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本论文重点研究以下几个方面：1）SiC单晶锭切割技术由于SiC单晶材料的化学性质稳定和机械硬度大，使得其难度极大，重点对切割工艺参数对其晶片表面质量的影响进行研究。.2）SiC单晶片的研磨工艺通过利用本实验室现有的工艺设备，通过改变其...
1、单晶硅太阳能电池的生产与检测光予小组制作2014/5/251、直拉单晶硅的相关知识2、直拉单晶硅的工艺（一）工艺概述（二）各项工艺步骤的特点3、直拉单晶硅的发展前景一，直拉单晶硅的相关知识硅单晶是一种半导体材料。直拉单晶硅工艺学是研究
3、法具有投料多，生产的单晶直径大，设备自动化程度高，工艺比较简单，生产效率高等优点。因此直拉法生产的单晶硅，占世界单晶硅总量的70%以上。2.单晶硅生产工艺2.1起源与现状1893年法国的实验物理学家E.Becquerel发现液体的光生伏特效应，简称为光
1．2SiC单晶抛光片和表征的研究进展如前所述，SiC单晶的硬度高、脆性大．表面相当耗时并且效率低，因此对SiC单晶抛光片工艺的研究，是其能否广泛应用的重要前提。上世纪90年代咀后，线切割开始应用于半导体材料的切割。
本论文对大直径区熔硅单晶生长技术以及中子辐照硅单晶热处理工艺进行了重点研究。.大直径区熔本征硅单晶的生长难点为热应力导致硅单晶位错过多或开裂、多晶硅棒料化料过程中边缘出现硅刺、以及原始硅单晶径向电阻率分布(railresistivityvariation,简称RRV...
第2章试验材料和方法第43-63页2.1合金材料第43-45页2.2激光增材制造单晶工艺第45-46页2.3组织性能表征第46-49页2.4试验设计第49-50页2.5脉冲激光增材制造代码生成第50-63页2.5.1CNC数控机床控制指令第51-53页2.5.2脉冲激光
高性能单晶铝线材连铸工艺的试验研究,高性能单晶铝线材,连续铸造,工艺参数。在单晶铝连铸技术原理的基础上,分析了单晶连铸过程的主要影响因素,并根据流体力学模型以及传热模型计算了液体金属压力和牵引…
1.5.2单晶组织外延生长机制及其影响因素第30-35页1.5.3激光增材制造单晶合金的枝晶特征第35-38页1.5.4高温合金力学性能第38-41页1.6脉冲激光和连续激光特性第41-42页1.7本文研究目的和主要内容第42-43页第2章试验材料和方法
对于碳化硅单晶材料技术而言主要是由晶体生长技术和晶片的技术共同构成,二者缺一不可。晶片技术是器件生产的重要基础和基本保证,任何具有优异特性的材料只有在成功有效的晶片技术的支持下,才能推进器件工艺的进步。
二维单晶六方氮化硼的外延及其生长机理研究：中国科学院物理研究所博士后王理、北京大学物理学院博士后徐小志、北京大学物理学院博士生乔瑞喜，蔚山国立科技大学张磊宁为论文共同第一作者；北京大学物理学院教授刘开辉，基础科学研究所…
本论文重点研究以下几个方面：1）SiC单晶锭切割技术由于SiC单晶材料的化学性质稳定和机械硬度大，使得其难度极大，重点对切割工艺参数对其晶片表面质量的影响进行研究。.2）SiC单晶片的研磨工艺通过利用本实验室现有的工艺设备，通过改变其...
1、单晶硅太阳能电池的生产与检测光予小组制作2014/5/251、直拉单晶硅的相关知识2、直拉单晶硅的工艺（一）工艺概述（二）各项工艺步骤的特点3、直拉单晶硅的发展前景一，直拉单晶硅的相关知识硅单晶是一种半导体材料。直拉单晶硅工艺学是研究
3、法具有投料多，生产的单晶直径大，设备自动化程度高，工艺比较简单，生产效率高等优点。因此直拉法生产的单晶硅，占世界单晶硅总量的70%以上。2.单晶硅生产工艺2.1起源与现状1893年法国的实验物理学家E.Becquerel发现液体的光生伏特效应，简称为光
1．2SiC单晶抛光片和表征的研究进展如前所述，SiC单晶的硬度高、脆性大．表面相当耗时并且效率低，因此对SiC单晶抛光片工艺的研究，是其能否广泛应用的重要前提。上世纪90年代咀后，线切割开始应用于半导体材料的切割。
本论文对大直径区熔硅单晶生长技术以及中子辐照硅单晶热处理工艺进行了重点研究。.大直径区熔本征硅单晶的生长难点为热应力导致硅单晶位错过多或开裂、多晶硅棒料化料过程中边缘出现硅刺、以及原始硅单晶径向电阻率分布(railresistivityvariation,简称RRV...
第2章试验材料和方法第43-63页2.1合金材料第43-45页2.2激光增材制造单晶工艺第45-46页2.3组织性能表征第46-49页2.4试验设计第49-50页2.5脉冲激光增材制造代码生成第50-63页2.5.1CNC数控机床控制指令第51-53页2.5.2脉冲激光
高性能单晶铝线材连铸工艺的试验研究,高性能单晶铝线材,连续铸造,工艺参数。在单晶铝连铸技术原理的基础上,分析了单晶连铸过程的主要影响因素,并根据流体力学模型以及传热模型计算了液体金属压力和牵引…
1.5.2单晶组织外延生长机制及其影响因素第30-35页1.5.3激光增材制造单晶合金的枝晶特征第35-38页1.5.4高温合金力学性能第38-41页1.6脉冲激光和连续激光特性第41-42页1.7本文研究目的和主要内容第42-43页第2章试验材料和方法
对于碳化硅单晶材料技术而言主要是由晶体生长技术和晶片的技术共同构成,二者缺一不可。晶片技术是器件生产的重要基础和基本保证,任何具有优异特性的材料只有在成功有效的晶片技术的支持下,才能推进器件工艺的进步。
二维单晶六方氮化硼的外延及其生长机理研究：中国科学院物理研究所博士后王理、北京大学物理学院博士后徐小志、北京大学物理学院博士生乔瑞喜，蔚山国立科技大学张磊宁为论文共同第一作者；北京大学物理学院教授刘开辉，基础科学研究所…
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