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论文查重优惠论文查重开题分析单篇购买文献互助用户中心600VGaN隔离栅驱动关键技术研究...系统设计的难度.因此,在高压高效的应用中耗尽型GaN器件被认为更具吸引力,本文基于耗尽型GaN器件,与传统的Cascode-drive驱动耗尽型器件方案对比,提出...
本论文介绍了耗尽型GaN功率器件的特点及其栅极驱动电路设计的要求,深入分析了传统负压驱动电路中负压产生的原理以及负压电平移位电路的延时,指出了传统负压驱动电路的多电源供电、输出电压范围与耗尽型GaN功率器件栅极驱动不匹配以及负压电平移位
GaN功率开关器件驱动技术的研究与发展.张弘郑介鑫郭建平.【摘要】：以Si材料为基础的传统电力电子功率器件已逐步近其理论极限,难以满足电力电子技术高频化和高功率密度化的发展需求。.与传统的Si器件相比,氮化镓(GaN)器件展现了其在导通电阻和栅极...
优秀硕士学位论文—《GaN功率器件的负压驱动电路研究与设计》摘要第1-6页Abstract第6-10页第一章绪论第10-18页1.1论文背景和意义第10-13页
该论文是中国在ISSCC会议上发表的第一篇关于高压（600V等级）GaN驱动技术的论文。GaN功率器件具有工作频率高、导通电阻小、温度特性好等优点，已成为未来高功率密度电源系统的首选器件。在高功率密度电源系统应用中，如何降低系统EMI噪声和
同样在5kW电机驱动中，由于传统隔离栅极驱动器在高温下光耦的使用寿命短，因此文献[24]设计了适于高温的带隔离的微波驱动半桥栅极驱动器。此驱动采用PGA26C09DV，使得GaN逆变器工作在1MHz时，开关损耗恒为0.9W，效率达到了94%[11]，且在140°的环境温度中也能提供足够的栅极功率。
日前，东南大学电子科学与工程学院孙伟锋教授团队在氮化镓（GaN）功率驱动芯片技术上的最新研究成果成功发表在集成电路设计领域最高级别会议IEEEInternationalSolid-StateCircuitsConference(ISSCC)上。该研究成果为：“A600VGaNActive...
本文首发于公众号【机器学习与生成对抗网络】下述论文已分类打包好！共116篇，事实上仍有一些GAN论文未被包含入内，比如笔者发推文时，又看到一篇《Rotate-and-Render:UnsupervisedPhotorealisticFaceRotatio…
ELECTRONICSCIENCECHINA硕士学位论文MASTERDISSERTATION电子科技大学图标论文题目GaN基HEMT热效应与耐压新结构研究学科专业微电子学与固体电子学201121031014作者姓名副教授分类号密级UDC注1GaN基HEMT热效应与耐压...
摘要：增强型GaN器件凭借着较低的导通电阻、寄生电容以及无反向恢复过程,相比于Si基功率器件,支持更高的开关频率且功率密度更高,在5G通信、PD快充等领域具有显著的优势,近年来得到了广泛的应用。对于高频高功率密度应用中的GaN栅极驱动器,由于GaN器件开关速度很快,驱动器开关节点电压的dV/dt...
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本论文介绍了耗尽型GaN功率器件的特点及其栅极驱动电路设计的要求,深入分析了传统负压驱动电路中负压产生的原理以及负压电平移位电路的延时,指出了传统负压驱动电路的多电源供电、输出电压范围与耗尽型GaN功率器件栅极驱动不匹配以及负压电平移位
GaN功率开关器件驱动技术的研究与发展.张弘郑介鑫郭建平.【摘要】：以Si材料为基础的传统电力电子功率器件已逐步近其理论极限,难以满足电力电子技术高频化和高功率密度化的发展需求。.与传统的Si器件相比,氮化镓(GaN)器件展现了其在导通电阻和栅极...
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该论文是中国在ISSCC会议上发表的第一篇关于高压（600V等级）GaN驱动技术的论文。GaN功率器件具有工作频率高、导通电阻小、温度特性好等优点，已成为未来高功率密度电源系统的首选器件。在高功率密度电源系统应用中，如何降低系统EMI噪声和
同样在5kW电机驱动中，由于传统隔离栅极驱动器在高温下光耦的使用寿命短，因此文献[24]设计了适于高温的带隔离的微波驱动半桥栅极驱动器。此驱动采用PGA26C09DV，使得GaN逆变器工作在1MHz时，开关损耗恒为0.9W，效率达到了94%[11]，且在140°的环境温度中也能提供足够的栅极功率。
日前，东南大学电子科学与工程学院孙伟锋教授团队在氮化镓（GaN）功率驱动芯片技术上的最新研究成果成功发表在集成电路设计领域最高级别会议IEEEInternationalSolid-StateCircuitsConference(ISSCC)上。该研究成果为：“A600VGaNActive...
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摘要：增强型GaN器件凭借着较低的导通电阻、寄生电容以及无反向恢复过程,相比于Si基功率器件,支持更高的开关频率且功率密度更高,在5G通信、PD快充等领域具有显著的优势,近年来得到了广泛的应用。对于高频高功率密度应用中的GaN栅极驱动器,由于GaN器件开关速度很快,驱动器开关节点电压的dV/dt...
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