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DRAM原理及工艺流程的研究硕士论文.天津大学硕士学位论文DRAM原理及工艺流程的研究姓名：吴雨健申请学位级别：硕士专业：微电子及固体电子学指导教师：梁惠来20070501摘要随着资讯科技的快速发展，对半导体记忆体技术的要求也在迅猛增长。.DRAM...
DRAM原理及工艺流程的研究.吴雨健.【摘要】：随着资讯科技的快速发展,对半导体记忆体技术的要求也在迅猛增长。.DRAM(动态随机存储器)由于其集成度高、价格便宜、体积小、耗电省等优点,使其得到了广泛的应用。.需求推动技术进步,近年来DRAM在存取速度的...
本篇论文旨在通过对DRAM器件的基本结构，工作原理，晶圆前段和封装后段制造工艺，电性测试的分析，从而着重介绍目前一些主要的DRAM制造过程中的新工艺藉以阐述DRAM器件今后的发展方向，并且对其电性测试的主要参数作以深入而详细的论述，进而从工程...
硕士博士毕业论文—DRAM器件制造的新工艺和电性测试参数的分析中文摘要第1-4页ABSTRACT第4-7页第一章DRAM器件的基本介绍第7-11页·前言
DRAM器件制造的新工艺和电性测试参数的分析—硕士毕业论文下载.DRAM器件制造的新工艺和电性测试参数的分析.论文目录.中文摘要.第1-4页.ABSTRACT.
该论文指出，DRAM处理阈值电压比逻辑处理阈值电压高约40％。可以不同数量地掺杂不同的晶体管，但这增加了工艺复杂度。片上互连。DRAM设计非常有规律，涉及许多平行线，交叉很少。逻辑设计需要更多的复杂性。结果，DRAM工艺不支持与逻辑工艺
一个正常的40nm工艺，一个6T（6transistors）的SRAM面积是150*0.04*0.04=0.24um2/SRAM。所以如果我们需要一个1Mb的SRAM，面积是1M*0.24um2=0.24mm2,也就是大概0.5mm*0.5mm。前天项目周会的时候，一位同事一顿猛…
存储器工艺领先于逻辑，这是老黄历了，目前逻辑上大家在升10nm，NANDflash最领先厂家在做15nm，DRAM还停留在20nm以上。逻辑芯片的工艺已经反超存储器了。
图1.SeDRAM技术流程示意图紫光国芯在论文中介绍了SeDRAM平台的实现流程（如图1）：首先，流片生产不同工艺下的DRAM存储晶圆（DRAMWafer）和搭载有外围电路的逻辑晶圆（LogicWafer），并通过平坦化、曝光和刻蚀等异质集成工艺，在两张晶圆上...
优秀硕士学位论文—《CMOS工艺中提高DRAM保持时间的研究》摘要第1-4页Abstract第4-5页前言第5-6页第一章DRAM的应用、发展状况及工作原理
DRAM原理及工艺流程的研究硕士论文.天津大学硕士学位论文DRAM原理及工艺流程的研究姓名：吴雨健申请学位级别：硕士专业：微电子及固体电子学指导教师：梁惠来20070501摘要随着资讯科技的快速发展，对半导体记忆体技术的要求也在迅猛增长。.DRAM...
DRAM原理及工艺流程的研究.吴雨健.【摘要】：随着资讯科技的快速发展,对半导体记忆体技术的要求也在迅猛增长。.DRAM(动态随机存储器)由于其集成度高、价格便宜、体积小、耗电省等优点,使其得到了广泛的应用。.需求推动技术进步,近年来DRAM在存取速度的...
本篇论文旨在通过对DRAM器件的基本结构，工作原理，晶圆前段和封装后段制造工艺，电性测试的分析，从而着重介绍目前一些主要的DRAM制造过程中的新工艺藉以阐述DRAM器件今后的发展方向，并且对其电性测试的主要参数作以深入而详细的论述，进而从工程...
硕士博士毕业论文—DRAM器件制造的新工艺和电性测试参数的分析中文摘要第1-4页ABSTRACT第4-7页第一章DRAM器件的基本介绍第7-11页·前言
DRAM器件制造的新工艺和电性测试参数的分析—硕士毕业论文下载.DRAM器件制造的新工艺和电性测试参数的分析.论文目录.中文摘要.第1-4页.ABSTRACT.
该论文指出，DRAM处理阈值电压比逻辑处理阈值电压高约40％。可以不同数量地掺杂不同的晶体管，但这增加了工艺复杂度。片上互连。DRAM设计非常有规律，涉及许多平行线，交叉很少。逻辑设计需要更多的复杂性。结果，DRAM工艺不支持与逻辑工艺
一个正常的40nm工艺，一个6T（6transistors）的SRAM面积是150*0.04*0.04=0.24um2/SRAM。所以如果我们需要一个1Mb的SRAM，面积是1M*0.24um2=0.24mm2,也就是大概0.5mm*0.5mm。前天项目周会的时候，一位同事一顿猛…
存储器工艺领先于逻辑，这是老黄历了，目前逻辑上大家在升10nm，NANDflash最领先厂家在做15nm，DRAM还停留在20nm以上。逻辑芯片的工艺已经反超存储器了。
图1.SeDRAM技术流程示意图紫光国芯在论文中介绍了SeDRAM平台的实现流程（如图1）：首先，流片生产不同工艺下的DRAM存储晶圆（DRAMWafer）和搭载有外围电路的逻辑晶圆（LogicWafer），并通过平坦化、曝光和刻蚀等异质集成工艺，在两张晶圆上...
优秀硕士学位论文—《CMOS工艺中提高DRAM保持时间的研究》摘要第1-4页Abstract第4-5页前言第5-6页第一章DRAM的应用、发展状况及工作原理
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