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基于电磁场频域复模式分析方法建立了集成器件的光学仿真模型,分别研究了光栅耦合器、布拉格光栅反射镜、高性能Y分支分束器、非对称传输定向耦合器等器件。. 深入分析了影响复模式分析算法精度的原因,并提出高精度复模式算法。. 本文的主要研究工作及 ...
silvacoTCAD仿真软件的教程，唐龙谷教材-非扫描版本！半导体工艺和器件仿真工具__Silvaco_TCAD_实用教程.pdf 欢迎监督和反馈：小木虫仅提供交流平台，不对该内容负责。 欢迎协助我们监督管理，共同维护互联网健康，违规、侵权举报等事项，请邮件联系 wangxiaodong2@tal.com …
1. TCAD简介1.1. 什么是TCAD随着微电子技术的发展，半导体工艺水平和器件性能不断提升，这其中半导体工艺和器件仿真软件TCAD（Technology Computer Aided Design）的作用功不可没。TCAD是建立在半导体物理基础之上…
使用Sentaurus TCAD软件设计和仿真0.18μmH栅P-Well SOI MOSFET器件,SOI,P-Well MOSFET,H栅,Sentaurus TCAD。绝缘体上硅(Silicon On Insulator,简称SOI)以其独特的材料结构有效克服了体硅材料的不足,使其在能够...
半导体器件仿真论文栏目下面包含有约20篇半导体器件仿真硕士学位论文和博士学位论文，或是相关的硕士博士毕业论文。 进化计算在半导体器件仿真中的应用研[本文46页] 基于光电二极管和光电晶体管探测器的[本文56页] 基于化合物半导体的雪崩光电二极管的[本文69页]
声表面波器件二阶效应PSPICE仿真[J].固体电子学研究与进展,2008,28(4):627-630. 被引量：2 3 莫绍孟..薄膜体声波谐振器的分析与设计[D].昆明理工大学 4 董加和,陈运祥,冷俊林,张显洪,张永川,王岚
器件与工艺仿真平台技术服务. 先进逻辑CMOS平台 (14nm至3nm)工艺开发整合支持。. 新逻辑、存储器结构的先导研究，器件性能预估。. 常规工艺器件建模仿真，紧凑模型建模提参，SPICE电路仿真。. 定制化先进物理模型仿真计算解决方案和技术支持。.
大功率P沟道VDMOS器件设计与工艺仿真. 摘要 作为现代电力电子核心器件之一的P沟道VDMOS（vertical double-diffuse,MOS）器件,一直以来由于应用领域狭窄而并未得到足够的研究。. 以P沟道VDMOS器件为研究对象,为一款击穿电压超过-200V的P沟道VDMOS设计了有源区的元胞结构及 …
求助：CMOS 器件仿真可以投稿的期刊？. CMOS Si FinFET 器件仿真可以投稿的期刊？. 已经知道的有TED，EDL，不过结果一般，想投稿稍微差一些的，不过ME和SSE似乎都对仿真的结果不是很有兴趣，请问有人有相关的推荐么. 回复此楼.
本科毕业论文(设计)题目：Silvaco TCAD基CMOS 器件仿真 学院：物理科学学院 专业： 姓名： 指导教师： 2014 青岛大学毕业论文(设计)任务书 学生姓名:同组学生: 指导教师:下发日期: 2014 MOS场效应晶体管的结构与性能模拟研 摘要：本文主要介绍了 ...
基于电磁场频域复模式分析方法建立了集成器件的光学仿真模型,分别研究了光栅耦合器、布拉格光栅反射镜、高性能Y分支分束器、非对称传输定向耦合器等器件。. 深入分析了影响复模式分析算法精度的原因,并提出高精度复模式算法。. 本文的主要研究工作及 ...
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大功率P沟道VDMOS器件设计与工艺仿真. 摘要 作为现代电力电子核心器件之一的P沟道VDMOS（vertical double-diffuse,MOS）器件,一直以来由于应用领域狭窄而并未得到足够的研究。. 以P沟道VDMOS器件为研究对象,为一款击穿电压超过-200V的P沟道VDMOS设计了有源区的元胞结构及 …
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