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基于GAN思想的半监督分类计算机研究.Tag：.本文是一篇计算机论文研究，本文针对半监督学习中的分类问题提出了一种半监督生成式对抗网络算法.该算法首先使用少量的有标签数据训练弱分类器,再利用弱分类器的预测结果来帮助生成式对抗网络模型中的判别...
基于GAN和特征融合的深度感知图像相似性计算方法研究.论文价格：免费论文用途：其他编辑：vicky点击次数：.论文字数：38977论文编号：sb2019111008225728506日期：2019-12-07来源：硕博论文网.Tag：.第1章引言.1.1研究背景及意义.图像相似性是描述图像数据...
以GaN为代表的宽带隙半导体凭借其优良的光电特性,成为集成光子电路中最具研究价值和发展潜力的基础材料。本论文正是基于GaN波导的优点,结合具有光敏特性的掺偶氮苯聚合物,设计并分析了适用于波分复用系统的光波导器件和掺铒GaN波导光放大器。
基于GANs的脑部MRI图像生成方法之软件工程研究.日期：2019-10-31作者：硕博论文网编辑：vicky点击次数：72.论文价格：免费论文论文编号：sb2019092814490228035论文字数：30565所属栏目：软件工程论文.论文地区：论文语种：其他论文用途：其他.Tag：软件...
本论文紧紧围绕高压开关AlGaN/GaNHEMT开展研究工作，主要内容涉及高阻GaN层的生长和测试，DH-HEMT结构材料的设计、生长、测试和器件制作，主要研究成果如下：通过自洽求解薛定谔方程和泊松方程，对HEMT和常规结构的AlGaN/AlN/GaNHEMT进行了模拟。.设计生长了低温...
GaN极性金属局域等离激元Comsol有限元表面润湿性光电响应本文关键词：氮化镓（GaN）表面微纳米结构在界面改性和光电探测领域中的应用出处：《山东大学》2017年博士论文论文类型：学位论文更多相关文章：GaN极性金属局域等离激元Comsol有限元表面润湿性光电响应
两者的区别在于:对GaNHEMT器件而言,PCF散射是导致不同栅电流下Rs变化的主要原因;而对于GaAsPHEMT器件而言,Rs变化与电离施主杂质库仑散射有关。.GaNHEMT器件没有掺杂,不存在杂质库仑散射,其Rs变化原因只能来源于PCF散射。.3.GaNHEMT器件和GaAsPHEMT器件的跨导特性...
将新型结构的AlGaN/GaNHFET器件与常规的方形栅AlGaN/GaNHFET器件特性进行了对比研究,具体研究内容包括:1、开口栅结构对AlGaN/GaNHFET器件阈值电压的影响本论文了栅长60μm、栅宽100μm、栅源、栅漏间距为6μm的中央开口栅结构以及常规
本论文通过缺陷引入、碳基高导电材料的复合以及形貌调控等手段实现GaN材料储锂性能的提升。在此基础上,深入研究了GaN做锂离子电池负极材料的储锂机理和赝电容储锂特性,这将为以GaN为代表的第三代半导体材料在电化学储锂性能方面的应用提供新思路。
艺术学音乐学工商管理美学硕博毕业论文-提高LED外量子效率方法的研究.江苏大学硕士学位论文提高LED外量子效率方法的研究姓名：刘仁杰申请学位级别：硕士专业：光学工程指导教师：王亚伟20100610江苏大学硕士学位论文GaN基LED具有节能、寿命长、体积小等优点，被视为下一代照明器…
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以GaN为代表的宽带隙半导体凭借其优良的光电特性,成为集成光子电路中最具研究价值和发展潜力的基础材料。本论文正是基于GaN波导的优点,结合具有光敏特性的掺偶氮苯聚合物,设计并分析了适用于波分复用系统的光波导器件和掺铒GaN波导光放大器。
基于GANs的脑部MRI图像生成方法之软件工程研究.日期：2019-10-31作者：硕博论文网编辑：vicky点击次数：72.论文价格：免费论文论文编号：sb2019092814490228035论文字数：30565所属栏目：软件工程论文.论文地区：论文语种：其他论文用途：其他.Tag：软件...
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GaN极性金属局域等离激元Comsol有限元表面润湿性光电响应本文关键词：氮化镓（GaN）表面微纳米结构在界面改性和光电探测领域中的应用出处：《山东大学》2017年博士论文论文类型：学位论文更多相关文章：GaN极性金属局域等离激元Comsol有限元表面润湿性光电响应
两者的区别在于:对GaNHEMT器件而言,PCF散射是导致不同栅电流下Rs变化的主要原因;而对于GaAsPHEMT器件而言,Rs变化与电离施主杂质库仑散射有关。.GaNHEMT器件没有掺杂,不存在杂质库仑散射,其Rs变化原因只能来源于PCF散射。.3.GaNHEMT器件和GaAsPHEMT器件的跨导特性...
将新型结构的AlGaN/GaNHFET器件与常规的方形栅AlGaN/GaNHFET器件特性进行了对比研究,具体研究内容包括:1、开口栅结构对AlGaN/GaNHFET器件阈值电压的影响本论文了栅长60μm、栅宽100μm、栅源、栅漏间距为6μm的中央开口栅结构以及常规
本论文通过缺陷引入、碳基高导电材料的复合以及形貌调控等手段实现GaN材料储锂性能的提升。在此基础上,深入研究了GaN做锂离子电池负极材料的储锂机理和赝电容储锂特性,这将为以GaN为代表的第三代半导体材料在电化学储锂性能方面的应用提供新思路。
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