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新型半导体材料有望提高器件性能.近日，华中农业大学理学院教授谭佐军带领的智能感知与信息处理团队与瑞典林雪平大学教授高峰团队合作，针对铯银铋溴材料的结构和性质进行研究，探讨了材料最新应用进展与未来发展挑战。.相关研究成果在Advanced...
新型二维半导体：从集成电路工艺到芯片制造，微电子学院包文中课题组最新研究进展.人工智能和可移动终端的迅猛发展，导致对芯片高算力和低能耗的要求越来越高。.而目前集成电路最先进的晶体管沟道长度和厚度开始逐步接近原子尺度，而传统半导体材料...
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氮化物半导体电子器件新进展.郝跃张金风张进成马晓华郑雪峰.【摘要】：氮化物宽禁带半导体是实现大功率、高频率、高电压、高温和耐辐射电子器件的一类理想材料.基于氮化镓(GaN)异质结的高电子迁移率晶体管(HEMT)是氮化物电子器件的主流结构,该结构...
郝跃院士：宽禁带与超宽禁带半导体器件新进展日期：2018-12-1310:46点击量：作者简介：郝跃，中国科学院院士，国家自然科学基金委员会信息科学部主任，西安电子科技大学教授，研究方向为宽禁带半导体器件与材料、微纳半导体新器件与新...
超结VDMOS器件的研究及最新进展.1．电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室，成都6100542．华虹－NEC电子有限公司，上海201206摘要：超结VDMOS打破了传统多子器件的“硅限”，是功率半导体器件发展史上的里程碑式的结构。.本文介绍了超结理论的提出...
新型半导体材料有望提高器件性能.近日，华中农业大学理学院教授谭佐军带领的智能感知与信息处理团队与瑞典林雪平大学教授高峰团队合作...
半导体激光器的最新进展及应用现状.发布时间：2018/11/11来源：《电力设备》2018年第18期作者：黄志焕.[导读]摘要：随着半导体技术的发展，半导体激光器所涉及的领域也在不断扩展，其应用领域的范围已覆盖光电子学的很多方面，半导体激光器已成为光...
全部作者的其他最新博文•半导体学报2021年第11期——中文导读•中国半导体十大研究进展候选推荐（2021-029）——成功实现二维半导体集成电路成套工艺•中国半导体十大研究进展候选推荐（2021-028）——室温和高湿度下稳定的α-FAPbI3钙钛矿及其高效稳定光伏器件
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