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PECVD氮化硅薄膜的研究进展毕业设计（论文）（2013届）题目PECVD氮化硅薄膜的研究进展学号1003020147姓名钟建斌所属系新能源科学与工程学院专业材料及技术应用班级10材料（1）班指导教师胡耐根新余学院...
久，应用也最广泛，但可选的镀膜材料很少。而按薄膜材料的折射率可将薄膜大致分为三类，第一类PECVD技术的薄膜折射率变化范围大，可拓展膜系设计的空间，获取更多特殊功能的光学薄膜或改善是折射率n≤1.46的掺F氧化物薄膜，即低折射率薄膜，典型代表为SiOxFy；第二类是1.46
PECVD镀膜设备的控制系统开发.【摘要】：在现代科学技术与工业生产的发展进程中,真空镀膜技术处于非常重要的地位,往往由于一种新真空镀膜设备的研制或一项新工艺的应用,直接带来巨大的经济效益和社会效益。.等离子体增强化学气相沉积镀膜设备(PECVD)可...
用PECVD技术氧化硅薄膜，研究了生成样品的位置对薄膜成分、结构和性能的影响，探讨了兼具高透光性和耐刮擦性的功能装饰氧化硅薄膜的方法。.结果表明，在阳极位置生成的薄膜具有Si(CH3)nO有机氧化硅结构，在380~780nm波长范围内透光率高达90%~98%...
2.PECVD与薄膜热应力测量介绍2.1PECVD介绍等离子体化学气相沉积(PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition，简称PECVD)是上个世纪70年代末期发展起来的镀膜技术，它是利用辉光放电产生的非平衡等离子体激活反应气体，使之电离，从而获得
pecvd镀膜技术简述.ppt,PECVD镀膜技术简述报告人：姚骞日期：2010-3-9OutlinePECVD技术分类PECVD技术简介PECVD技术比较小结PECVD技术分类直接法和间接法的区分，主要基于激发等离子体是否在腔室内还是在腔室外，如左图所示一般...
PECVD光学氮化硅薄膜均匀性分析研究[J].光学仪器,2014,36(4)364-368,376.LIUHaoxuan,HANGLingxia,XUEJun.StudyonuniformityofsiliconnitrideopticalfilmbyPECVD[J].OpticalInstruments,2014,36(4)364-368,376.
PECVD高阻隔膜镀膜设备的研制.【摘要】：结合等离子体增强化学气相沉积及卷绕设备连续高速传动优点,研发一种在柔性材料表面沉积纳米无机氧化硅高阻隔薄膜,达到有效阻隔氧气、水蒸气的真空镀膜设备。.镀膜设备的整体,保证卷绕系统各传动辊的平行度...
PECVD法富硅氮化硅薄膜及其发光特性研究.【摘要】：晶体硅是能带较窄(Eg=1.12eV)的间接带隙材料,采用纳米技术的多孔硅、纳米硅薄膜、富硅氧化硅、超晶格结构等,通过量子限制效应、缺陷态以及表面态的作用会促进硅基材料的有效发光的有效发光...
本论文结合公司现有的工艺设备条件，采用等离子增强化学气相沉积（PECVDPlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition）方法，利用英国牛津公司的plasmalab80plusPECVD设备对用于激光器掩蔽膜和绝缘膜的氧化硅薄膜沉积工艺进行了研究。
PECVD氮化硅薄膜的研究进展毕业设计（论文）（2013届）题目PECVD氮化硅薄膜的研究进展学号1003020147姓名钟建斌所属系新能源科学与工程学院专业材料及技术应用班级10材料（1）班指导教师胡耐根新余学院...
久，应用也最广泛，但可选的镀膜材料很少。而按薄膜材料的折射率可将薄膜大致分为三类，第一类PECVD技术的薄膜折射率变化范围大，可拓展膜系设计的空间，获取更多特殊功能的光学薄膜或改善是折射率n≤1.46的掺F氧化物薄膜，即低折射率薄膜，典型代表为SiOxFy；第二类是1.46
PECVD镀膜设备的控制系统开发.【摘要】：在现代科学技术与工业生产的发展进程中,真空镀膜技术处于非常重要的地位,往往由于一种新真空镀膜设备的研制或一项新工艺的应用,直接带来巨大的经济效益和社会效益。.等离子体增强化学气相沉积镀膜设备(PECVD)可...
用PECVD技术氧化硅薄膜，研究了生成样品的位置对薄膜成分、结构和性能的影响，探讨了兼具高透光性和耐刮擦性的功能装饰氧化硅薄膜的方法。.结果表明，在阳极位置生成的薄膜具有Si(CH3)nO有机氧化硅结构，在380~780nm波长范围内透光率高达90%~98%...
2.PECVD与薄膜热应力测量介绍2.1PECVD介绍等离子体化学气相沉积(PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition，简称PECVD)是上个世纪70年代末期发展起来的镀膜技术，它是利用辉光放电产生的非平衡等离子体激活反应气体，使之电离，从而获得
pecvd镀膜技术简述.ppt,PECVD镀膜技术简述报告人：姚骞日期：2010-3-9OutlinePECVD技术分类PECVD技术简介PECVD技术比较小结PECVD技术分类直接法和间接法的区分，主要基于激发等离子体是否在腔室内还是在腔室外，如左图所示一般...
PECVD光学氮化硅薄膜均匀性分析研究[J].光学仪器,2014,36(4)364-368,376.LIUHaoxuan,HANGLingxia,XUEJun.StudyonuniformityofsiliconnitrideopticalfilmbyPECVD[J].OpticalInstruments,2014,36(4)364-368,376.
PECVD高阻隔膜镀膜设备的研制.【摘要】：结合等离子体增强化学气相沉积及卷绕设备连续高速传动优点,研发一种在柔性材料表面沉积纳米无机氧化硅高阻隔薄膜,达到有效阻隔氧气、水蒸气的真空镀膜设备。.镀膜设备的整体,保证卷绕系统各传动辊的平行度...
PECVD法富硅氮化硅薄膜及其发光特性研究.【摘要】：晶体硅是能带较窄(Eg=1.12eV)的间接带隙材料,采用纳米技术的多孔硅、纳米硅薄膜、富硅氧化硅、超晶格结构等,通过量子限制效应、缺陷态以及表面态的作用会促进硅基材料的有效发光的有效发光...
本论文结合公司现有的工艺设备条件，采用等离子增强化学气相沉积（PECVDPlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition）方法，利用英国牛津公司的plasmalab80plusPECVD设备对用于激光器掩蔽膜和绝缘膜的氧化硅薄膜沉积工艺进行了研究。
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