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SIPOS薄膜工艺及其稳定性研究研究,工艺,薄膜,SIPOS,稳定性,sipos,薄膜研究院,薄膜键盘,反馈意见大学学位论文独创性声明学位论文是我个人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成中特别加以标注和致谢的地方外，论文中不包含其他人已经发表...
MOCVD+TiN阻挡层薄膜工艺性能研究(论文)上海交通大学硕士学位论文MOCVDTiN阻挡层薄膜工艺性能研究姓名：郑刚申请学位级别：硕士专业：软件工程指导教师：程秀兰朱建军20081220MOCVD随着集成电路器件尺寸的缩小晶体管的速度越来越快互连线的寄生电容和分布...
薄膜沉积技术及工艺.pdf,艺工与-术飞技钟积F沉膜薄FNS台-平工加薄膜工艺主要内容-引言F薄膜的一般特性PVD原理与工艺FCVD原理与工艺氧化原理与工艺NS-薄膜工艺MOS晶体管中的薄膜层-氮化硅顶部F氧化层金属层ILD...
PECVD法沉积氮化硅薄膜性质工艺实验研究第38卷，增刊红外与激光工程2009年11Vol.38SupplementInfraredLaserEngineeringNov.2009（北京邮电大学信息光子学与光通信教育部重点实验室，北京100876）摘要：使用新型HQ-3型等离子体增强...
袁媛;耿学文;李美成;;LPCVD微晶硅薄膜及热处理工艺研究[A];2009年先进光学技术及其应用研讨会论文集（上册）[C];2009年3王莎莎;陈兢;张海霞;;不同牺牲层材料上LPCVD氮化硅薄膜内应力的测试与研究[A];中国微米、纳米技术第七届学术会年会论文集4
bto铁电薄膜溶胶凝胶工艺研究word格式论文.docx,ClassifiedIndex：TG15U.D.C.:621.78DissertationfortheMasterDegreeinEngineeringSOL-GELFABRICATIONPROCESSOFBTOTHINFILMSCandidate：LiHuameiSupervisor：Meng
图题是杭州西湖美景。欢迎来杭州考察交流，共同探讨钙钛矿光电技术。这次内容主要是总结一下干法钙钛矿薄膜工艺，主要参考如下6篇论文，分为01和02两篇专栏文章发表。1.Efficientplanarheterojunctionpe…
通过控制薄膜工艺参数的变化,从而获得各个其对不同折射率光学薄膜厚度均匀性的影响趋势。研究PECVD光学薄膜均匀性控制技术,明确光学薄膜过程中均匀性的控制方法,对于采用PECVD技术光学薄膜的应用有着广泛的意义。
PECVD多晶硅薄膜工艺和性能的研究.Recently,withtherapiddevelopmentofsolarphotovoltaictechnology,liquidcrystalandtheotherfields,thepolycrystallinethinfilmsplayaimportantroleaselectronicmaterials,duetoitsperfectopticalperformanceandlowcost.Moreconcernsareputonthestudyofpolycrystalline...
本论文结合公司现有的工艺设备条件，采用等离子增强化学气相沉积（PECVDPlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition）方法，利用英国牛津公司的plasmalab80plusPECVD设备对用于激光器掩蔽膜和绝缘膜的氧化硅薄膜沉积工艺进行了研究。论文首先
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通过控制薄膜工艺参数的变化,从而获得各个其对不同折射率光学薄膜厚度均匀性的影响趋势。研究PECVD光学薄膜均匀性控制技术,明确光学薄膜过程中均匀性的控制方法,对于采用PECVD技术光学薄膜的应用有着广泛的意义。
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