构的布气方式对气场压力均匀性的影响；并对比了设定的参考点的压力,来对气场中的布气筛结构进行分析改进,以使参考点的压力分布得到改善...
浙江大学硕士论文姚日英PEcVD沉积的氮化硅薄膜热处理性质研究2．1引言第二章文献综述氮化硅薄膜具备良好的光电性质、钝化性能和抗水汽渗透能力，并能有效阻止B、P、Na等杂质的扩散，因此在光电子和微电子器件中得到广泛的应用，主要用来做绝缘层...
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