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硕士博士毕业论文—自支撑氧化镓薄膜的生长与器件应用研究摘要第1-6页ABSTRACT第6-11页第一章绪论第11-45页1.1引言第11-15页1.2超宽禁带半导体材料Ga2O3的物性第15-20页
微纳结构薄膜生长形貌与特性计算.林恩宇莫云杰江绍基.【摘要】：从微观尺度上探讨微纳结构薄膜的生长机理,对于理解其生长过程、控制生长条件、提高薄膜质量以及开发新性薄膜器件具有重要的理论和应用意义。.在研究薄膜生长的过程中,由于...
最新博士论文—《自支撑氧化镓薄膜的生长与器件应用研究》摘要第1-6页ABSTRACT第6-11页第一章绪论第11-45页1.1引言第11-15页1.2超宽禁带半导体材料Ga2O3的物性第15-20页
氮化铝薄膜生长动力学模型与模拟研究.本文选题：氮化铝+金属有机物化学气相淀积；参考：《西安电子科技大学》2015年硕士论文.【摘要】：AlN材料以其高禁带宽度、击穿电场强、热导率高和高紫外透过率等优越的物理、光学和电学性质,在大功率器件、耐...
钙钛矿单晶薄膜的生长与器件研究[北京大学博士研究生学位论文邓玉豪]已有1665次阅读2020-10-2310:31|系统分类:论文交流|钙钛矿,单晶薄膜,光电探测器,空间限制生长法,疏水处理
钙钛矿单晶薄膜的生长与器件研究[北京大学博士研究生学位论文邓玉豪]已有1397次阅读2020-10-2310:31|系统分类:论文交流|钙钛矿,单晶薄膜,光电探测器,空间限制生长法,疏水处理
【摘要】：以金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术在GaAs衬底上生长GaInP太阳电池薄膜材料为对象,将MOCVD反应室内气体热流场CFD数值模拟的结果作为生长参数,运用动力学蒙特卡罗(KMC)方法对GaInP薄膜生长过程进行了并行计算模拟,给出了数据分布方式和通信优化策略进行负载平衡并降低通信开销,实现了…
二维半导体材料因其特殊的光学和电学性质，吸引了众多关注，并广泛应用于柔性电子器件、光电器件和自旋量子器件。MoS2由于容易存在硫空穴而显示n型半导体特性。传统化学气相沉积方法（CVD）生长的单原子层MoS2一般采用MoO3与硫粉的高温...
2.2.2微弧氧化膜形成与生长机理第17-23页2.2.3微弧氧化膜层结构及生长特点第23-24页2.2.4微弧氧化过程中的电极反应第24-25页2.3影响微弧氧化的因素第25-30页2.3.1电解液体系第25-28页2.3.2电参数第28-29页2.3.3氧化时间
反应磁控溅射法氮化铝钪薄膜.为了出压电性能良好、c轴择优生长的氮化铝钪压电薄膜,本文利用脉冲直流反应磁控溅射法了几组氮化铝钪薄膜,通过控制变量,并利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜和压电系数测试仪等测试设备,研究了气体流量、功率...
硕士博士毕业论文—自支撑氧化镓薄膜的生长与器件应用研究摘要第1-6页ABSTRACT第6-11页第一章绪论第11-45页1.1引言第11-15页1.2超宽禁带半导体材料Ga2O3的物性第15-20页
微纳结构薄膜生长形貌与特性计算.林恩宇莫云杰江绍基.【摘要】：从微观尺度上探讨微纳结构薄膜的生长机理,对于理解其生长过程、控制生长条件、提高薄膜质量以及开发新性薄膜器件具有重要的理论和应用意义。.在研究薄膜生长的过程中,由于...
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氮化铝薄膜生长动力学模型与模拟研究.本文选题：氮化铝+金属有机物化学气相淀积；参考：《西安电子科技大学》2015年硕士论文.【摘要】：AlN材料以其高禁带宽度、击穿电场强、热导率高和高紫外透过率等优越的物理、光学和电学性质,在大功率器件、耐...
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2.2.2微弧氧化膜形成与生长机理第17-23页2.2.3微弧氧化膜层结构及生长特点第23-24页2.2.4微弧氧化过程中的电极反应第24-25页2.3影响微弧氧化的因素第25-30页2.3.1电解液体系第25-28页2.3.2电参数第28-29页2.3.3氧化时间
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