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硅及氮化镓基半导体功能器件新结构和工艺研究.【摘要】：随着科技的不断发展,宽禁带半导体器件目前已成为半导体行业的研究热点。.GaN材料以其独特的极化效应、优异的热电性质和稳定的物理化学性质等优点,成为当前最为热门的宽禁带半导体器件材料,以...
新型半导体材料有望提高器件性能.近日，华中农业大学理学院教授谭佐军带领的智能感知与信息处理团队与瑞典林雪平大学教授高峰团队合作...
高压功率器件结终端技术分析与新结构研究,功率器件终端结构,功率器件,氮化镓功率器件,功率半导体器件,功率半导体器件基础,碳化硅功率器件,大功率器件,功率器件封装,功率半导体器件pdf
来源：内容来自公众号半导体行业观察（ID：icbank）,谢谢！IEDM（国际电子器件会议）是半导体器件领域最顶尖的会议。最近IEDM在美国旧金山召开，汇聚了来自全球的顶尖研究成果。本届IEDM的主题是“智能时代的新型…
郝跃院士：宽禁带与超宽禁带半导体器件新进展日期：2018-12-1310:46点击量：作者简介：郝跃，中国科学院院士，国家自然科学基金委员会信息科学部主任，西安电子科技大学教授，研究方向为宽禁带半导体器件与材料、微纳半导体新器件与新...
半导体有哪些好文的方向？.1.导师很佛系，不管不问，完全放养；2.本科并不是微电子专业，没有基础；3.只求安心毕业，希望大佬们给个建议，做好用TCAD。.
功率MOSFET的研究与新发展.张波.【摘要】：正引言从1975年美国IR公司推出VVMOS(verticalvgrooveMOSFET)以来,功率MOSFET得到快速发展,已成为中小功率应用领域的主流功率半导体开关器件。.功率MOSFET一直沿着结构优化、创新结构和宽禁带半导体材料三个方向发展,将器件...
新型半导体材料有望提高器件性能.近日，华中农业大学理学院教授谭佐军带领的智能感知与信息处理团队与瑞典林雪平大学教授高峰团队合作，针对铯银铋溴材料的结构和性质进行研究，探讨了材料最新应用进展与未来发展挑战。.相关研究成果在Advanced...
高压低功耗MOS栅控功率器件新结构与模型研究.【摘要】：作为全控型器件,MOS栅控功率器件具有高输入阻抗、易驱动等优点,而占分立器件最大市场份额并是功率集成电路的主力功率单元,是AC-DC、DC-DC转换以及功率驱动等芯片的核心器件。.功率器件的关键在于...
硅基氮化镓（GaN-on-Si）功率器件具有击穿电压高、工作温度高和工作频率高等优异性能,是电力电子领域极为理想的半导体器件,现已成为国际半导体领域的研究热点之一。因增强型功率器件具有安全性高及驱动简单等优点,如何出高性能的GaN-on-Si增强型功率器件是学者们关
硅及氮化镓基半导体功能器件新结构和工艺研究.【摘要】：随着科技的不断发展,宽禁带半导体器件目前已成为半导体行业的研究热点。.GaN材料以其独特的极化效应、优异的热电性质和稳定的物理化学性质等优点,成为当前最为热门的宽禁带半导体器件材料,以...
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功率MOSFET的研究与新发展.张波.【摘要】：正引言从1975年美国IR公司推出VVMOS(verticalvgrooveMOSFET)以来,功率MOSFET得到快速发展,已成为中小功率应用领域的主流功率半导体开关器件。.功率MOSFET一直沿着结构优化、创新结构和宽禁带半导体材料三个方向发展,将器件...
新型半导体材料有望提高器件性能.近日，华中农业大学理学院教授谭佐军带领的智能感知与信息处理团队与瑞典林雪平大学教授高峰团队合作，针对铯银铋溴材料的结构和性质进行研究，探讨了材料最新应用进展与未来发展挑战。.相关研究成果在Advanced...
高压低功耗MOS栅控功率器件新结构与模型研究.【摘要】：作为全控型器件,MOS栅控功率器件具有高输入阻抗、易驱动等优点,而占分立器件最大市场份额并是功率集成电路的主力功率单元,是AC-DC、DC-DC转换以及功率驱动等芯片的核心器件。.功率器件的关键在于...
硅基氮化镓（GaN-on-Si）功率器件具有击穿电压高、工作温度高和工作频率高等优异性能,是电力电子领域极为理想的半导体器件,现已成为国际半导体领域的研究热点之一。因增强型功率器件具有安全性高及驱动简单等优点,如何出高性能的GaN-on-Si增强型功率器件是学者们关
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