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本发明涉及高纯半导体材料技术领域，尤其是一种探测器用13N超高纯度的锗单晶的方法和设备。背景技术超高纯锗单晶作为高纯锗核辐射探测器的材料，一个最重要的性能是具有电活性的净杂质浓度要小于2x1010cm。采用通常的半导体材料工艺，把从化学提纯到5-6个9纯度的材料再用常规的…
专利名称：超高纯锗单晶炉拉制装置的制作方法技术领域：本实用新型涉及探测器级的超高纯锗单晶拉制设备，具体是指一种超高纯锗单晶炉拉制装置。背景技术：现有军事国防，科学研究，国民经济各个领域均需要使用高纯锗Y射线、X射线的辐射探测器及其能谱仪进行核辐射的探测，而用高纯锗...
3高纯锗单晶和高纯锗探测器研制进展对高纯锗探测器来说，其原材料纯度为12-13N，对此，要想实现高纯锗探测器的制作，就需要先做好高纯锗单晶的研制。为了实现该目标，从上世纪80年代开始，我国相关单位就已经开展了该方面的尝试，并在...
4英寸VB锗单晶生长技术研究.pdf,--优秀硕士毕业论文，完美PDF格式，可在线免费浏览全文和下载,支持复制编辑,可为大学生本专业本院系本科专科大专和研究生学士硕士相关类学生提供毕业论文范文范例指导,也可为要代写发表职称论文的提供参考！
单晶硅生产工艺及应用的研究毕业论文.单晶硅可以用于二极管级、整流器件级、电路级以及太阳能电池级单晶产品的生产和深制造，其后续产品集成电路和半导体分离器件已广泛应用于各个领域，在军事电子设备中也占有重要地位。.在光伏技术和微小型...
单晶硅太阳能电池的生产与检测光予小组制作20145251直拉单晶硅的相关知识2直拉单晶硅的工艺一工艺概述二各项工艺步骤的特点3直拉单晶硅的发展前景一，直拉单晶硅得力文库网
锗单晶作为脆性材料具有易碎、硬度高等不利于的特点,传统的车削、铣磨等方法不能出符合要求的零部件,因此必须要采用超精密技术来锗单晶。然而,在实际过程中锗单晶的各向异性将导致切削力波动,从而影响到工件已表面粗糙度值。
学位论文作者签名：张五许日期：汐fp年；月，日学位论文作关部门或机构送可以将本学位论等复制手段保存本学位论文属于学位论文作者签日期：加f口年浙江理工大学硕士学位论文锗单晶片的表面化学腐蚀研究摘要锗单晶材料由于性能独特被广泛
本实用新型涉及一种单晶生长炉设备，尤其是直拉法生长高纯锗单晶的单晶炉设备。背景技术直拉法（CZ）又称丘克拉斯基法，是J.丘克拉斯基在1916年首创。优点是晶体被拉出液面不与器壁接触，不受容器限制，因此晶体中应力较小，同时又能防止器壁沾污或接触所可能引起的杂乱晶核而形成多晶…
本发明涉及半导体学科中的锗单晶领域，具体的说，是涉及一种旋转外部加热式高频感应超高纯锗单晶方法及设备。背景技术探测器级的超高纯锗单晶被用来特殊的高纯锗γ射线探测器，并配套上多道分析器可组成γ能谱仪，迄今为止，这种γ探测器仍然是探测γ射线能量分辨率最好的...
本发明涉及高纯半导体材料技术领域，尤其是一种探测器用13N超高纯度的锗单晶的方法和设备。背景技术超高纯锗单晶作为高纯锗核辐射探测器的材料，一个最重要的性能是具有电活性的净杂质浓度要小于2x1010cm。采用通常的半导体材料工艺，把从化学提纯到5-6个9纯度的材料再用常规的…
专利名称：超高纯锗单晶炉拉制装置的制作方法技术领域：本实用新型涉及探测器级的超高纯锗单晶拉制设备，具体是指一种超高纯锗单晶炉拉制装置。背景技术：现有军事国防，科学研究，国民经济各个领域均需要使用高纯锗Y射线、X射线的辐射探测器及其能谱仪进行核辐射的探测，而用高纯锗...
3高纯锗单晶和高纯锗探测器研制进展对高纯锗探测器来说，其原材料纯度为12-13N，对此，要想实现高纯锗探测器的制作，就需要先做好高纯锗单晶的研制。为了实现该目标，从上世纪80年代开始，我国相关单位就已经开展了该方面的尝试，并在...
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单晶硅生产工艺及应用的研究毕业论文.单晶硅可以用于二极管级、整流器件级、电路级以及太阳能电池级单晶产品的生产和深制造，其后续产品集成电路和半导体分离器件已广泛应用于各个领域，在军事电子设备中也占有重要地位。.在光伏技术和微小型...
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锗单晶作为脆性材料具有易碎、硬度高等不利于的特点,传统的车削、铣磨等方法不能出符合要求的零部件,因此必须要采用超精密技术来锗单晶。然而,在实际过程中锗单晶的各向异性将导致切削力波动,从而影响到工件已表面粗糙度值。
学位论文作者签名：张五许日期：汐fp年；月，日学位论文作关部门或机构送可以将本学位论等复制手段保存本学位论文属于学位论文作者签日期：加f口年浙江理工大学硕士学位论文锗单晶片的表面化学腐蚀研究摘要锗单晶材料由于性能独特被广泛
本实用新型涉及一种单晶生长炉设备，尤其是直拉法生长高纯锗单晶的单晶炉设备。背景技术直拉法（CZ）又称丘克拉斯基法，是J.丘克拉斯基在1916年首创。优点是晶体被拉出液面不与器壁接触，不受容器限制，因此晶体中应力较小，同时又能防止器壁沾污或接触所可能引起的杂乱晶核而形成多晶…
本发明涉及半导体学科中的锗单晶领域，具体的说，是涉及一种旋转外部加热式高频感应超高纯锗单晶方法及设备。背景技术探测器级的超高纯锗单晶被用来特殊的高纯锗γ射线探测器，并配套上多道分析器可组成γ能谱仪，迄今为止，这种γ探测器仍然是探测γ射线能量分辨率最好的...
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