发表服务
毕业论文>应用于氮化镓功率器件的负载牵引系统关键技术研究娄萧萧分享于2020-10-1114:39:15.0暂无简介文档格式：.pdf文档页数：74页文档大小：4.26M文档热度...
毕业论文>面向光伏逆变系统的氮化镓功率器件应用研究xuan_lin1987分享于2020-02-0221:58:11.0暂无简介文档格式：.pdf文档页数：141页文档大小：22.17M文档热度...
器件功率相关毕业论文范文.1、应用银低温烧结技术改善基于大尺寸芯片的功率器件的可靠性.2、中国品牌功率器件仍有差距.3、碳化硅新型材料将为功率器件带来全新变化.4、三菱电机投资兴建6英寸晶圆生产线扩大碳化硅功率器件产量.5、IR推出全新300V功率...
毕业论文>氮化镓HEMT器件温度特性研究摘要氮化镓材料作为第三代半导体材料，具有宽禁带、高热导率以及高电子迁移率等特点，广泛应用于高温、高频和大功率等领域。其中，异质结构的AlGaN/GaN的HEMT器件在微波大功率应用方面以及高温领域...
毕业论文>氮化镓一维纳米材料及薄膜的与表征太原理工大学硕士研究生学位论文氮化镓一维纳米材料及薄膜的与表征摘要氮化镓（GaN）是一种优良的直接宽带隙III—V族化合物半导体材料，是当前世界上最先进的半导体材料之一...
70223.毕业论文关键词：发光二极管（LED）；图形化蓝宝石衬底；位错密度；外量子效率；氮化镓.PerformanceanalysisofGaNbasedLEDbasedonpatternedsapphiresubstrate.Abstract:SapphireGraphicSubstrateisessentialforimprovingtheopticalperformanceofGaN-basedLEDs.ThispaperdescribesthePSS...
毕业论文>氮化镓粉末和薄膜的、结构和特性研究G－aN是一种十分优异的宽带隙I．V族化台物半导体材料，是当前世界上最为先进的半导体材料之一，被称为第三代半导体材料。在室温下，由于OaN的禁带宽度为3．4eV，因此其广泛的应用于高...
超薄氮化镓的与微区光电性质研究.程亮亮.【摘要】：氮化镓作为第三代半导体的代表,有着宽禁带、高电子迁移率、高击穿电压等优点,在高温及高频电子器件等领域占据着重要地位。.近几十年来,氮化镓体材料的研究工作不胜枚举,而由于实验上的...
1993年，吴教授加入多伦多大学，组建了智能功率集成电路和半导体器件研究团队，他于1998年和2008年分别晋升为副教授和正教授，他拥有智能功率集成电路和射频领域CMOS技术研发与改进的丰富阅历。任小永…
知乎干货文章推荐：在家使用中国知网免费下载论文的方法如何快速写好一篇毕业论文？论文查重如何做到查重率6%以下？[1]尹旭.缸盖热可靠性工程设计基础问题研究[D].浙江大学,2015.[2]楼建忠.斜插式瓜类…
毕业论文>应用于氮化镓功率器件的负载牵引系统关键技术研究娄萧萧分享于2020-10-1114:39:15.0暂无简介文档格式：.pdf文档页数：74页文档大小：4.26M文档热度...
毕业论文>面向光伏逆变系统的氮化镓功率器件应用研究xuan_lin1987分享于2020-02-0221:58:11.0暂无简介文档格式：.pdf文档页数：141页文档大小：22.17M文档热度...
器件功率相关毕业论文范文.1、应用银低温烧结技术改善基于大尺寸芯片的功率器件的可靠性.2、中国品牌功率器件仍有差距.3、碳化硅新型材料将为功率器件带来全新变化.4、三菱电机投资兴建6英寸晶圆生产线扩大碳化硅功率器件产量.5、IR推出全新300V功率...
毕业论文>氮化镓HEMT器件温度特性研究摘要氮化镓材料作为第三代半导体材料，具有宽禁带、高热导率以及高电子迁移率等特点，广泛应用于高温、高频和大功率等领域。其中，异质结构的AlGaN/GaN的HEMT器件在微波大功率应用方面以及高温领域...
毕业论文>氮化镓一维纳米材料及薄膜的与表征太原理工大学硕士研究生学位论文氮化镓一维纳米材料及薄膜的与表征摘要氮化镓（GaN）是一种优良的直接宽带隙III—V族化合物半导体材料，是当前世界上最先进的半导体材料之一...
70223.毕业论文关键词：发光二极管（LED）；图形化蓝宝石衬底；位错密度；外量子效率；氮化镓.PerformanceanalysisofGaNbasedLEDbasedonpatternedsapphiresubstrate.Abstract:SapphireGraphicSubstrateisessentialforimprovingtheopticalperformanceofGaN-basedLEDs.ThispaperdescribesthePSS...
毕业论文>氮化镓粉末和薄膜的、结构和特性研究G－aN是一种十分优异的宽带隙I．V族化台物半导体材料，是当前世界上最为先进的半导体材料之一，被称为第三代半导体材料。在室温下，由于OaN的禁带宽度为3．4eV，因此其广泛的应用于高...
超薄氮化镓的与微区光电性质研究.程亮亮.【摘要】：氮化镓作为第三代半导体的代表,有着宽禁带、高电子迁移率、高击穿电压等优点,在高温及高频电子器件等领域占据着重要地位。.近几十年来,氮化镓体材料的研究工作不胜枚举,而由于实验上的...
1993年，吴教授加入多伦多大学，组建了智能功率集成电路和半导体器件研究团队，他于1998年和2008年分别晋升为副教授和正教授，他拥有智能功率集成电路和射频领域CMOS技术研发与改进的丰富阅历。任小永…
知乎干货文章推荐：在家使用中国知网免费下载论文的方法如何快速写好一篇毕业论文？论文查重如何做到查重率6%以下？[1]尹旭.缸盖热可靠性工程设计基础问题研究[D].浙江大学,2015.[2]楼建忠.斜插式瓜类…
发表服务