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人工晶体学报››2021,Vol.50››Issue(3):441-446.•研究论文•上一篇下一篇GaN单晶衬底上同质外延界面杂质的研究邵凯恒1,2,夏嵩渊2,3,张育民1,2,4,5,王建峰1,2,4,5,徐科1,2,4,5
南京大学硕士学位论文曹东升：GaN基肖特基二极管的输运和击穿特性研究1．4同质外延GaN器件高质量的GaN体单晶材料和薄膜单晶材料，是研究开发III族氮化物发光器件、电子器件以及保证器件性能和可靠性的前提条件。
六方相GaN的MOCVD外延生长-凝聚态物理专业毕业论文.docx,VIVI四川大学硕士学位论文陈俊六方相GaN的问OCVD外延生长摘要GaN基III族氮化物由于其在从紫外到可见波段高效光电器件制作中的成功应用而成为半导体材料研究领域的前沿课题...
GaN同质衬底的缺乏使得GaN的依旧依靠蓝宝石（Al2O3）、硅（Si）和碳化硅（SiC）等异质外延材料,异质外延不可避免会带来晶格失配和热失配影响晶体质量,进一步影响GaN器件的性能。石墨烯由于层间是范德华作用,石墨烯上外延GaN不仅能消除...
自支撑GaN单晶的HVPE生长及研究.胡海啸.【摘要】：GaN作为第三代半导体材料因其优异的物理化学性能,被广泛应用在短波长光电子器件和高频微波器件等领域。.由于同质GaN衬底的缺乏,大部分的GaN器件均是在异质衬底上外延生长制作而成,然而因为与异质衬...
硅衬底上GaN外延层和AlGaNGaN异质结的MOCVD生长研究--优秀毕业论文研究,层的,异质结,MOCVD,衬底上生长,GaN外延,与衬底,硅衬底,外延生长,和研究
最新博士论文—《高质量非极性a面GaN异质外延的研究》摘要第1-6页abstract第6-15页第1章绪论第15-41页1.1GaN材料概述第15-22页1.1.1引言
XRD,AFM等测试结果表明,虽然外延薄膜是同质生长在氧化镓衬底上,但是外延后薄膜的结晶质量不如单晶衬底,并且外延薄膜具有比较粗糙的表面形貌。随着氧气分压的升高,外延薄膜的摇摆曲线半高宽从198弧秒增加到360弧秒,意味着氧压的升高会使得薄膜的结晶质量变差。
碳化硅外延材料生长及表征技术研究.pdf,--优秀硕士毕业论文，完美PDF格式，可在线免费浏览全文和下载,支持复制编辑,可为大学生本专业本院系本科专科大专和研究生学士硕士相关类学生提供毕业论文范文范例指导,也可为要代写发表职称论文的提供参考！
用HVPE方法同质外延生长GaN,HVPE,LLO,GaN,同质外延,复合衬底。长期以来,GaN材料的生长一直是人们的目标。由于热力学的性质和限制,GaN单晶生长面临着很大的困难。外延方法是研究的...
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XRD,AFM等测试结果表明,虽然外延薄膜是同质生长在氧化镓衬底上,但是外延后薄膜的结晶质量不如单晶衬底,并且外延薄膜具有比较粗糙的表面形貌。随着氧气分压的升高,外延薄膜的摇摆曲线半高宽从198弧秒增加到360弧秒,意味着氧压的升高会使得薄膜的结晶质量变差。
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