首页»硕士论文»基于标准CMOS工艺的纯逻辑非挥发性存储器关键技术研究基于标准CMOS工艺的纯逻辑非挥发性存储器关键技术研究作者:师大云端图书馆时间:2021-10-30分类:硕士论文…
东南大学硕士学位论文CMOS工艺兼容电容式相对湿度传感器的设计姓名顾磊申请学位级别硕士专业微电子与固体电子学指导教师黄庆安秦明20040325摘要本文给出了一种新型的湿度传感器它利用标准的工艺技术制造。具有工艺的一些共同的优点...
湖南大学硕士学位论文基于018μmCMOS工艺的高性能上混频器设计姓名万求真申请学位级别硕士专业信息与通信工程指导教师王春华20100517摘要近十几年来随着工艺的不断发展高速发展的射频无线通信技术被广泛地应用在社会的各个领域中吸引...
西安电子科技大学硕士学位论文基于标准CMOS工艺的OTP存储器的设计与研究姓名:马飞申请学位级别:硕士专业:微电子学与固体电子学指导教师:刘红侠20090101摘要摘要在ASIC电路设计中,经常会需要一些低成本低密度的非易失性存储器件,但是工艺的复杂性阻碍了传统的非易失性存储…
重庆大学硕士学位论文新型CMOS图像传感器的研究姓名:林聚承申请学位级别:硕士专业:仪器科学与技术指导教师:袁祥辉20060401重庆大学硕士学位论文中文摘要CMOS图像传感器在工业、交通、多媒体、医学等领域有着广泛的应用。
(毕业论文)CMOS工艺下微压力传感器研究.docx,CMOS工艺下微压力传感器研究摘要CMOS结合MEMS制作的压力传感器容易在芯片上集成,且具有体积小、功耗低、性能高等优点。本文研究了一种基于CMOS工艺与MEMS工艺结合制造的微压力传感...
黑龙江大学硕士学位论文CMOS器件模型与工作特性器件模型是可以说明在电路设计时各部分电路元件特性的模型,只有熟练先掌握了这些模型,才能在进行集成电路设计时使用CMOS技术。电路原理图、数学表达式或图表都可以用来描述这些模型。
根据设计方案,本文基于65-nmCMOS工艺设计了一款具有高转换增益的140GHz四倍频电路,主要工作包括两个二倍频电路和驱动放大器的设计。该电路通过一个60~80GHz的二倍频电路和120~160GHz的二倍频电路级联实现四倍频功能,且二倍频电路均采用具有基波抑制功能的单平衡结构。
65nmCMOS工艺10Gbs全速率CDR电路设计.AbstractAbstractClockDataRecoverycircuitskeycomponentsintegratedcircuitsopticalcommunicationsimportantroleopticaltransmissionnetworks.WithCMOStechnologythefeaturefrequencyincreased,whichmakesdesignhigh—speedCDRcircuitsbasedstandardCMOStechnology.Firstlythebasic...
南京理工大学硕士学位论文基于CMOS工艺的射频功率放大器的设计姓名:于海燕申请学位级别:硕士专业:电路与系统指导教师:吴明赞20080615f硕士论文基于CMOS工艺的射频功率放人器的设计摘要这篇论文以射频发射机末端的功率放大器为研究对象,根据...
首页»硕士论文»基于标准CMOS工艺的纯逻辑非挥发性存储器关键技术研究基于标准CMOS工艺的纯逻辑非挥发性存储器关键技术研究作者:师大云端图书馆时间:2021-10-30分类:硕士论文…
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西安电子科技大学硕士学位论文基于标准CMOS工艺的OTP存储器的设计与研究姓名:马飞申请学位级别:硕士专业:微电子学与固体电子学指导教师:刘红侠20090101摘要摘要在ASIC电路设计中,经常会需要一些低成本低密度的非易失性存储器件,但是工艺的复杂性阻碍了传统的非易失性存储…
重庆大学硕士学位论文新型CMOS图像传感器的研究姓名:林聚承申请学位级别:硕士专业:仪器科学与技术指导教师:袁祥辉20060401重庆大学硕士学位论文中文摘要CMOS图像传感器在工业、交通、多媒体、医学等领域有着广泛的应用。
(毕业论文)CMOS工艺下微压力传感器研究.docx,CMOS工艺下微压力传感器研究摘要CMOS结合MEMS制作的压力传感器容易在芯片上集成,且具有体积小、功耗低、性能高等优点。本文研究了一种基于CMOS工艺与MEMS工艺结合制造的微压力传感...
黑龙江大学硕士学位论文CMOS器件模型与工作特性器件模型是可以说明在电路设计时各部分电路元件特性的模型,只有熟练先掌握了这些模型,才能在进行集成电路设计时使用CMOS技术。电路原理图、数学表达式或图表都可以用来描述这些模型。
根据设计方案,本文基于65-nmCMOS工艺设计了一款具有高转换增益的140GHz四倍频电路,主要工作包括两个二倍频电路和驱动放大器的设计。该电路通过一个60~80GHz的二倍频电路和120~160GHz的二倍频电路级联实现四倍频功能,且二倍频电路均采用具有基波抑制功能的单平衡结构。
65nmCMOS工艺10Gbs全速率CDR电路设计.AbstractAbstractClockDataRecoverycircuitskeycomponentsintegratedcircuitsopticalcommunicationsimportantroleopticaltransmissionnetworks.WithCMOStechnologythefeaturefrequencyincreased,whichmakesdesignhigh—speedCDRcircuitsbasedstandardCMOStechnology.Firstlythebasic...
南京理工大学硕士学位论文基于CMOS工艺的射频功率放大器的设计姓名:于海燕申请学位级别:硕士专业:电路与系统指导教师:吴明赞20080615f硕士论文基于CMOS工艺的射频功率放人器的设计摘要这篇论文以射频发射机末端的功率放大器为研究对象,根据...