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【摘要】：利用金属有机物化学气相沉积技术在具有斜切角度的蓝宝石衬底(0~0.3°)上生长了非故意掺杂GaN薄膜,并采用显微镜、X射线双晶衍射、光荧光及霍尔技术对外延薄膜的表面形貌、晶体质量、光学及电学特性进行了分析。结果表明,采用具有斜切角度的衬底,可以有效改善GaN外延薄膜的表面形貌...
调控衬底斜切角提高LED发光性能。传统的紫外光源一般采用汞蒸气放电的激发态来产生紫外线，有功耗高、发热量大、寿命短、反应慢、存在安全隐患等缺陷。新型深紫外光源则采用LED发光原理，相对传统的汞灯拥有诸多优点。基于宽禁带半导体材料如氮化镓铝的深紫外发光二极管，体积小、效率…
利用金属有机物化学气相沉积技术在具有斜切角度的蓝宝石衬底（0～0．3°）上生长了非故意掺杂GaN薄膜，并采用显微镜、X射线双晶衍射、光荧光及霍尔技术对外延薄膜的表面形貌、晶体质量、光学及电学特性进行了分析。结果...
调控衬底斜切角提高LED发光性能.中国科学技术大学微电子学院孙海定和龙世兵课题组利用蓝宝石衬底斜切角调控量子阱实现三维载流子，在...
当斜切角衬底达到4度时，器件荧光光谱的强度提升了一个数量级，而内量子效率也达到了破纪录的90%以上。此项研究仅依靠衬底的斜切角的调控以及外延生长参数的匹配优化，就有望将紫外LED的发光特性提高到与蓝光LED相媲美的高度，为高功率深紫外LED的大规模应用奠定了实验和理论基…
提供10蓝宝石衬底的斜切角对GaN薄膜特性的影响word文档在线阅读与免费下载，摘要:*蓝宝石衬底的斜切角对GaN薄膜特性的影响(北京工业大学电控学院光电子技术实验室,北京100022)摘要:利用金属有机物化学气相沉积技术在具有斜切角度的蓝宝石衬底(0~0.3)上...
科技论文中字母正斜体及大小写的规范写法一、外文正体正体外文字母大致使用于以下场合：1.1所有计量单位和词头符号计量单位如：m(米)，s(秒)，V(伏)，Ω(欧)，℃(摄氏度)，eV(电子伏)，mol(摩)等;词头如：k(千)，G(吉)，M(兆)等。1.2数学式中的...
调控衬底斜切角提高LED发光性能.本报讯（见习记者杨凡通讯员范琼）中国科学技术大学微电子学院孙海定和龙世兵课题组利用蓝宝石衬底斜切角...
斜切角规格为C偏m面0.5°。该晶圆片向m面偏角为0.46°，向正交的a面偏角为0.03°。晶圆片的晶体晶格通过XRD测量有一个曲率，这是氮化镓晶圆片的一个常见问题。晶格上的曲率会导致晶圆片从一边到另一边的斜切角发生变化。
当斜切角衬底达到4度时，器件荧光光谱的强度提升了一个数量级，而内量子效率也达到了破纪录的90%以上。此项研究仅依靠衬底的斜切角的调控以及外延生长参数的匹配优化，就有望将紫外LED的发光特性提高到与蓝光LED相媲美的高度，为高功率深紫外LED的大规模应用奠定了实验和理论基…
【摘要】：利用金属有机物化学气相沉积技术在具有斜切角度的蓝宝石衬底(0~0.3°)上生长了非故意掺杂GaN薄膜,并采用显微镜、X射线双晶衍射、光荧光及霍尔技术对外延薄膜的表面形貌、晶体质量、光学及电学特性进行了分析。结果表明,采用具有斜切角度的衬底,可以有效改善GaN外延薄膜的表面形貌...
调控衬底斜切角提高LED发光性能。传统的紫外光源一般采用汞蒸气放电的激发态来产生紫外线，有功耗高、发热量大、寿命短、反应慢、存在安全隐患等缺陷。新型深紫外光源则采用LED发光原理，相对传统的汞灯拥有诸多优点。基于宽禁带半导体材料如氮化镓铝的深紫外发光二极管，体积小、效率…
利用金属有机物化学气相沉积技术在具有斜切角度的蓝宝石衬底（0～0．3°）上生长了非故意掺杂GaN薄膜，并采用显微镜、X射线双晶衍射、光荧光及霍尔技术对外延薄膜的表面形貌、晶体质量、光学及电学特性进行了分析。结果...
调控衬底斜切角提高LED发光性能.中国科学技术大学微电子学院孙海定和龙世兵课题组利用蓝宝石衬底斜切角调控量子阱实现三维载流子，在...
当斜切角衬底达到4度时，器件荧光光谱的强度提升了一个数量级，而内量子效率也达到了破纪录的90%以上。此项研究仅依靠衬底的斜切角的调控以及外延生长参数的匹配优化，就有望将紫外LED的发光特性提高到与蓝光LED相媲美的高度，为高功率深紫外LED的大规模应用奠定了实验和理论基…
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科技论文中字母正斜体及大小写的规范写法一、外文正体正体外文字母大致使用于以下场合：1.1所有计量单位和词头符号计量单位如：m(米)，s(秒)，V(伏)，Ω(欧)，℃(摄氏度)，eV(电子伏)，mol(摩)等;词头如：k(千)，G(吉)，M(兆)等。1.2数学式中的...
调控衬底斜切角提高LED发光性能.本报讯（见习记者杨凡通讯员范琼）中国科学技术大学微电子学院孙海定和龙世兵课题组利用蓝宝石衬底斜切角...
斜切角规格为C偏m面0.5°。该晶圆片向m面偏角为0.46°，向正交的a面偏角为0.03°。晶圆片的晶体晶格通过XRD测量有一个曲率，这是氮化镓晶圆片的一个常见问题。晶格上的曲率会导致晶圆片从一边到另一边的斜切角发生变化。
当斜切角衬底达到4度时，器件荧光光谱的强度提升了一个数量级，而内量子效率也达到了破纪录的90%以上。此项研究仅依靠衬底的斜切角的调控以及外延生长参数的匹配优化，就有望将紫外LED的发光特性提高到与蓝光LED相媲美的高度，为高功率深紫外LED的大规模应用奠定了实验和理论基…
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