发表服务
硕士论文：硅衬底氮化镓生长的研究.华南师范大学硕L学位论：定摘要硅衬底氮化镓生长的研究专业名称：材料物理与化学申请者姓名：曹健兴导师姓名：李述体摘要自20世纪90年代初GaN基LED研制成功以来，随着技术的发展，氮化镓基LED的性能取得了很多突破...
氮化镓材料的MBE生长的研究,氮化镓,氮化镓场效应晶体管,氮化镓晶体管,氮化镓半导体,氮化镓晶体结构,氮化镓上市公司,氮化镓功率器件,氮化镓衬底,氮化镓招聘
氮化镓mocvd生长中气相反应路径的数值模拟研究氮化镓生长,气相反应的,反应路径,氮化镓,研究,MOCVD,数值模拟,氮化镓的l麓写｝独创性声明本人郑重声明：所呈交的学位论文，是本人在导师的指导下，进行研究工作所取得的成果。
氮化镓太赫兹耿氏器件外延生长的研究西安电子科技大学硕士学位论文氮化镓太赫兹耿氏器件外延生长研究作者导师杨林安教授学科微电子学与固体电子学中国西安年月独创性或创新性声明本人声明所呈交的论文是我个人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。
高In组分氮化镓基LED结构设计与生长工艺研究.周泉斌.【摘要】：采用多色LED芯片组合可以提供更优质、更稳定、有良温可调性的“智能化”白光光源,是白光照明未来的方向,在显示和可见光通信等领域也具有良好的应用前景。.但是InGaN材料难于制成高效...
探索性地研究氮化镓在石墨烯上的生长行为。论文主要分如下几章内容详细讨论：第一章：介绍了氮化镓、石墨烯的结构和性质，描述了氮化镓、石墨烯的主要方法[包括：金属有机物化学气相沉积（MOCVD）、化学气相外延（HVPE）和分子束外延（MBE
本文对氮化镓外延生长表层温度在线监测方法做了详细的研究并设计测量仪器实现,主要研究内容如下:(1)分析了各种温度测量方法,根据氮化镓的材料特性选择采用测量近紫外波段热辐射强度方法进行氮化镓表层温度测量。.研究微弱信号的测量方法以及根据信号...
非极性a面GaN材料外延的成核过程及选区生长研究.迭俊珲.【摘要】：非极性氮化镓(GaN)材料因其能够完全避免极化电场的影响,在光电子和电子器件方面展现出了巨大的应用潜力。.由于目前大尺寸GaN衬底的还存在很大的困难,所以主要的研究工作集中于在蓝...
离子注入氮化镓光致发光研究-粒子物理与原子核物理专业论文.docx,兰州大学硕士学位论文离子注入氮化镓光致发光研究姓名：林德旭申请学位级别：硕士专业：粒子物理与原子核物理指导教师：刘正民20050501原创性声明本人郑重声明：本人所呈交的学位论文，是在导师的指导下进行原创…
王超英;麦振洪;陈小龙;李建业;;氮化镓纳米线的及表征[A];第二届全国扫描电子显微学会议论文集[C];2001年7吴昊宇;胥明;郑耿锋;;硫化镉纳米线的螺旋位错驱动的缺陷生长机理[A];中国化学会第28届学术年会第4分会场摘要集[C];2012年
硕士论文：硅衬底氮化镓生长的研究.华南师范大学硕L学位论：定摘要硅衬底氮化镓生长的研究专业名称：材料物理与化学申请者姓名：曹健兴导师姓名：李述体摘要自20世纪90年代初GaN基LED研制成功以来，随着技术的发展，氮化镓基LED的性能取得了很多突破...
氮化镓材料的MBE生长的研究,氮化镓,氮化镓场效应晶体管,氮化镓晶体管,氮化镓半导体,氮化镓晶体结构,氮化镓上市公司,氮化镓功率器件,氮化镓衬底,氮化镓招聘
氮化镓mocvd生长中气相反应路径的数值模拟研究氮化镓生长,气相反应的,反应路径,氮化镓,研究,MOCVD,数值模拟,氮化镓的l麓写｝独创性声明本人郑重声明：所呈交的学位论文，是本人在导师的指导下，进行研究工作所取得的成果。
氮化镓太赫兹耿氏器件外延生长的研究西安电子科技大学硕士学位论文氮化镓太赫兹耿氏器件外延生长研究作者导师杨林安教授学科微电子学与固体电子学中国西安年月独创性或创新性声明本人声明所呈交的论文是我个人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。
高In组分氮化镓基LED结构设计与生长工艺研究.周泉斌.【摘要】：采用多色LED芯片组合可以提供更优质、更稳定、有良温可调性的“智能化”白光光源,是白光照明未来的方向,在显示和可见光通信等领域也具有良好的应用前景。.但是InGaN材料难于制成高效...
探索性地研究氮化镓在石墨烯上的生长行为。论文主要分如下几章内容详细讨论：第一章：介绍了氮化镓、石墨烯的结构和性质，描述了氮化镓、石墨烯的主要方法[包括：金属有机物化学气相沉积（MOCVD）、化学气相外延（HVPE）和分子束外延（MBE
本文对氮化镓外延生长表层温度在线监测方法做了详细的研究并设计测量仪器实现,主要研究内容如下:(1)分析了各种温度测量方法,根据氮化镓的材料特性选择采用测量近紫外波段热辐射强度方法进行氮化镓表层温度测量。.研究微弱信号的测量方法以及根据信号...
非极性a面GaN材料外延的成核过程及选区生长研究.迭俊珲.【摘要】：非极性氮化镓(GaN)材料因其能够完全避免极化电场的影响,在光电子和电子器件方面展现出了巨大的应用潜力。.由于目前大尺寸GaN衬底的还存在很大的困难,所以主要的研究工作集中于在蓝...
离子注入氮化镓光致发光研究-粒子物理与原子核物理专业论文.docx,兰州大学硕士学位论文离子注入氮化镓光致发光研究姓名：林德旭申请学位级别：硕士专业：粒子物理与原子核物理指导教师：刘正民20050501原创性声明本人郑重声明：本人所呈交的学位论文，是在导师的指导下进行原创…
王超英;麦振洪;陈小龙;李建业;;氮化镓纳米线的及表征[A];第二届全国扫描电子显微学会议论文集[C];2001年7吴昊宇;胥明;郑耿锋;;硫化镉纳米线的螺旋位错驱动的缺陷生长机理[A];中国化学会第28届学术年会第4分会场摘要集[C];2012年
发表服务