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薄膜的生长、结构和外延论文栏目下面包含有约1119篇薄膜的生长、结构和外延硕士学位论文和博士学位论文，或是相关的硕士...
TiO2纳米薄膜在Al2O3基片上的形成与生长.第3l卷增刊12002年9月稀有金属材料与工程RAREMI＇TALMATERIALSANDENGINEERINGV01．31，SuppSeptember2002Ti02纳米薄膜在A1203基片上的形成与生长（天津大学，天津300072）摘要：以Ti（Buh为原料，采用溶胶．凝胶法在A1203基片上砷...
另外论文深入分析了PLD在-Al_2O_3衬底上外延AlN薄膜的位错形成原因及PLD的外延生长机理。由于AlN与-Al_2O_3衬底之间存在13.3%晶格失配度，薄膜生长过程中岛间合并时界面处将产生大量位错来释放…
氧化镓外延薄膜生长及特性研究.李付国.【摘要】：以SiC和GaN为代表的第三代半导体材料具有禁带宽度大、击穿电场高和热导率高等优越的特性,在大功率器件方面广泛应用。.相比较而言,?-Ga_2O_3半导体材料具有更大的禁带宽度、更小的导通电阻和更高的击穿...
UHVCVD外延生长——薄硅及锗硅单晶薄膜.崔继峰.【摘要】：本文利用超高真空化学气相沉积(UHV／CVD)技术，在低温生长环境(500-660℃)对薄硅外延及锗硅外延工艺进行了摸索。.主要包括锗硅单层和多层结构外延过程生长特性及表征，以及生长机理的研究。.使用...
华中科技大学文华学院题目：薄膜太阳能电池的研究与发展现状陈刚祥学号：080110011106职称或学位：讲师2012关键词IABSTRACTIKeywordsI一、薄膜太阳能电池概述2二、薄膜太阳能电池的分类和特点32.1a-Si：H薄膜42.2Poly-Si薄膜62.3...
研究揭秘生物膜形成的过程.中国科学技术大学刘贤伟课题组近期在生物膜形成机制解析方面取得进展，实现了单个微生物细胞界面粘附强度的成像分析。.该技术不仅可用于解析生物膜的形成过程，也可以快速筛选生物填料和抗生物污染膜材料，对于研发新型水...
金刚石薄膜及异质结的生长与性质研究.【摘要】：金刚石材料因其具有较宽的带隙、高载流子迁移率以及高击穿电压等优异的性能,被科学家誉为“终极半导体材料”,广泛地应用于高功率器件、辐射探测器及日盲紫外探测器等领域。.另一方面,随着量子调控...
外延薄膜晶体失配位错形成的动力学条件作者：学位授予单位：南昌大学相似文献(9条)1.会议论文外延薄膜中失配位错形成与控制的分子动力学模拟研究2007异质外延生长晶体与衬底材料晶体之间不可避免地存在晶格失配,外延薄膜中往往会因失配应变场作用诱发形成大量的失配位错,它们往往严重...
外延薄膜一般生长在与之晶格匹配的单晶基底上，其晶格排列整齐有序，且与基底取向一致。外延膜的光学和电学等性能优异，可与单晶媲美。通常用气相沉积生长无机外延膜，需要超高真空条件，设备昂贵，成本高，技术复杂。在半导体光刻与钙钛矿型太阳能电池等工业生产中，往往采用简单...
薄膜的生长、结构和外延论文栏目下面包含有约1119篇薄膜的生长、结构和外延硕士学位论文和博士学位论文，或是相关的硕士...
TiO2纳米薄膜在Al2O3基片上的形成与生长.第3l卷增刊12002年9月稀有金属材料与工程RAREMI＇TALMATERIALSANDENGINEERINGV01．31，SuppSeptember2002Ti02纳米薄膜在A1203基片上的形成与生长（天津大学，天津300072）摘要：以Ti（Buh为原料，采用溶胶．凝胶法在A1203基片上砷...
另外论文深入分析了PLD在-Al_2O_3衬底上外延AlN薄膜的位错形成原因及PLD的外延生长机理。由于AlN与-Al_2O_3衬底之间存在13.3%晶格失配度，薄膜生长过程中岛间合并时界面处将产生大量位错来释放…
氧化镓外延薄膜生长及特性研究.李付国.【摘要】：以SiC和GaN为代表的第三代半导体材料具有禁带宽度大、击穿电场高和热导率高等优越的特性,在大功率器件方面广泛应用。.相比较而言,?-Ga_2O_3半导体材料具有更大的禁带宽度、更小的导通电阻和更高的击穿...
UHVCVD外延生长——薄硅及锗硅单晶薄膜.崔继峰.【摘要】：本文利用超高真空化学气相沉积(UHV／CVD)技术，在低温生长环境(500-660℃)对薄硅外延及锗硅外延工艺进行了摸索。.主要包括锗硅单层和多层结构外延过程生长特性及表征，以及生长机理的研究。.使用...
华中科技大学文华学院题目：薄膜太阳能电池的研究与发展现状陈刚祥学号：080110011106职称或学位：讲师2012关键词IABSTRACTIKeywordsI一、薄膜太阳能电池概述2二、薄膜太阳能电池的分类和特点32.1a-Si：H薄膜42.2Poly-Si薄膜62.3...
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金刚石薄膜及异质结的生长与性质研究.【摘要】：金刚石材料因其具有较宽的带隙、高载流子迁移率以及高击穿电压等优异的性能,被科学家誉为“终极半导体材料”,广泛地应用于高功率器件、辐射探测器及日盲紫外探测器等领域。.另一方面,随着量子调控...
外延薄膜晶体失配位错形成的动力学条件作者：学位授予单位：南昌大学相似文献(9条)1.会议论文外延薄膜中失配位错形成与控制的分子动力学模拟研究2007异质外延生长晶体与衬底材料晶体之间不可避免地存在晶格失配,外延薄膜中往往会因失配应变场作用诱发形成大量的失配位错,它们往往严重...
外延薄膜一般生长在与之晶格匹配的单晶基底上，其晶格排列整齐有序，且与基底取向一致。外延膜的光学和电学等性能优异，可与单晶媲美。通常用气相沉积生长无机外延膜，需要超高真空条件，设备昂贵，成本高，技术复杂。在半导体光刻与钙钛矿型太阳能电池等工业生产中，往往采用简单...
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