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中山大学博士学位论文硅衬底GaN基发光二极管设计与外延生长姓名：招瑜申请学位级别：博士专业：光学指导教师：王钢20100430中山大学博士学位论文论文题目：硅衬底GaN基发光二极管设计与外延生长专业：光学博士生：招瑜指导教师：王钢（教授）近年来，作为固体照明的LED光源…
华南师范大学硕士学位论文摘要GaN基发光二极管响应特性研究专业名称：材料物理与化学申请者姓名：苏晨导师姓名：范广涵摘要GaN基LED响应特性为基础催生了诸如：可见光通信技术，商用PMMA光纤光源，以及所产生的高速脉冲光在生化分析、时间分辨率荧光光谱等生物、化学等领域的一系…
摘要:GaN基发光二极管(LED)作为目前固态照明和显示等应用中最核心的器件，在完全发挥材料性能的道路上还存在着一些困难。.针对蓝光LED内量子效率低和白光LED应用中缺乏简易方法的现状，本研究组做出了有意义的富有创新性的工作：提出的宽窄耦合量子...
1李天保;梁建;许并社;;光子晶体提高GaN基LED出光效率的研究进展[J];半导体光电;2010年03期2张剑铭;邹德恕;徐晨;顾晓玲;沈光地;;电极结构优化对大功率GaN基发光二极管性能的影响[J];物理学报;2007年10期3章放;张艺影;;在侧壁形成导热膜的GaN基发光二极管[J];半导体光电;2010年03期
物理学报ActaPhys.Sin.Vol.63,No.20(2014)207304Si(110)和Si(111)衬底上InGaN/GaN蓝光发光二极管刘战辉1)y张李骊1)李庆芳1)张荣2)修向前2)谢自力2)单云3)1)(南京信息工程大学物理与光电工程学院,南京210044)
本论文针对GaN基边发射激光器和发光二极管中存在的发射光谱较宽的问题，开展了光栅外腔激光器和共振腔发光二极管（RCLED）的研究工作，通过对器件的结构设计和性能优化，在器件中均实现了单纵模窄带发射。.论文主要研究内容和结果如下：1.GaN基光栅外...
编辑推荐：本文研究了不同电子阻挡层对GaN基绿光发光二极管的效率影响。采用常规AlGaN、梯度AlGaN、四元AlGaN和三元AlInN电子阻挡层，对每种器件的性能进行了评价。介绍了器件的载流子输运、辐射复合率、静电场、…
GaN基LED具有发光效率高、节能、环保、寿命长、体积小等优点，基于LED的半导体照明被认为是最有可能替代传统照明的新型固态冷光源。.超高效率LED芯片研究已成为微纳制造领域一个重要的研究方向，近年来备受研究人员青睐。.进一步提高GaN基LED芯片的发光...
应版主Popsheng的早期邀请，让我来做个专题。由于事情太忙，姑且拖到春节期间，先开个头，将在近期完成有关的介绍。纳米技术的开发，产业化是最终的目的，本介绍将是纳米技术在传统GaN－LED上的应用。给研究纳米技术的科研工作者一点...
4.1GaN是蓝光LED的基础材料，在MicroLED、紫外激光器中有重要应用1993年，Nichia公司中村修二推出了第一只高亮度GaN蓝光LED，解决了自1962年LED问世以来高效蓝光缺失的问题，1996年又首次在蓝光LED上涂覆黄色荧光粉从而实现白光发射，开启了LED白光照明的新时代。
中山大学博士学位论文硅衬底GaN基发光二极管设计与外延生长姓名：招瑜申请学位级别：博士专业：光学指导教师：王钢20100430中山大学博士学位论文论文题目：硅衬底GaN基发光二极管设计与外延生长专业：光学博士生：招瑜指导教师：王钢（教授）近年来，作为固体照明的LED光源…
华南师范大学硕士学位论文摘要GaN基发光二极管响应特性研究专业名称：材料物理与化学申请者姓名：苏晨导师姓名：范广涵摘要GaN基LED响应特性为基础催生了诸如：可见光通信技术，商用PMMA光纤光源，以及所产生的高速脉冲光在生化分析、时间分辨率荧光光谱等生物、化学等领域的一系…
摘要:GaN基发光二极管(LED)作为目前固态照明和显示等应用中最核心的器件，在完全发挥材料性能的道路上还存在着一些困难。.针对蓝光LED内量子效率低和白光LED应用中缺乏简易方法的现状，本研究组做出了有意义的富有创新性的工作：提出的宽窄耦合量子...
1李天保;梁建;许并社;;光子晶体提高GaN基LED出光效率的研究进展[J];半导体光电;2010年03期2张剑铭;邹德恕;徐晨;顾晓玲;沈光地;;电极结构优化对大功率GaN基发光二极管性能的影响[J];物理学报;2007年10期3章放;张艺影;;在侧壁形成导热膜的GaN基发光二极管[J];半导体光电;2010年03期
物理学报ActaPhys.Sin.Vol.63,No.20(2014)207304Si(110)和Si(111)衬底上InGaN/GaN蓝光发光二极管刘战辉1)y张李骊1)李庆芳1)张荣2)修向前2)谢自力2)单云3)1)(南京信息工程大学物理与光电工程学院,南京210044)
本论文针对GaN基边发射激光器和发光二极管中存在的发射光谱较宽的问题，开展了光栅外腔激光器和共振腔发光二极管（RCLED）的研究工作，通过对器件的结构设计和性能优化，在器件中均实现了单纵模窄带发射。.论文主要研究内容和结果如下：1.GaN基光栅外...
编辑推荐：本文研究了不同电子阻挡层对GaN基绿光发光二极管的效率影响。采用常规AlGaN、梯度AlGaN、四元AlGaN和三元AlInN电子阻挡层，对每种器件的性能进行了评价。介绍了器件的载流子输运、辐射复合率、静电场、…
GaN基LED具有发光效率高、节能、环保、寿命长、体积小等优点，基于LED的半导体照明被认为是最有可能替代传统照明的新型固态冷光源。.超高效率LED芯片研究已成为微纳制造领域一个重要的研究方向，近年来备受研究人员青睐。.进一步提高GaN基LED芯片的发光...
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4.1GaN是蓝光LED的基础材料，在MicroLED、紫外激光器中有重要应用1993年，Nichia公司中村修二推出了第一只高亮度GaN蓝光LED，解决了自1962年LED问世以来高效蓝光缺失的问题，1996年又首次在蓝光LED上涂覆黄色荧光粉从而实现白光发射，开启了LED白光照明的新时代。
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