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氮化镓一维纳米材料及薄膜的与表征.太原理工大学硕士研究生学位论文氮化镓一维纳米材料及薄膜的与表征摘要氮化镓（GaN）是一种优良的直接宽带隙III—V族化合物半导体材料，是当前世界上最先进的半导体材料之一。.室温下氮化镓的禁带宽度为3...
西安电子科技大学硕士学位论文氮化镓材料的不同极性面拉曼光谱分析姓名：薛晓咏申请学位级别：硕士专业：微电子学与固体电子学指导教师：郝跃201201摘要摘要氮化镓（GaN）材料由于拥有宽的禁带宽度和高的击穿电场，在高功率和高频器件上有重要的应用。
山东大学硕士学位论文氮化镓光学性质研究及氮化镓基光电探测器性能测试姓名：连传昕申请学位级别：硕士专业：光学工程指导教师：刘骥;李向阳20040320山东大学颐士学位论文摘要氮化镓（GaN）是一种直接宽带隙半导体材料，具有优异的物理和化学性质，是高温、高功率、高频电子...
摘要氮化镓材料作为第三代半导体材料，具有宽禁带、高热导率以及高电子迁移率等特点，广泛应用于高温、高频和大功率等领域。...28西安电子科技大学硕士学位论文XIV3.5.2金刚石材料对AlGaN/GaNHEMT器件直流特性的影响...
硕士论文：硅衬底氮化镓生长的研究.华南师范大学硕L学位论：定摘要硅衬底氮化镓生长的研究专业名称：材料物理与化学申请者姓名：曹健兴导师姓名：李述体摘要自20世纪90年代初GaN基LED研制成功以来，随着技术的发展，氮化镓基LED的性能取得了很多突破...
国防科学技术大学硕士学位论文氮化镓有机化合物气相淀积（GaNMOCVD）设备控制系统研究姓名：胡晓宇申请学位级别：硕士专业：控制工程指导教师：李杰;魏唯20090301国防科学技术大学研究生院工程硕士学位论文GaNMOCVD设备是高...
最新博士论文—《基于氮化镓晶体管高频和快速开关下的效应分析及解决方案研究》摘要第1-6页abstract第6-16页第一章绪论第16-27页1.1研究背景及意义第16-19页
离子注入氮化镓光致发光研究-粒子物理与原子核物理专业论文.docx,兰州大学硕士学位论文离子注入氮化镓光致发光研究姓名：林德旭申请学位级别：硕士专业：粒子物理与原子核物理指导教师：刘正民20050501原创性声明本人郑重声明：本人所呈交的学位论文，是在导师的指导下进行原创…
参考文献[1]李亚君氮化镓、氮化硅纳米材料的与表征山东大学硕士学位论文2010[2]...李栓庆第三代电子材料--氮化镓半导体情报1996[7]张波，陈万军，邓小川等氮化镓功率半导体器件技术固体电子学研究与进展2010[8]...
学习氮化镓（GaN）材料与器件有哪些推荐的书籍？.RongmingChu和Shinohara最近（2019）编辑了一本书III-Nitrideelectronicdevices.内容比较新，值得一读。.如果你将来打算做射频的话，很多细节的地方可以看看Palacios的学生JinwookChung和DongSeupLee的博士论文，有很多关于...
氮化镓一维纳米材料及薄膜的与表征.太原理工大学硕士研究生学位论文氮化镓一维纳米材料及薄膜的与表征摘要氮化镓（GaN）是一种优良的直接宽带隙III—V族化合物半导体材料，是当前世界上最先进的半导体材料之一。.室温下氮化镓的禁带宽度为3...
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摘要氮化镓材料作为第三代半导体材料，具有宽禁带、高热导率以及高电子迁移率等特点，广泛应用于高温、高频和大功率等领域。...28西安电子科技大学硕士学位论文XIV3.5.2金刚石材料对AlGaN/GaNHEMT器件直流特性的影响...
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参考文献[1]李亚君氮化镓、氮化硅纳米材料的与表征山东大学硕士学位论文2010[2]...李栓庆第三代电子材料--氮化镓半导体情报1996[7]张波，陈万军，邓小川等氮化镓功率半导体器件技术固体电子学研究与进展2010[8]...
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