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本论文利用SilvacoTCAD半导体器件软件,结合硅太阳能电池及三五族半导体器件的实例,建立了针对氮化镓铟太阳能电池的模型,在此基础之上来对不同结构的氮化镓铟太阳能电池进行调试与对比分析,分别对PN型、PIN型及多量子阱(MQWs)型三种氮化
【摘要】：氮镓铟(InxGa1-xN)是非常重要的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料，其发光光谱范围特别广并且可调，常温下其带隙可以在氮化铟(InN)的0.7eV到氮化镓(GaN)的3.4eV之间调节。它的这一独特的能带结构与性质，被广泛用于光电子器件和太阳能电池中。而当InxGa1...
山东师范大学硕士学位论文氮化铟及氮化镓的及特性研究姓名：王福学申请学位级别：硕士专业：微电子学与固体电子学指导教师：薛成山20070410山东师范大学硕士学位论文氮化铟及氮化镓的及特性研究InN是一种十分优越的．V族化合物半导体材料，是当前世界上最先进的半导体材料...
基于非晶硅电池的光伏光热综合利用氮化镓晶体管论文高速开关论文高开关频率论文高频变换器设计论文高频共模噪声干扰论文版权申明：目录由用户fancy19**提供，51papers仅收录目录，作者需要删除请点击这里。
氮化镓，高功率充电器的未来.近几年以来，随着电池的增大，高功率快充成了一个必不可少的卖点，充电协议五花八门，有高通为代表的qc4.0，mtk为代表的mcharge，OV自家的私有协议，以及目前大有一统天下的PD快充，虽然这些协议各有不同，但是有一个特点是...
离子注入氮化镓光致发光研究-粒子物理与原子核物理专业论文.docx,兰州大学硕士学位论文离子注入氮化镓光致发光研究姓名：林德旭申请学位级别：硕士专业：粒子物理与原子核物理指导教师：刘正民20050501原创性声明本人郑重声明：本人所呈交的学位论文，是在导师的指导下进行原创…
可处理1200V高压的新型氮化镓功率器件.最近，麻省理工学院（MIT）、半导体公司IQE、哥伦比亚大学、IBM以及新加坡MIT研究与技术联盟的科研人员展示出一项新型设计，让氮化镓功率器件处理的电压可达1200V。.我们身边随处可见各式各样的功率电子器件，它们...
为何氮化镓技术那么火？小米10Pro已经标配一颗65W功率的USB-C充电器(单买价格99元)，同时小米还发布了旗下第一款采用GaN氮化镓材料的充电器，官方名称“小米GaN充电器Type-C65W”，功率同样65W，但更加小巧。GaN氮化镓是一种广为看好...
区域内氮化镓（GaN）行业营业能力分析序号项目单位指标泓域咨询MACRO/氮化镓（GaN）项目可行性研究报告行业工业增加值万元54397.691.1—同期增加值万元46975.551.2—增长率15.80%行业净利润万元10983.972.1—2016年净利润万元9340
详谈氮化镓充电器的发展趋势及现状-氮化镓（galliumnitride，GaN）是下一代半导体材料，其运行速度比旧式传统硅（Si）技术快了二十倍，并且能够实现高出三倍的功率，用于尖端快速充电器产品时，可以实现远远超过现有产品的性能，在尺寸相同的情况下，输出功率提高了三倍。
本论文利用SilvacoTCAD半导体器件软件,结合硅太阳能电池及三五族半导体器件的实例,建立了针对氮化镓铟太阳能电池的模型,在此基础之上来对不同结构的氮化镓铟太阳能电池进行调试与对比分析,分别对PN型、PIN型及多量子阱(MQWs)型三种氮化
【摘要】：氮镓铟(InxGa1-xN)是非常重要的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料，其发光光谱范围特别广并且可调，常温下其带隙可以在氮化铟(InN)的0.7eV到氮化镓(GaN)的3.4eV之间调节。它的这一独特的能带结构与性质，被广泛用于光电子器件和太阳能电池中。而当InxGa1...
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可处理1200V高压的新型氮化镓功率器件.最近，麻省理工学院（MIT）、半导体公司IQE、哥伦比亚大学、IBM以及新加坡MIT研究与技术联盟的科研人员展示出一项新型设计，让氮化镓功率器件处理的电压可达1200V。.我们身边随处可见各式各样的功率电子器件，它们...
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