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【摘要】：利用氧化增重实验对纯铜的表面氧化性进行研究,分析纯铜的组织和纯度对其氧化性能的影响。结果表明:单晶组织铜氧化速率与晶粒取向有关,单晶铜(100)晶面的氧化速率大于(111)晶面的氧化速率;多晶铜的氧化速率处于单晶铜(100)晶面与(111)晶面氧化速率之间。
毕业论文课题相关文献综述一、单晶铜概述1.单晶铜的特征单晶铜是一种高纯度无氧铜，其整根铜杆仅由一个晶粒组成，不存在晶粒之间产生的晶界（晶界会对通过的信号产生反射和折射，造成信号失真和衰减），因而具有极高...
专利名称：一种连续高纯单晶铜的方法及设备的制作方法技术领域：本发明属于新材料技术领域，涉及一种连续高纯单晶铜的方法及设备。背景技术：高纯铜(指铜的纯度为5N-6N，即99.999%-99.9999%)所含的杂质非常少，因而具有...
单晶铜键合丝的性能研究.【摘要】：近年来众多研究表明:铜键合丝具有良好的电器机械性能和低成本等特点成为替代金丝键合的最佳材料。.适用于低成本、细间距、高引出端元器件封装的铜键合丝得到业内普遍的关注。.本文对采用单晶铜键合...
5、单晶铜线材公认具有优异的信号传输性能，以至于这句话可以写到学术论文的开头作为背景；6、单晶铜线材具有良好的塑性变形能力，论文显示4N单晶铜也要应变0.94时晶体才开始，也就是说，接近拉长了一倍；据此，运输、使用过程中不会有任何
单晶铜线材信号传输方向性差异的分析.pdf,ontheDirectionalDifferenceofStudySignalinCrystalWiresSingleCopperDiscipline：MaterialsProcessingEngineeringStudentSignature：上i一鼍岣SupervisorSignature：\似∽小ABSTRACTbandwidthand...
图4单晶铜的晶面转移和高指数单晶镍箔的表征为了可控的生产所需的高指数面单晶铜箔，本研究提出晶面转移方法复制所得的高指数晶面，从预氧化退火得到的大型单晶铜箔上切下一小片放在另一块多晶铜箔上作为“籽晶”（Seeded），在较高的退火温度下，“籽晶”位置的多晶铜将从顶部同化...
单晶铜具有3大特点：1.纯度高：可达到99.9999％（6N）2.由于有效的减少了晶粒间的晶界使得单晶铜的电阻值比同规格无氧铜降低了8％~13％3.韧性高，由于结晶长度增加，中间无晶界存在，所以金属塑性以及延展性，抗力强度都高于普通铜线7倍。
单晶铜具有3大特点：.1.纯度高：可达到99.9999％（6N）.2.由于有效的减少了晶粒间的晶界使得单晶铜的电阻值比同规格无氧铜降低了8％~13％.3.韧性高，由于结晶长度增加，中间无晶界存在，所以金属塑性以及延展性，抗力强度都高于普通铜线7倍。.单晶铜因...
本研究中，多晶铜箔(厚度25μm，纯度99.8%)使用气相沉积炉(CVD)首先在150-650℃下被氧化1-4h(空气中)，然后在1020℃还原退火3-10h(800cm3/minAr+50cm3/minH2)，在Ar和H2的环境下冷却至室温，最终得到大型单晶铜箔。
【摘要】：利用氧化增重实验对纯铜的表面氧化性进行研究,分析纯铜的组织和纯度对其氧化性能的影响。结果表明:单晶组织铜氧化速率与晶粒取向有关,单晶铜(100)晶面的氧化速率大于(111)晶面的氧化速率;多晶铜的氧化速率处于单晶铜(100)晶面与(111)晶面氧化速率之间。
毕业论文课题相关文献综述一、单晶铜概述1.单晶铜的特征单晶铜是一种高纯度无氧铜，其整根铜杆仅由一个晶粒组成，不存在晶粒之间产生的晶界（晶界会对通过的信号产生反射和折射，造成信号失真和衰减），因而具有极高...
专利名称：一种连续高纯单晶铜的方法及设备的制作方法技术领域：本发明属于新材料技术领域，涉及一种连续高纯单晶铜的方法及设备。背景技术：高纯铜(指铜的纯度为5N-6N，即99.999%-99.9999%)所含的杂质非常少，因而具有...
单晶铜键合丝的性能研究.【摘要】：近年来众多研究表明:铜键合丝具有良好的电器机械性能和低成本等特点成为替代金丝键合的最佳材料。.适用于低成本、细间距、高引出端元器件封装的铜键合丝得到业内普遍的关注。.本文对采用单晶铜键合...
5、单晶铜线材公认具有优异的信号传输性能，以至于这句话可以写到学术论文的开头作为背景；6、单晶铜线材具有良好的塑性变形能力，论文显示4N单晶铜也要应变0.94时晶体才开始，也就是说，接近拉长了一倍；据此，运输、使用过程中不会有任何
单晶铜线材信号传输方向性差异的分析.pdf,ontheDirectionalDifferenceofStudySignalinCrystalWiresSingleCopperDiscipline：MaterialsProcessingEngineeringStudentSignature：上i一鼍岣SupervisorSignature：\似∽小ABSTRACTbandwidthand...
图4单晶铜的晶面转移和高指数单晶镍箔的表征为了可控的生产所需的高指数面单晶铜箔，本研究提出晶面转移方法复制所得的高指数晶面，从预氧化退火得到的大型单晶铜箔上切下一小片放在另一块多晶铜箔上作为“籽晶”（Seeded），在较高的退火温度下，“籽晶”位置的多晶铜将从顶部同化...
单晶铜具有3大特点：1.纯度高：可达到99.9999％（6N）2.由于有效的减少了晶粒间的晶界使得单晶铜的电阻值比同规格无氧铜降低了8％~13％3.韧性高，由于结晶长度增加，中间无晶界存在，所以金属塑性以及延展性，抗力强度都高于普通铜线7倍。
单晶铜具有3大特点：.1.纯度高：可达到99.9999％（6N）.2.由于有效的减少了晶粒间的晶界使得单晶铜的电阻值比同规格无氧铜降低了8％~13％.3.韧性高，由于结晶长度增加，中间无晶界存在，所以金属塑性以及延展性，抗力强度都高于普通铜线7倍。.单晶铜因...
本研究中，多晶铜箔(厚度25μm，纯度99.8%)使用气相沉积炉(CVD)首先在150-650℃下被氧化1-4h(空气中)，然后在1020℃还原退火3-10h(800cm3/minAr+50cm3/minH2)，在Ar和H2的环境下冷却至室温，最终得到大型单晶铜箔。
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