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天津大学硕士学位论文DRAM原理及工艺流程的研究姓名：吴雨健申请学位级别：硕士专业：微电子及固体电子学指导教师：梁惠来20070501摘要随着资讯科技的快速发展，对半导体记忆体技术的要求也在迅猛增长。
天津大学硕士学位论文DRAM原理及工艺流程的研究姓名：吴雨健申请学位级别：硕士专业：微电子及固体电子学指导教师：梁惠来0070501摘要随着资讯科技的快速发展，对半导体记忆体技术的要求也在迅猛增长。DRAM动态随机存储器由于其集成度高、价格便宜、体积小、耗电省等优点，使其得…
DRAM原理及工艺流程的研究.吴雨健.【摘要】：随着资讯科技的快速发展,对半导体记忆体技术的要求也在迅猛增长。.DRAM(动态随机存储器)由于其集成度高、价格便宜、体积小、耗电省等优点,使其得到了广泛的应用。.需求推动技术进步,近年来DRAM在存取速度的...
优秀硕士论文库—《DRAM器件制造的新工艺和电性测试参数的分析》中文摘要第1-4页ABSTRACT第4-7页第一章DRAM器件的基本介绍第7-11页·前言
复旦大学工程硕士学位论文2．1CVD工艺概述及其原理2．1．1CVD工艺概述第二章背景知识化学气相沉积（简称CVD），是指一种或多种气体物质，在反应腔体内被某种方式激活，使反应气体中的某些成分分解或发生化学反应，并在衬底表面形成
优秀硕士学位论文—《CMOS工艺中提高DRAM保持时间的研究》摘要第1-4页Abstract第4-5页前言第5-6页第一章DRAM的应用、发展状况及工作原理
DRAM器件制造的新工艺和电性测试参数的分析—硕士博士毕业论文学位论文下载您当前正在查看的论文是：论文编号：XW638144论文题目：DRAM器件制造的新工艺和电性测试参数的分析论文分类：工业技术论文→自动化技术、计算机技术论文→计算技术、计算机技术论文→电子数字计算机（不连续作用...
毕业论文：SDRAM内存控制器研究摘要随着通用CPU迈向多核时代、视频处理ASIC迈向高清时代，存储器性能对系统整体性能的影响越来越大。然而由于工艺限制，DRAM的核心频率难以超过300MHz，各种旨在提高数据吞吐率的DRAM接口...
一个正常的40nm工艺，一个6T（6transistors）的SRAM面积是150*0.04*0.04=0.24um2/SRAM。所以如果我们需要一个1Mb的SRAM，面积是1M*0.24um2=0.24mm2,也就是大概0.5mm*0.5mm。前天项目周会的时候，一位同事一顿猛…
本文是基于Ad106微米标准CMOS工艺设计的，测试结果表明，设计的振荡电路符合DRAM刷新要求。关键词：DRAM刷新；PTAT；电流饥饿；VCO西南交通大学硕士研究生学位论文第1I页AbstractWiththerapidlydevelopmentofintegr。
天津大学硕士学位论文DRAM原理及工艺流程的研究姓名：吴雨健申请学位级别：硕士专业：微电子及固体电子学指导教师：梁惠来20070501摘要随着资讯科技的快速发展，对半导体记忆体技术的要求也在迅猛增长。
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DRAM原理及工艺流程的研究.吴雨健.【摘要】：随着资讯科技的快速发展,对半导体记忆体技术的要求也在迅猛增长。.DRAM(动态随机存储器)由于其集成度高、价格便宜、体积小、耗电省等优点,使其得到了广泛的应用。.需求推动技术进步,近年来DRAM在存取速度的...
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本文是基于Ad106微米标准CMOS工艺设计的，测试结果表明，设计的振荡电路符合DRAM刷新要求。关键词：DRAM刷新；PTAT；电流饥饿；VCO西南交通大学硕士研究生学位论文第1I页AbstractWiththerapidlydevelopmentofintegr。
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