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半导体材料的不同形态要求对应不同的工艺。常用的半导体材料工艺有提纯、单晶的和薄膜外延生长。半导体材料所有的半导体材料都需要对原料进行提纯，要求的纯度在6个“9”以上，最高达11个“9”以上。
概述|第三代半导体材料氮化镓（GaN）的应用和局限.一般而言，GaN晶体管比传统硅器件更快且更有效。.但如果是这样的话，有什么限制可以阻止它从宝座上取下硅芯片？.硅技术正在接近其极限。.同时，仍然需要更快，需要更有效的电路。.从这一点开始...
锗：作为最早被研究的半导体材料，带给我们两个诺贝尔奖，第一个transistor和第一个IC。.锗的优点是：.1）空穴迁移率最大，是硅的四倍；电子迁移率是硅的两倍。.2）禁带宽度比较小，有利于发展低电压器件。.3）施主/受主的激活温度远低于硅，有利于节省...
材料学和应用数学硕士博士毕业论文-SILAR法半导体薄膜及其光电性能的研究.天津大学硕士学位论文SILAR法半导体薄膜及其光电性能的研究姓名：刘晓新申请学位级别：硕士专业：材料学指导教师：靳正国20031201中文摘要采用液相...
材料人报告推出半导体材料研究报告，此前已发布材料人报告丨宽带隙半导体材料研究报告。本文为第二篇：窄带隙半导体材料【简介】研究者一般将带隙低于3eV的材料定义为窄带隙半导体（小编暂未发现对窄带隙材料有严格的定义）。由于窄带隙半导体材料具有优异的吸光性能(一般来说带隙越...
材料人报告|MOFs材料领域国内外研究情况梳理.MOFs是金属有机骨架化合物（英文名称MetalorgaicFramework）的简称,是由无机金属中心（金属离子或金属簇）与桥连的有机配体通过自组装相互连接，形成的一类具有周期性网络结构的晶态多孔材料。.MOFs是一种有机...
今天引入的新材料，如果不能解决上面这些关键问题，面对的壁垒比当年的锗半导体材料只大不小，所以Max最近的研究开始向石墨烯辅助硅转变。Max教授在他近期的论文中宣称：“该芯片的RRAM和碳纳米晶体管在200度下制造，而传统的工艺需…
小木虫论坛-学术科研互动平台»材料区»微米和纳米»微纳器件»p型半导体和n型半导体在气敏性能方面各自的优缺点.1.1/1.返回列表.查看:0|回复:0.只看楼主@他人存档新回复提醒(忽略)收…
材料学课题|光辉生万物——更高效的柔性太阳能电池.在过去的几十年中，无机半导体太阳能电池发展速度迅猛。.如用Si、Ge、GaAs、GaP、GaN和SiC等材料的太阳能电池的光电转换效率大大提高。.从上世纪50年代，贝尔实验室的6%…
文中首先指出透过结合金属纳米粒子及半导体材料可以有效提升光转换率，而其可能主要机制有二个。一是在金属及半导体接面所产生的肖特基结可以使激发的电子空穴对往相反的方向移动，因此降低电子空穴复合率。
半导体材料的不同形态要求对应不同的工艺。常用的半导体材料工艺有提纯、单晶的和薄膜外延生长。半导体材料所有的半导体材料都需要对原料进行提纯，要求的纯度在6个“9”以上，最高达11个“9”以上。
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锗：作为最早被研究的半导体材料，带给我们两个诺贝尔奖，第一个transistor和第一个IC。.锗的优点是：.1）空穴迁移率最大，是硅的四倍；电子迁移率是硅的两倍。.2）禁带宽度比较小，有利于发展低电压器件。.3）施主/受主的激活温度远低于硅，有利于节省...
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文中首先指出透过结合金属纳米粒子及半导体材料可以有效提升光转换率，而其可能主要机制有二个。一是在金属及半导体接面所产生的肖特基结可以使激发的电子空穴对往相反的方向移动，因此降低电子空穴复合率。
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