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为实现上述目的，本发明采用如下技术方案一种氮化镓基器件的湿法腐蚀方法，其步骤包括I)在氮化镓基器件表面淀积保护层2)在所述保护层上涂敷光刻胶，井光刻腐蚀图形；3)刻蚀待腐蚀区域的保护层；4)去除剩余光刻胶；5)对氮化镓基器件在高温条件下进行氧化...
氮化镓光电化学刻蚀机理的研究.【摘要】：宽禁带(3.4eV)的氮化镓(Galliumnitride,GaN)被认为是第三代半导体材料之一,在电子和光电子等领域有着广阔的应用前景;然而,采用传统湿法刻蚀方法难以实现化学性质极为惰性的GaN的高效高质。.近年来研究发现基于...
1赵智彪,李伟,祝向荣,齐鸣,李爱珍;氮化镓光辅助湿法刻蚀后的位错密度估算[J];固体电子学研究与进展;2002年02期2周均铭,陈弘,贾海强;氮化镓基发光二极管产业化中的材料物理问题[J];物理;2002年07期3;北大成功研制出氮化镓基激光二极管[J];光机电信息;2006年10期
湿法刻蚀蓝宝石图形衬底是最早的刻蚀蓝宝石沉底的办法，H3PO4、H2SO4等是通常使用的刻蚀溶液,300~500℃是比较合适的刻蚀温度,溶液混合的比例、溶液的温度、刻蚀的时间等各种因素影响了刻蚀的效果和深度.然而,湿法刻蚀有个弊端，湿法刻蚀不仅仅
GAN相关的刻蚀工艺及其效果的研究[专业：微电子学与固体电子学]（专业）微电子学与固体电子学。声明：知识水坝论文均为可编辑的文本格式PDF，请放心下载使用。需要DOC格式请发豆丁站内信。声明：知识水坝论文均..
湿法刻蚀工艺的应用研究论文.doc,本科毕业设计（论文）PAGE\*MERGEFORMATIIIPAGE\*MERGEFORMATIII本科毕业设计(论文)论文题目：湿法刻蚀工艺的研究摘要通过实习掌握制造集成电路芯片工艺的干+湿法去胶及湿法腐蚀工序的...
本文以在蓝宝石衬底上外延生长的氮化镓（GaN）为原材料,通过光电化学湿法刻蚀、光化学湿法刻蚀、小球模板法刻蚀以及烘干、旋涂、提拉、蒸镀、沉积等半导体材料的工艺方法,初步实现了图形化可控刻蚀GaN的目的,并利用III-V族半导体的优势实现光致发光、光电流响应和表面
Mg掺杂GaN薄膜退火性质及GaN薄膜湿法刻蚀的研究.【摘要】：氮化镓(GaN)及其三元合金(InGaN,AlGaN)具有十分优良的特性,通过调节Ⅲ族元素的比例,其禁带宽度可以从氮化铟(InN)的0.7eV变化至氮化铝(A1N)的6.2eV,覆盖了从红外线、可见光到紫外线的光谱区域,在短波长...
GaN增强型器件的新型两步刻蚀法工艺.2002年D.Buttari报道了一种数字化低损伤的湿法刻蚀AlGaN材料的方法，这本是刻蚀工艺的一次重大创新，但其刻蚀效率过低，一直未能引起工艺界的重视。.本实验所开发的两步刻蚀法早第一步为快速刻蚀，第二步为慢速刻蚀...
论文答辩日期2019-06-04论文提交日期2019-06-28学位授予单位哈尔滨工业大学...对采用碳化硅磨粒研磨后的氮化镓样品刻蚀20分钟后，再进行化学机械抛光，表面粗糙度Sa由77.5nm降低到0.641nm。用光致发光光谱（PL）对样品的亚表面损伤情况进行...
为实现上述目的，本发明采用如下技术方案一种氮化镓基器件的湿法腐蚀方法，其步骤包括I)在氮化镓基器件表面淀积保护层2)在所述保护层上涂敷光刻胶，井光刻腐蚀图形；3)刻蚀待腐蚀区域的保护层；4)去除剩余光刻胶；5)对氮化镓基器件在高温条件下进行氧化...
氮化镓光电化学刻蚀机理的研究.【摘要】：宽禁带(3.4eV)的氮化镓(Galliumnitride,GaN)被认为是第三代半导体材料之一,在电子和光电子等领域有着广阔的应用前景;然而,采用传统湿法刻蚀方法难以实现化学性质极为惰性的GaN的高效高质。.近年来研究发现基于...
1赵智彪,李伟,祝向荣,齐鸣,李爱珍;氮化镓光辅助湿法刻蚀后的位错密度估算[J];固体电子学研究与进展;2002年02期2周均铭,陈弘,贾海强;氮化镓基发光二极管产业化中的材料物理问题[J];物理;2002年07期3;北大成功研制出氮化镓基激光二极管[J];光机电信息;2006年10期
湿法刻蚀蓝宝石图形衬底是最早的刻蚀蓝宝石沉底的办法，H3PO4、H2SO4等是通常使用的刻蚀溶液,300~500℃是比较合适的刻蚀温度,溶液混合的比例、溶液的温度、刻蚀的时间等各种因素影响了刻蚀的效果和深度.然而,湿法刻蚀有个弊端，湿法刻蚀不仅仅
GAN相关的刻蚀工艺及其效果的研究[专业：微电子学与固体电子学]（专业）微电子学与固体电子学。声明：知识水坝论文均为可编辑的文本格式PDF，请放心下载使用。需要DOC格式请发豆丁站内信。声明：知识水坝论文均..
湿法刻蚀工艺的应用研究论文.doc,本科毕业设计（论文）PAGE\*MERGEFORMATIIIPAGE\*MERGEFORMATIII本科毕业设计(论文)论文题目：湿法刻蚀工艺的研究摘要通过实习掌握制造集成电路芯片工艺的干+湿法去胶及湿法腐蚀工序的...
本文以在蓝宝石衬底上外延生长的氮化镓（GaN）为原材料,通过光电化学湿法刻蚀、光化学湿法刻蚀、小球模板法刻蚀以及烘干、旋涂、提拉、蒸镀、沉积等半导体材料的工艺方法,初步实现了图形化可控刻蚀GaN的目的,并利用III-V族半导体的优势实现光致发光、光电流响应和表面
Mg掺杂GaN薄膜退火性质及GaN薄膜湿法刻蚀的研究.【摘要】：氮化镓(GaN)及其三元合金(InGaN,AlGaN)具有十分优良的特性,通过调节Ⅲ族元素的比例,其禁带宽度可以从氮化铟(InN)的0.7eV变化至氮化铝(A1N)的6.2eV,覆盖了从红外线、可见光到紫外线的光谱区域,在短波长...
GaN增强型器件的新型两步刻蚀法工艺.2002年D.Buttari报道了一种数字化低损伤的湿法刻蚀AlGaN材料的方法，这本是刻蚀工艺的一次重大创新，但其刻蚀效率过低，一直未能引起工艺界的重视。.本实验所开发的两步刻蚀法早第一步为快速刻蚀，第二步为慢速刻蚀...
论文答辩日期2019-06-04论文提交日期2019-06-28学位授予单位哈尔滨工业大学...对采用碳化硅磨粒研磨后的氮化镓样品刻蚀20分钟后，再进行化学机械抛光，表面粗糙度Sa由77.5nm降低到0.641nm。用光致发光光谱（PL）对样品的亚表面损伤情况进行...
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