发表服务
电子信息与通信工程研究所依托于信息与通信工程一级学科，经过多年的建设和发展，形成了“太赫兹波与微波通信”、“信息功能材料理论与器件”、“无线信号处理与系统测试”和“计算机视觉与人工智 …
GaN基IMPATT二极管太赫兹研究. 【摘要】： 鉴于太赫兹波在天文学、物理学、生物学、材料科学、信息通信、国家安全和军事等诸多领域的广泛应用,而太赫兹辐射源是所有实际应用的基础。. 而现在仍然缺乏低造价、便携式、具备足够输出功率的THz源。. 在此背景 ...
求推荐一个好中的材料类SCI期刊. 作者 无聊0星期天0. 来源: 小木虫 1000 20 举报帖子. +关注. 我的第一篇英文文章从12月份写完一直投到现在，从2区投到4区了，一直都没送审。. 。. 。. 前后投的期刊也有4-5个了。. 文章主要是对一种新的粉末材料的检测，分析不太 ...
2020光学期刊一区二区 影响因子发布（科睿唯安） Lightigo 2020-06-29 23:05:58 2915 收藏 分类专栏： 光学 ... 集成光电子器件 17 篇 KLayout 5篇 科研日记 19篇 论文翻译与解读 1篇 科技写作 5篇 科研进展 半导体激光器 ...
张玉明教授课题组团队 张玉明教授课题组面向国家重大需求、国防科技需要、国际前沿开展基于第三代半导体的新型大功率电力电子器件、微波功率器件、超高速器件、光电器件及其相关电路应用研 …
都来看看八月份的NS上期刊上都发表了那些用到仿真模拟的论文吧！ 先点赞，再收藏，谢谢！ 先点赞，再收藏，谢谢！ 先点赞，再收藏，谢谢！8月1日，在Nature Communications 上发表了一篇仿生学相关论文，题为“用…
半导体器件模拟仿真概述.ppt 201页. 半导体器件模拟仿真概述.ppt. 201页. 内容提供方 ： 317960162. 大小 ： 3.34 MB. 字数 ： 约2.81万字. 发布时间 ： 2018-11-12. 浏览人气 ： 928. 下载次数 ： …
器件与工艺仿真平台技术服务. 先进逻辑CMOS平台 (14nm至3nm)工艺开发整合支持。. 新逻辑、存储器结构的先导研究，器件性能预估。. 常规工艺器件建模仿真，紧凑模型建模提参，SPICE电路仿真。. 定制化先进物理模型仿真计算解决方案和技术支持。.
2)增大pnp型InGaAs/InP HPT中亚集电区的掺杂浓度能增大集电区内的电场,有助于空穴的收集和光生电子-空穴对的分离;降低基区掺杂能降低空穴从发射区到基区的注入势垒高度,减少基区厚度可以减少空穴在基区的复合率,空穴更容易到达集电区;本征层有降低器件
在TCAD仿真时, 除了在SPAD_2的P+有源区和STI之间设置了多晶硅场板外, 两个SPAD器件其他参数的设置都相同. 直径10 μm的P+有源区注入在一个浅P阱中, 结深约为2.2 μm, 峰值浓度约为6 × 10 17 cm –3 , 深N阱在结深1.5 μm处的峰值浓度约为2 × 10 17 cm –3 …
电子信息与通信工程研究所依托于信息与通信工程一级学科，经过多年的建设和发展，形成了“太赫兹波与微波通信”、“信息功能材料理论与器件”、“无线信号处理与系统测试”和“计算机视觉与人工智 …
GaN基IMPATT二极管太赫兹研究. 【摘要】： 鉴于太赫兹波在天文学、物理学、生物学、材料科学、信息通信、国家安全和军事等诸多领域的广泛应用,而太赫兹辐射源是所有实际应用的基础。. 而现在仍然缺乏低造价、便携式、具备足够输出功率的THz源。. 在此背景 ...
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2)增大pnp型InGaAs/InP HPT中亚集电区的掺杂浓度能增大集电区内的电场,有助于空穴的收集和光生电子-空穴对的分离;降低基区掺杂能降低空穴从发射区到基区的注入势垒高度,减少基区厚度可以减少空穴在基区的复合率,空穴更容易到达集电区;本征层有降低器件
在TCAD仿真时, 除了在SPAD_2的P+有源区和STI之间设置了多晶硅场板外, 两个SPAD器件其他参数的设置都相同. 直径10 μm的P+有源区注入在一个浅P阱中, 结深约为2.2 μm, 峰值浓度约为6 × 10 17 cm –3 , 深N阱在结深1.5 μm处的峰值浓度约为2 × 10 17 cm –3 …
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