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毕业论文>论文;薄膜物理与技术大作业(精品资料)sdkalfg分享于2015-11-1912:27:10.0论文;薄膜物理与技术大作业(精品资料)文档格式：.doc文档页数：24页文档大小：128.22K文档热度：文…
纳米级超精细薄膜物理沉积工艺机理研究宋太伟，高伟波，余冬冬，方祥，杨光*（上海建冶科技工程股份有限公司，上海201108）摘要：以热蒸镀和磁控溅射工艺为基础，分析解决如何用简捷的物理镀膜方法，实现1~2nm厚度超精细薄膜的均匀可控沉积。
AlN薄膜改性技术与工艺研究.【摘要】：AlN薄膜具有优异的物理和化学性质,被广泛应用于薄膜器件和压电执行器,如无线通讯用RF滤波器和谐振器,MEMS微传感器,能量收集器,光发射器件等。.随着无线通信技术向着高频、大宽带的方向发展,高数据传输速率,极速增大...
薄膜沉积技术及工艺.pdf,艺工与-术飞技钟积F沉膜薄FNS台-平工加薄膜工艺主要内容-引言F薄膜的一般特性PVD原理与工艺FCVD原理与工艺氧化原理与工艺NS-薄膜工艺MOS晶体管中的薄膜层-氮化硅顶部F氧化层金属层ILD...
常州信息职业技术学院学生毕业设计（论文）报告设计（论文）题目：二氧化硅薄膜的与应用分析常州信息职业技术学院电子与电气工程学院毕业设计论文毕业设计（论文）任务书专业班级姓名一、课题名称：二氧化硅薄膜的与应用分析二、主要研究内容：1、对二氧化硅的物理、化学...
书名:半导体薄膜技术与物理作者：叶志镇吕斌出版社：浙江大学出版社出版时间：2008年09月ISBN:9787308066174开本：16开定价:36.00元编辑本段内容简介《半导体薄膜技术与物理》全面系统地介绍了半导体薄膜的各种技术...
关键词：薄膜，PVD，CVD，镀膜工艺薄膜工艺包括薄膜方法的选择基体材料的选择及表面处理薄膜条件的选择和薄膜结构、性能与工艺参数的关系等物理气相沉积（PVD）这种薄膜方法相对于下面…
薄膜材料与工艺课程“四位一体”教学模式的实践【Abstract】AccordingtheteachingpracticeofFilmMaterialsandProcesses，thenewscientificachievementsofthefilmmaterialsis…
摘要为探究在Si(100)上反应磁控溅射高熵合金氮化物薄膜的工艺,文中对靶材以及薄膜的微观结构、成分、杨氏模量、硬度等进行了表征,在以AlSiTiVCrNb合金为靶材的真空腔室中通入N2进行反应磁控溅射,(AlSiTiVCrNb)N高熵合金薄膜,并与传统硬质薄膜进行对比分析。
本论文对高质量超导薄膜的生长,超导量子器件的及性能进行了系统的研究。.结论主要有以下几个方面:通过优化本底真空,溅射气压,溅射时Ar和N_2比例,溅射功率等生长参数,我们获得了一系列不同厚度的高质量的超导薄膜。.300nm厚的NbTiN膜T_c达到15.5K,表面...
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纳米级超精细薄膜物理沉积工艺机理研究宋太伟，高伟波，余冬冬，方祥，杨光*（上海建冶科技工程股份有限公司，上海201108）摘要：以热蒸镀和磁控溅射工艺为基础，分析解决如何用简捷的物理镀膜方法，实现1~2nm厚度超精细薄膜的均匀可控沉积。
AlN薄膜改性技术与工艺研究.【摘要】：AlN薄膜具有优异的物理和化学性质,被广泛应用于薄膜器件和压电执行器,如无线通讯用RF滤波器和谐振器,MEMS微传感器,能量收集器,光发射器件等。.随着无线通信技术向着高频、大宽带的方向发展,高数据传输速率,极速增大...
薄膜沉积技术及工艺.pdf,艺工与-术飞技钟积F沉膜薄FNS台-平工加薄膜工艺主要内容-引言F薄膜的一般特性PVD原理与工艺FCVD原理与工艺氧化原理与工艺NS-薄膜工艺MOS晶体管中的薄膜层-氮化硅顶部F氧化层金属层ILD...
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书名:半导体薄膜技术与物理作者：叶志镇吕斌出版社：浙江大学出版社出版时间：2008年09月ISBN:9787308066174开本：16开定价:36.00元编辑本段内容简介《半导体薄膜技术与物理》全面系统地介绍了半导体薄膜的各种技术...
关键词：薄膜，PVD，CVD，镀膜工艺薄膜工艺包括薄膜方法的选择基体材料的选择及表面处理薄膜条件的选择和薄膜结构、性能与工艺参数的关系等物理气相沉积（PVD）这种薄膜方法相对于下面…
薄膜材料与工艺课程“四位一体”教学模式的实践【Abstract】AccordingtheteachingpracticeofFilmMaterialsandProcesses，thenewscientificachievementsofthefilmmaterialsis…
摘要为探究在Si(100)上反应磁控溅射高熵合金氮化物薄膜的工艺,文中对靶材以及薄膜的微观结构、成分、杨氏模量、硬度等进行了表征,在以AlSiTiVCrNb合金为靶材的真空腔室中通入N2进行反应磁控溅射,(AlSiTiVCrNb)N高熵合金薄膜,并与传统硬质薄膜进行对比分析。
本论文对高质量超导薄膜的生长,超导量子器件的及性能进行了系统的研究。.结论主要有以下几个方面:通过优化本底真空,溅射气压,溅射时Ar和N_2比例,溅射功率等生长参数,我们获得了一系列不同厚度的高质量的超导薄膜。.300nm厚的NbTiN膜T_c达到15.5K,表面...
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