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半导体硅片退火后检测工艺的发展探讨.pdf,2015.13测试工具与解决方案半导体硅片退火后检测工艺的发展探讨寇文杰,王晓飞（洛阳单晶硅集团有限责任公司,471000）摘要：半导体硅片退火工艺对生产硅片具有十分重要的作用，为此，本文加强对硅片的退火技术检测，希望能够控制硅片技术质量。
激光退火前的晶圆制造工艺中应减少表面的颗粒或缺陷的产生,激光退火工艺中尽可能提高表面的光学一致性,避免将SiO2...宋马成;;半导体激光退火(Ⅱ)——实验现象的理论探讨[J];微纳电子技术;1981年04期14孙宝寅,刘玉兰,李文年,江剑平,王振明...
本论文的研究为降低GaAs基半导体激光器的串联电阻和提高器件的输出功率提供了理论基础和实验依据，并对其它GaAs基半导体器件的提供了重要的参考作关键词：GaAs材料欧姆接触快速热退火半导体激光器矩形传输线模型法AB勰ACT
【摘要】：离子注入及退火工艺是半导体工艺掺杂的重要手段,是大规模及超大规模集成电路、光电集成电路的重要工艺环节,在“杂质工程”及“能带工程”中发挥着不可替代的作用。但多年来,人们的精力及兴趣大多集中在实验和工艺研究领域,理论研究工作深度不够,这当然不利于离子注入及退火...
SiC功率器件离子注入和退火设备及工艺验证.李茂林杨秉君清水三郎横尾秀和塚越和也小室健司.【摘要】：针对SiC功率器件工艺制程中离子注入和激活退火的技术难题,利用爱发科公司自行设计并开发的高温离子注入设备(ULVAC,IH-860DSIC)、碳膜溅射设备(ULVAC...
小尺寸半导体器件中硅化物工艺优化及缺陷改进研究-集成电路工程专业论文.docx37页.小尺寸半导体器件中硅化物工艺优化及缺陷改进研究-集成电路工程专业论文.docx.37页.内容提供方：peili2018.大小：20.06MB.字数：约2.45万字.发布时间：2018-05-05.浏览人气...
在功率半导体发展历史上，功率半导体可以分为三代：第一代半导体材料：锗、硅等单晶半导体材料，硅拥有1.1eV的禁带宽度以及氧化后非常稳定的特性。第二代半导体材料：砷化镓、锑化铟等化合物半导体材料，砷化镓…
微纳器件激光退火工艺的优化和探索.马福帅;陈杰智.随着大数据和云计算的迅猛发展,集成电路需要处理的数据量不断增加,数据的存储变得越来越重要。.为了满足市场对高性能和高密度存储设备的需求以及缓解平面NANDFlash的技术瓶颈,3DNANDFlash结构被提出...
半导体激光器欧姆接触工艺的研究.【摘要】：本论文主要针对GaAs基材料欧姆接触的形成原理、工艺及测量方法进行了研究。.在对论文题目的研究背景、果内外发展状况进行简单介绍的基础上,阐述了Ⅲ-Ⅴ族材料及砷化物材料的性质以及欧姆接触的相关...
半导体工业迫切需要低温退火工艺和设备，因为它们比传统的快速热退火（RTA）或激光退火技术更有效地抑制离子注入的扩散。CINmat微波退火技术是ITRI、国立交通大学和国家纳米器件实验室三方合作的成果，旨在解决5纳米半导体工艺中晶圆的掺杂...
半导体硅片退火后检测工艺的发展探讨.pdf,2015.13测试工具与解决方案半导体硅片退火后检测工艺的发展探讨寇文杰,王晓飞（洛阳单晶硅集团有限责任公司,471000）摘要：半导体硅片退火工艺对生产硅片具有十分重要的作用，为此，本文加强对硅片的退火技术检测，希望能够控制硅片技术质量。
激光退火前的晶圆制造工艺中应减少表面的颗粒或缺陷的产生,激光退火工艺中尽可能提高表面的光学一致性,避免将SiO2...宋马成;;半导体激光退火(Ⅱ)——实验现象的理论探讨[J];微纳电子技术;1981年04期14孙宝寅,刘玉兰,李文年,江剑平,王振明...
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【摘要】：离子注入及退火工艺是半导体工艺掺杂的重要手段,是大规模及超大规模集成电路、光电集成电路的重要工艺环节,在“杂质工程”及“能带工程”中发挥着不可替代的作用。但多年来,人们的精力及兴趣大多集中在实验和工艺研究领域,理论研究工作深度不够,这当然不利于离子注入及退火...
SiC功率器件离子注入和退火设备及工艺验证.李茂林杨秉君清水三郎横尾秀和塚越和也小室健司.【摘要】：针对SiC功率器件工艺制程中离子注入和激活退火的技术难题,利用爱发科公司自行设计并开发的高温离子注入设备(ULVAC,IH-860DSIC)、碳膜溅射设备(ULVAC...
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微纳器件激光退火工艺的优化和探索.马福帅;陈杰智.随着大数据和云计算的迅猛发展,集成电路需要处理的数据量不断增加,数据的存储变得越来越重要。.为了满足市场对高性能和高密度存储设备的需求以及缓解平面NANDFlash的技术瓶颈,3DNANDFlash结构被提出...
半导体激光器欧姆接触工艺的研究.【摘要】：本论文主要针对GaAs基材料欧姆接触的形成原理、工艺及测量方法进行了研究。.在对论文题目的研究背景、果内外发展状况进行简单介绍的基础上,阐述了Ⅲ-Ⅴ族材料及砷化物材料的性质以及欧姆接触的相关...
半导体工业迫切需要低温退火工艺和设备，因为它们比传统的快速热退火（RTA）或激光退火技术更有效地抑制离子注入的扩散。CINmat微波退火技术是ITRI、国立交通大学和国家纳米器件实验室三方合作的成果，旨在解决5纳米半导体工艺中晶圆的掺杂...
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