本论文以实际生产为基础,通过对CVD工艺的具体过程、生产设备及操作的分析,对实际生产中硅片质量检测数据的分析以及具体的对比实验,对工艺中出现的硅片表面颗粒问题进行了深入的研究分析。针对CVD工艺中出现的表面颗粒问题做了一...
Seminar1化学气相沉积(CVD)原理及其薄膜程士敏.研究员Seminar(CVD)2008.05.27CVD原理定义气态物种输运沉积过程热力学和动力学CVD技术分类CVD薄膜CVD技术的优缺点孟广耀,化学气相淀积与无机新材料,北京:科学出版社,1984气态源液态源固态源...
硕士论文答辩—《HDPCVD工艺的应用与改善》摘要第1-5页ABSTRACT第5-8页前言第8-11页第一章化学气相淀积(CVD)介绍第11-21页
dcvdhdp工艺在半导体制造中的应用和改善word格式论文.docx,DCVDHDP工艺在半导体制造中的应用和改善摘要本课题主要以介电质化学气相淀积(DCVD)工艺为基础,以高密度等离子体CVD(HDPCVD)作为研究对象,对其中出现的浅沟槽绝缘层钥匙孔...
顾名思义,化学气相沉积(CVD)就是通过气体混合的化学反应在晶圆表面淀积一层固体膜的工艺,这是常在半导体制程中使用的技术。CVD技术具有淀积温度低(500℃~1100℃)、薄膜成分与厚度易控、膜厚遇淀积时间成正比、均匀性与重复性…
PECVD淀积SiO2薄膜工艺研究.pdf,第1期微处理机No.12010年2月MICROPROCESSORSFeb.,2010PECVD淀积SiO2薄膜工艺研究崇亢拮,黎威志,袁凯,蒋亚东(电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都...
因此,大面积高质量双层石墨烯的工艺以及快速、简便且低廉的石墨烯表征技术是当前石墨烯的大规模生产迫切需要的,为在多领域内(如电子信息、生命科学、航空航天、军事防卫等)拓展石墨烯的应用提供了技术支持及物质保障。.本论文以CVD铜基石墨烯为...
氮化硼涂层的CVD工艺研究.【摘要】:氮化硼(BN)具有较好的抗氧化性、抗热震性和化学稳定性,并且具有与石墨相似的六方片层结构,是纤维增韧陶瓷基复合材料(CMCs)中界面材料的首选,用于改善复合材料的热稳定性和力学性能。.在众多BN界面涂层的方法...
用CVD法碳纳米管的关键是催化剂的和选择。.没有催化剂的作用,是不可能出碳纳米管的。.所以,高催化活性和高选择性的催化剂就成为生产高纯碳纳米管的关键。.本课题主要研究了碳纳米管催化剂的工艺,包括工艺过程、配料比、沉淀...
·论文的主要内容第16页·论文的章节安排第16-17页第二章DCVDHDP工艺原理和淀积设备第17-29页2.1CVDHDP工艺概述及其原理第17-26页2.1.1HDP工艺的基础:CVD工艺概述第17页2.1.2CVD工艺原理第17
本论文以实际生产为基础,通过对CVD工艺的具体过程、生产设备及操作的分析,对实际生产中硅片质量检测数据的分析以及具体的对比实验,对工艺中出现的硅片表面颗粒问题进行了深入的研究分析。针对CVD工艺中出现的表面颗粒问题做了一...
Seminar1化学气相沉积(CVD)原理及其薄膜程士敏.研究员Seminar(CVD)2008.05.27CVD原理定义气态物种输运沉积过程热力学和动力学CVD技术分类CVD薄膜CVD技术的优缺点孟广耀,化学气相淀积与无机新材料,北京:科学出版社,1984气态源液态源固态源...
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顾名思义,化学气相沉积(CVD)就是通过气体混合的化学反应在晶圆表面淀积一层固体膜的工艺,这是常在半导体制程中使用的技术。CVD技术具有淀积温度低(500℃~1100℃)、薄膜成分与厚度易控、膜厚遇淀积时间成正比、均匀性与重复性…
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因此,大面积高质量双层石墨烯的工艺以及快速、简便且低廉的石墨烯表征技术是当前石墨烯的大规模生产迫切需要的,为在多领域内(如电子信息、生命科学、航空航天、军事防卫等)拓展石墨烯的应用提供了技术支持及物质保障。.本论文以CVD铜基石墨烯为...
氮化硼涂层的CVD工艺研究.【摘要】:氮化硼(BN)具有较好的抗氧化性、抗热震性和化学稳定性,并且具有与石墨相似的六方片层结构,是纤维增韧陶瓷基复合材料(CMCs)中界面材料的首选,用于改善复合材料的热稳定性和力学性能。.在众多BN界面涂层的方法...
用CVD法碳纳米管的关键是催化剂的和选择。.没有催化剂的作用,是不可能出碳纳米管的。.所以,高催化活性和高选择性的催化剂就成为生产高纯碳纳米管的关键。.本课题主要研究了碳纳米管催化剂的工艺,包括工艺过程、配料比、沉淀...
·论文的主要内容第16页·论文的章节安排第16-17页第二章DCVDHDP工艺原理和淀积设备第17-29页2.1CVDHDP工艺概述及其原理第17-26页2.1.1HDP工艺的基础:CVD工艺概述第17页2.1.2CVD工艺原理第17