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首页»硕士论文»基于标准CMOS工艺的纯逻辑非挥发性存储器关键技术研究基于标准CMOS工艺的纯逻辑非挥发性存储器关键技术研究作者：师大云端图书馆时间：2021-10-30分类：硕士论文…
基于CMOS工艺的射频功率放大器的设计-这篇论文以射频发射机末端的功率放大器为研究对象,根据无线局域网的802.11a标准,应用Agilent公司的ADS电路软件,进行功率放大器的设计与模拟。首先,在系统分析功率放大器的结构、设计原理、...
最新博士论文—《40纳米CMOS器件的应变技术与器件工艺研究》摘要第1-6页Abstract第6-11页第一章绪论第11-26页1.1研究背景第11-13页1.2国内外研究现状
基于标准CMOS工艺的非易失性存储器的研究,非易失性存储器,标准CMOS工艺,热电子注入,福乐-诺德汉穿隧。在ASIC电路设计中,经常会需要一些低成本低密度的非易失性存储器件,但是工艺的复杂性阻碍了传统的非易失性存储器件嵌入到C...
基于035um混合信号CMOS工艺的12位、100ksps+SAR+ADC的设计与实现论文论文,设计,基于,CMOS,设计实现,ADC,SAR,混合信号,cmos,ADC设计
65nmCMOS工艺10Gbs全速率CDR电路设计.AbstractAbstractClockDataRecoverycircuitskeycomponentsintegratedcircuitsopticalcommunicationsimportantroleopticaltransmissionnetworks．WithCMOStechnologythefeaturefrequencyincreased，whichmakesdesignhigh—speedCDRcircuitsbasedstandardCMOStechnology．Firstlythebasic...
（毕业论文）CMOS工艺下微压力传感器研究.docx,CMOS工艺下微压力传感器研究摘要CMOS结合MEMS制作的压力传感器容易在芯片上集成，且具有体积小、功耗低、性能高等优点。本文研究了一种基于CMOS工艺与MEMS工艺结合制造的微压力传感...
高压CMOS电路的设计及制造工艺研究-介绍了一种与常规CMOS电路兼容的高压CMOS电路版图设计及工艺技术。在该技术中采用了非自对准的场区掺杂,增加场区掺杂浓度,轻掺杂满区以形成漂移区等...
1996年IMEC的BartDierickx等人[27]研制成功(20482048)元CMOS对数像素图像传感器，像元间距7.5μm，采用0.CMOS工艺。1.2.3数字图像传感器随着CMOS工艺的发展，近几年来CMOS数字图像传感器得到迅速的发展。CMOS数字图像传感器在片内对信号
CMOS图像传感器后段先进工艺制程，范洋洋，，本文研究基于55纳米CMOS制造工艺发展出来的CMOS图像传感器(CMOSImageSensor,CIS)的生产工艺，对后段工艺进行了优化改良以提高成像效…
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基于CMOS工艺的射频功率放大器的设计-这篇论文以射频发射机末端的功率放大器为研究对象,根据无线局域网的802.11a标准,应用Agilent公司的ADS电路软件,进行功率放大器的设计与模拟。首先,在系统分析功率放大器的结构、设计原理、...
最新博士论文—《40纳米CMOS器件的应变技术与器件工艺研究》摘要第1-6页Abstract第6-11页第一章绪论第11-26页1.1研究背景第11-13页1.2国内外研究现状
基于标准CMOS工艺的非易失性存储器的研究,非易失性存储器,标准CMOS工艺,热电子注入,福乐-诺德汉穿隧。在ASIC电路设计中,经常会需要一些低成本低密度的非易失性存储器件,但是工艺的复杂性阻碍了传统的非易失性存储器件嵌入到C...
基于035um混合信号CMOS工艺的12位、100ksps+SAR+ADC的设计与实现论文论文,设计,基于,CMOS,设计实现,ADC,SAR,混合信号,cmos,ADC设计
65nmCMOS工艺10Gbs全速率CDR电路设计.AbstractAbstractClockDataRecoverycircuitskeycomponentsintegratedcircuitsopticalcommunicationsimportantroleopticaltransmissionnetworks．WithCMOStechnologythefeaturefrequencyincreased，whichmakesdesignhigh—speedCDRcircuitsbasedstandardCMOStechnology．Firstlythebasic...
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高压CMOS电路的设计及制造工艺研究-介绍了一种与常规CMOS电路兼容的高压CMOS电路版图设计及工艺技术。在该技术中采用了非自对准的场区掺杂,增加场区掺杂浓度,轻掺杂满区以形成漂移区等...
1996年IMEC的BartDierickx等人[27]研制成功(20482048)元CMOS对数像素图像传感器，像元间距7.5μm，采用0.CMOS工艺。1.2.3数字图像传感器随着CMOS工艺的发展，近几年来CMOS数字图像传感器得到迅速的发展。CMOS数字图像传感器在片内对信号
CMOS图像传感器后段先进工艺制程，范洋洋，，本文研究基于55纳米CMOS制造工艺发展出来的CMOS图像传感器(CMOSImageSensor,CIS)的生产工艺，对后段工艺进行了优化改良以提高成像效…
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