发表服务
3PSS的制作方法及参数表征湿法刻蚀蓝宝石图形衬底是最早的刻蚀蓝宝石沉底的办法，H3PO4、H2SO4等是通常使用的刻蚀溶液,300~500℃是比较合适的刻蚀温度,溶液混合的比例、溶液的温度、刻蚀的时间等各种因素影响了刻蚀的效果和深度.
氮化镓光电化学刻蚀机理的研究.【摘要】：宽禁带(3.4eV)的氮化镓(Galliumnitride,GaN)被认为是第三代半导体材料之一,在电子和光电子等领域有着广阔的应用前景;然而,采用传统湿法刻蚀方法难以实现化学性质极为惰性的GaN的高效高质。.近年来研究发现基于...
1赵智彪,李伟,祝向荣,齐鸣,李爱珍;氮化镓光辅助湿法刻蚀后的位错密度估算[J];固体电子学研究与进展;2002年02期2周均铭,陈弘,贾海强;氮化镓基发光二极管产业化中的材料物理问题[J];物理;2002年07期3;北大成功研制出氮化镓基激光二极管[J];光机电信息;2006年10期
GAN相关的刻蚀工艺及其效果的研究[专业：微电子学与固体电子学]（专业）微电子学与固体电子学。声明：知识水坝论文均为可编辑的文本格式PDF，请放心下载使用。需要DOC格式请发豆丁站内信。声明：知识水坝论文均..
湿法刻蚀工艺的应用研究论文.doc,本科毕业设计（论文）PAGE\*MERGEFORMATIIIPAGE\*MERGEFORMATIII本科毕业设计(论文)论文题目：湿法刻蚀工艺的研究摘要通过实习掌握制造集成电路芯片工艺的干+湿法去胶及湿法腐蚀工序的...
刻蚀工艺技术应用研究分析毕业设计论文.doc,本科毕业设计（论文）PAGE\*MERGEFORMATIII本科毕业设计（论文）摘要在半导体出现在人们的视野中后，就很大的程度上改变了人类的生活和生产。半导体出了在计算机领域应用之外，还广泛的...
氮化镓基增强型HEMT器件与集成电路研究作者简介全思,江西抚州人,生于年。年毕业于西安电子科技大学、获学士学位。年月就读西安电子科技大学攻读硕士,年月提前攻博,年月获西安电子科技大获工学博士学位。
Mg掺杂GaN薄膜退火性质及GaN薄膜湿法刻蚀的研究.【摘要】：氮化镓(GaN)及其三元合金(InGaN,AlGaN)具有十分优良的特性,通过调节Ⅲ族元素的比例,其禁带宽度可以从氮化铟(InN)的0.7eV变化至氮化铝(A1N)的6.2eV,覆盖了从红外线、可见光到紫外线的光谱区域,在短波长...
本文以在蓝宝石衬底上外延生长的氮化镓（GaN）为原材料,通过光电化学湿法刻蚀、光化学湿法刻蚀、小球模板法刻蚀以及烘干、旋涂、提拉、蒸镀、沉积等半导体材料的工艺方法,初步实现了图形化可控刻蚀GaN的目的,并利用III-V族半导体的优势实现光致发光、光电流响应和表面
湿法刻蚀及其均匀性技术探讨.段成龙舒福璋宋伟峰关宏武.【摘要】：湿法刻蚀是化学清洗方法之一,是一种在半导体制造过程中被广泛应用的工艺,具有对器件损伤小、设备简单等特点。.本文介绍了湿法刻蚀工艺的原理、工艺过程以及应用,分析了影响湿法刻...
3PSS的制作方法及参数表征湿法刻蚀蓝宝石图形衬底是最早的刻蚀蓝宝石沉底的办法，H3PO4、H2SO4等是通常使用的刻蚀溶液,300~500℃是比较合适的刻蚀温度,溶液混合的比例、溶液的温度、刻蚀的时间等各种因素影响了刻蚀的效果和深度.
氮化镓光电化学刻蚀机理的研究.【摘要】：宽禁带(3.4eV)的氮化镓(Galliumnitride,GaN)被认为是第三代半导体材料之一,在电子和光电子等领域有着广阔的应用前景;然而,采用传统湿法刻蚀方法难以实现化学性质极为惰性的GaN的高效高质。.近年来研究发现基于...
1赵智彪,李伟,祝向荣,齐鸣,李爱珍;氮化镓光辅助湿法刻蚀后的位错密度估算[J];固体电子学研究与进展;2002年02期2周均铭,陈弘,贾海强;氮化镓基发光二极管产业化中的材料物理问题[J];物理;2002年07期3;北大成功研制出氮化镓基激光二极管[J];光机电信息;2006年10期
GAN相关的刻蚀工艺及其效果的研究[专业：微电子学与固体电子学]（专业）微电子学与固体电子学。声明：知识水坝论文均为可编辑的文本格式PDF，请放心下载使用。需要DOC格式请发豆丁站内信。声明：知识水坝论文均..
湿法刻蚀工艺的应用研究论文.doc,本科毕业设计（论文）PAGE\*MERGEFORMATIIIPAGE\*MERGEFORMATIII本科毕业设计(论文)论文题目：湿法刻蚀工艺的研究摘要通过实习掌握制造集成电路芯片工艺的干+湿法去胶及湿法腐蚀工序的...
刻蚀工艺技术应用研究分析毕业设计论文.doc,本科毕业设计（论文）PAGE\*MERGEFORMATIII本科毕业设计（论文）摘要在半导体出现在人们的视野中后，就很大的程度上改变了人类的生活和生产。半导体出了在计算机领域应用之外，还广泛的...
氮化镓基增强型HEMT器件与集成电路研究作者简介全思,江西抚州人,生于年。年毕业于西安电子科技大学、获学士学位。年月就读西安电子科技大学攻读硕士,年月提前攻博,年月获西安电子科技大获工学博士学位。
Mg掺杂GaN薄膜退火性质及GaN薄膜湿法刻蚀的研究.【摘要】：氮化镓(GaN)及其三元合金(InGaN,AlGaN)具有十分优良的特性,通过调节Ⅲ族元素的比例,其禁带宽度可以从氮化铟(InN)的0.7eV变化至氮化铝(A1N)的6.2eV,覆盖了从红外线、可见光到紫外线的光谱区域,在短波长...
本文以在蓝宝石衬底上外延生长的氮化镓（GaN）为原材料,通过光电化学湿法刻蚀、光化学湿法刻蚀、小球模板法刻蚀以及烘干、旋涂、提拉、蒸镀、沉积等半导体材料的工艺方法,初步实现了图形化可控刻蚀GaN的目的,并利用III-V族半导体的优势实现光致发光、光电流响应和表面
湿法刻蚀及其均匀性技术探讨.段成龙舒福璋宋伟峰关宏武.【摘要】：湿法刻蚀是化学清洗方法之一,是一种在半导体制造过程中被广泛应用的工艺,具有对器件损伤小、设备简单等特点。.本文介绍了湿法刻蚀工艺的原理、工艺过程以及应用,分析了影响湿法刻...
发表服务